據(jù)最新爆料,Intel的第12代酷睿Alder Lake基本上確定本月底發(fā)布,11月4日解禁上市。而關(guān)于第12代酷睿的相關(guān)信息,在此前的各種爆料中消費(fèi)者應(yīng)該已經(jīng)了解到不少內(nèi)容,包括改用10nm制程,全新LGA 1700接口,支持DDR5內(nèi)存以及PCIe 5.0固態(tài)硬盤等。英特爾一改往?!皵D牙膏”模式,這次是要放大招了。緊跟第12代酷睿處理器的消息,DDR5內(nèi)存也正式跟大家見面了。
正所謂十年磨一劍,距離JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)2012年9月26日公布DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范已經(jīng)過去9年的時(shí)間。2020年7月,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)也正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級(jí)換代即將開始。近日,芝奇、海盜船、影馳、七彩虹、威剛、江波龍、金士頓等品牌都宣布了自家的DDR5內(nèi)存,甚至已經(jīng)有品牌DDR5 4800系列容量產(chǎn)品已經(jīng)上架電商平臺(tái)。
2020年10月7日,SK海力士就宣布正式發(fā)布全球第一款DDR5內(nèi)存,為面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的RDIMM形態(tài),基于1Ynm工藝制造的16Gb顆粒,單條容量64GB,而借助TSV硅穿孔技術(shù),最高可以達(dá)到256GB。頻率方面起步就是4800MHz,最高為5600MHz,相當(dāng)于一秒鐘就可以傳輸9部全高清電影。今年3月,江波龍電子也發(fā)布了Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品(ES1),涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。廠商的一連串動(dòng)作表明DDR5技術(shù)的真正革新?lián)Q代開始了。
在消費(fèi)類內(nèi)存領(lǐng)域,近日芝奇國(guó)際發(fā)表了全新Trident Z5旗艦系列DDR5內(nèi)存,初步上市即擁有高達(dá)DDR5-6400 CL36-36-36-76 16GB×2的夢(mèng)幻規(guī)格。此終極規(guī)格由高效能三星DDR5顆粒打造,不僅擁有6400MHz的超高頻率,更將時(shí)序壓低至CL36,完美展現(xiàn)出芝奇新一代DDR5的極致超頻潛力。
2021年10月中旬,存儲(chǔ)模組廠十銓科技也發(fā)布了T-FORCE火神(VULCAN) DDR5電競(jìng)超頻內(nèi)存,提供4800MHz及5200MHz的頻率與單支16GB、32GB 或是雙通道16GB×2、32GB×2 的套組,滿足消費(fèi)者全方位飆速需求。
盡管有不少廠商宣布自己的DDR5內(nèi)存已經(jīng)有了,真正上架開賣的卻沒有幾家,金泰克算是動(dòng)作迅速的一家,已經(jīng)在電商平臺(tái)開始預(yù)約銷售DDR5內(nèi)存條—金泰克速虎T4系列,自帶散熱馬甲,機(jī)甲科幻外觀很炫酷。規(guī)格方面為DDR5-4800,單條容量16GB,電壓1.1V,時(shí)序40。目前售價(jià)16GB容量為999元,不少網(wǎng)友表示這個(gè)價(jià)格在預(yù)料之中??梢?,DDR5內(nèi)存真的離我們近了。
實(shí)際上早在2016年,美光就曾發(fā)布關(guān)于DDR5內(nèi)存的相關(guān)信息。從美光當(dāng)時(shí)公布的文件來看,DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步,最高可達(dá)單條32GB,I/O帶寬能達(dá)到3.2-6.4Gbps,同時(shí)電壓1.1V,內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。此外,美光當(dāng)時(shí)還在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將從3200MHz起步,主流內(nèi)存頻率可達(dá)6400MHz。從已經(jīng)公布的產(chǎn)品情況來看,當(dāng)時(shí)美光的預(yù)測(cè)偏差不大。目前已經(jīng)亮相的DDR5內(nèi)存大多是4800MHz,但廠商也并未表示不會(huì)出3200MHz系列。同時(shí),據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示,在主板開啟XMP超頻的話,內(nèi)存頻率可達(dá)8400MHz。
美光2016年發(fā)布關(guān)于DDR5內(nèi)存的消息
在官方介紹中,針對(duì)DDR5和DDR4內(nèi)存的一些硬性指標(biāo)進(jìn)行了對(duì)比。與上一代產(chǎn)品DDR4相比,DDR5提供2個(gè)獨(dú)立子通道,速度(帶寬) 快約2倍,同時(shí)額定電壓為1.1V,低于DDR4(1.2V),耗電降低約20%。
事實(shí)上,DDR5模塊與DDR4模塊之間的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別就是前者存在子通道。一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的DDR5模塊有兩個(gè)獨(dú)立的子通道,每個(gè)子通道最多有兩個(gè)物理軟件包級(jí)別。每個(gè)DRAM包都可以在主/次拓?fù)渲信渲?,以?shí)現(xiàn)增加密度的額外邏輯級(jí)別。正因?yàn)槿绱?,?nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍,信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。DDR5 DIMM新架構(gòu)提高了并發(fā)性,并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍,從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)存性能的提升。