專利名稱:一種采用MOCVD設(shè)備制備硫化鉬二維材料的方法

專利申請(qǐng)?zhí)?CN201911065724.3

公開號(hào):CN110655111A

申請(qǐng)日:2019.11.04

公開日:2020.01.07

申請(qǐng)人:浙江大學(xué)

本發(fā)明公開了一種采用MOCVD設(shè)備制備硫化鉬二維材料的方法，在Sapphire襯底上多步生長MoS2二維材料，包括：采用Sapphire作為襯底；將Sapphire襯底傳送至MOCVD設(shè)備內(nèi)；MOCVD腔內(nèi)通入N2氣體；升溫到達(dá)恒溫生長溫度，腔內(nèi)初始?jí)簭?qiáng)為11 998.98 Pa；通入H2S作為硫氣源；通入MO(CO)6作為鉬氣源，形核；分步降低腔內(nèi)壓強(qiáng)，促使形核晶粒橫向生長，得到生長在Sapphire襯底上的MoS2二維材料。本發(fā)明提供的制備方法具有生長工藝簡單、材料厚度可控、質(zhì)量高等優(yōu)點(diǎn)。通過本發(fā)明提供的制備方法，生長出禁帶寬度可調(diào)，可用于柔性芯片應(yīng)用的MoS2二維材料。