周 婕,劉 佳,張 浩
一種混合直流真空斷路器參數(shù)設(shè)計(jì)方法
周 婕1,劉 佳1,張 浩2
(1. 中國(guó)合格評(píng)定國(guó)家認(rèn)可中心,北京 100062;2. 武漢船用電力推進(jìn)裝置研究所,武漢 430064)
為合理設(shè)計(jì)混合直流真空斷路器各支路器件參數(shù),以提升開(kāi)斷故障電流速動(dòng)性及可靠性。本文首先針對(duì)自然換流階段支路雜散參數(shù)及主回路電流上升率對(duì)轉(zhuǎn)移速度的影響進(jìn)行研究,確立了半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)型號(hào)及連接方式;隨后通過(guò)LC單頻振蕩回路使半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電流過(guò)零,為確保該強(qiáng)迫換流階段半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)兩端反向承壓時(shí)間大于其固有關(guān)斷時(shí)間使其夠可靠關(guān)斷,對(duì)換流電容和換流電感參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化;最后從吸能角度出發(fā)確立了壓敏電阻特性參數(shù)?;谠撛O(shè)計(jì)方法進(jìn)行了20kA電流等級(jí)試驗(yàn)并取得高效分?jǐn)嘈阅堋?/p>
自然換流 轉(zhuǎn)移速度 強(qiáng)迫換流 固有關(guān)斷時(shí)間 分?jǐn)嘈阅?/p>
真空斷路器由于具備良好的滅弧性能和友好的環(huán)保特性而逐步取代SF6型斷路器,但應(yīng)用于高壓大電流環(huán)境下,在弧后極易發(fā)生電弧重燃而導(dǎo)致分?jǐn)嗍?,此時(shí)若將真空斷路器電流轉(zhuǎn)移至電力電子器件并強(qiáng)迫關(guān)斷故障電流后,由于電力電子器件的電壓鉗位作用,為真空開(kāi)關(guān)提供了充足的“零電壓”介質(zhì)恢復(fù)時(shí)間,分?jǐn)嗫煽啃缘玫酱蠓嵘?。因此引入了圖1所示的一種兼?zhèn)湔婵臻_(kāi)關(guān)低損耗通流特性及半導(dǎo)體優(yōu)異關(guān)斷性能的混合式直流斷路器[1-4],其工作過(guò)程主要分為三個(gè)階段:自然換流、強(qiáng)迫換流及吸能過(guò)程。自然換流過(guò)程中真空開(kāi)關(guān)及半導(dǎo)體支路的雜散及寄生參數(shù)對(duì)電流轉(zhuǎn)移速率有著明顯影響[5-7];強(qiáng)迫換流過(guò)程中換流參數(shù)的選取關(guān)系到開(kāi)關(guān)的關(guān)斷性能[8-10];而吸能過(guò)程中壓敏電阻參數(shù)對(duì)全分?jǐn)鄷r(shí)間及吸收能量大小有一定影響。本文通過(guò)對(duì)三次電流轉(zhuǎn)移階段進(jìn)行深入研究,并分析了半導(dǎo)體支路器件選型及各支路參數(shù)設(shè)計(jì)等直接影響斷路器分?jǐn)嘈阅艿囊幌盗兄笜?biāo),最后在相應(yīng)電流等級(jí)下進(jìn)行重頻試驗(yàn),達(dá)到了本設(shè)計(jì)的預(yù)期目標(biāo)。
圖1 混合式直流斷路器原理圖
為使真空開(kāi)關(guān)VS中故障電流迅速轉(zhuǎn)移至晶閘管T支路,現(xiàn)分析兩支路參數(shù)對(duì)轉(zhuǎn)移時(shí)間的影響,轉(zhuǎn)移等效電路如圖1所示,V、T分別為燃弧支路及轉(zhuǎn)移支路等效電阻,V、T分別兩支路寄生電感,arc、T分別為真空開(kāi)關(guān)燃弧電壓及晶閘管通態(tài)壓降,在故障電流上升時(shí)間為1 ms處,觸發(fā)轉(zhuǎn)移支路半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)開(kāi)始實(shí)現(xiàn)故障電流自然轉(zhuǎn)移。轉(zhuǎn)移等效電路見(jiàn)圖2 。
圖2 自然換流等效電路
根據(jù)等效電路,列寫(xiě)回路基爾霍夫電壓方程為
轉(zhuǎn)移完成后,真空開(kāi)關(guān)支路電流V=0,可求出轉(zhuǎn)移時(shí)間表達(dá)式為
由于大電流自然換流階段真空介質(zhì)燃弧電壓幅值約30 V,且通過(guò)弧壓的鉗位作用,晶閘管T工作在低壓大電流環(huán)境,因此為了保障通流條件并減小晶閘管支路雜散參數(shù)對(duì)轉(zhuǎn)移時(shí)間的影響,晶閘管組件可采用單件并聯(lián)的方式。下面結(jié)合仿真工具深入分析式(2)中各回路參數(shù)對(duì)轉(zhuǎn)移時(shí)間的影響。
在燃弧支路及轉(zhuǎn)移支路雜散電感分別取值V=1 μH、T=0.5 μH,晶閘管T通態(tài)壓降取值T=1.5 V條件下,基于PSCAD/EMTDC電磁暫態(tài)仿真軟件分析兩支路等效電阻對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的影響見(jiàn)圖所示,可見(jiàn)燃弧支路等效電阻變化,轉(zhuǎn)移時(shí)間幾乎不變,只對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程中兩支路電流動(dòng)態(tài)分配存在一定影響;而轉(zhuǎn)移支路等效電阻越大,轉(zhuǎn)移時(shí)間越長(zhǎng),當(dāng)其增大至一定數(shù)值后,便會(huì)出現(xiàn)電流轉(zhuǎn)移失敗現(xiàn)象,因此應(yīng)盡可能減小晶閘管等效電阻,成功且迅速完成自然換流過(guò)程。
圖3 回路電阻對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的影響
在燃弧支路及轉(zhuǎn)移支路等效電阻分別取值V=50 μΩ、T=0.5 mΩ的條件下,分析兩支路不同雜散電感參數(shù)對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的影響如圖4所示,可知隨著兩支路雜散電感不斷增大,電流轉(zhuǎn)移時(shí)間逐漸變大,且轉(zhuǎn)移支路雜散電感影響更為明顯,因此可采用多個(gè)晶閘管單件并聯(lián)連接方式并保證各連接點(diǎn)接線緊湊,盡可能的減小雜散電感對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的影響。
圖4 回路電感對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的影響
實(shí)際工況中,不同的短路故障發(fā)生條件導(dǎo)致故障電流上升率也有所區(qū)別,現(xiàn)通過(guò)仿真中選取不同數(shù)值的負(fù)載電感分析不同電流變化率對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的影響見(jiàn)圖5,隨著故障電流上升率不斷增大,轉(zhuǎn)移過(guò)程中真空開(kāi)關(guān)分配電流幅值變大,導(dǎo)致轉(zhuǎn)移時(shí)間增大,但趨勢(shì)逐漸飽和,不會(huì)引起電流轉(zhuǎn)移失敗現(xiàn)象。
經(jīng)過(guò)上述對(duì)自然換流階段電流轉(zhuǎn)移特性的分析,采用5組及以上Y100KKM4000-4800快速晶閘管并聯(lián)方式作為轉(zhuǎn)移支路開(kāi)關(guān)器件能夠完成20 kA電流轉(zhuǎn)移分?jǐn)喙δ?,并測(cè)得該型號(hào)單件在不同轉(zhuǎn)移電流下的通態(tài)特性見(jiàn)圖6,運(yùn)用于本研究電流區(qū)間下的單件通態(tài)電阻約為=0.3 mΩ,并將實(shí)物3D圖導(dǎo)入ANSYS/Q3D中計(jì)算出單件寄生電感為T(mén)=0.5 μH。并在主回路電流上升率約10 A/μs的條件下測(cè)出5~8組單件并聯(lián)下轉(zhuǎn)移特性如圖7所示,可見(jiàn)增加晶閘管單件并聯(lián)數(shù)目對(duì)電流轉(zhuǎn)移時(shí)間影響較小,為保持一定余量,本研究中采取6組Y100KKM4000-4800單件并聯(lián)方式作為轉(zhuǎn)移開(kāi)關(guān)器件。
圖5 故障電流上升率對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的影響
圖6 Y100KKM4000-4800通態(tài)特性變化趨勢(shì)
圖7 并聯(lián)數(shù)量對(duì)轉(zhuǎn)移特性的影響
當(dāng)電流由真空開(kāi)關(guān)VS完全轉(zhuǎn)移至晶閘管T后,隨即導(dǎo)通控制開(kāi)關(guān)TVS投入換流回路,隨著反向換流上升并使T電流過(guò)零,晶閘管進(jìn)入反向恢復(fù)過(guò)程,并開(kāi)始承擔(dān)反向電壓。當(dāng)換流電容兩端電壓極性翻轉(zhuǎn)后,晶閘管兩端電壓變?yōu)檎?,設(shè)此階段持續(xù)時(shí)間為s,晶閘管T固有關(guān)斷時(shí)間為q,若s大于q,T便能可靠關(guān)斷,反之T關(guān)斷失敗導(dǎo)致故障電流重新從主回路流通?,F(xiàn)通過(guò)分析換流回路參數(shù)對(duì)T承擔(dān)反壓時(shí)間s大小的影響,首先為了滿足T反向耐壓要求,換流電容預(yù)充電取值C=6 kV,在確保能夠換流成功的條件下并保留一定裕量系數(shù),換流電流峰值應(yīng)滿足:
另外,為防止晶閘管T發(fā)生功率性擊穿,對(duì)其可靠關(guān)斷的電流變化率范圍要求如下:
根據(jù)以上約束條件,在P1:=320 μF,=20 μH;P2:=480 μF,=30 μH;P3:=640 μF,=40 μH;P4:=800 μF,=50 μH四組換流參數(shù)下,晶閘管T兩端反向承壓情況如圖所示,分析可知,隨著換流電容及換流電感數(shù)值的不斷增大,晶閘管T兩端反向電壓峰值減小,均不超過(guò)-4.5 kV,且承受反壓時(shí)間增大,該型號(hào)晶閘管反壓峰值等級(jí)滿足要求,其固有關(guān)斷時(shí)間為100 μs,因此應(yīng)選取P3及以上等級(jí)換流參數(shù),綜合考慮換流回路成本及體積,最終選取換流電容=650 μF,=40 μH。
圖8 不同換流參數(shù)下T的反向承壓情況
強(qiáng)迫換流階段結(jié)束后,系統(tǒng)及儲(chǔ)能電感不斷向換流電容反向充電直至達(dá)到壓敏電阻開(kāi)通電壓后,RV開(kāi)始吸收系統(tǒng)能量,并將換流回路電壓維持于其殘壓附近。此過(guò)程中斷路器全分?jǐn)鄷r(shí)間及其吸收能量大小與壓敏電阻RV的開(kāi)通電壓M及殘壓取值P關(guān)系見(jiàn)圖,首先壓敏電阻吸收能量與全分?jǐn)鄷r(shí)間隨著M增大而減小,當(dāng)M≥12 kV后,變化已不再明顯,可將RV開(kāi)通電壓取值為M=12 kV;然后在開(kāi)通電壓M=12 kV不變情況下,RV吸收能量同樣隨殘壓P的增大而減小,且趨于飽和,但殘壓取值對(duì)斷路器的全分?jǐn)鄷r(shí)間影響甚微,綜合考慮換流電容在重頻條件下的反向耐壓等級(jí)要求,RV殘壓取值為M=14 kV。
圖9 壓敏電阻吸能隨開(kāi)通電壓的變化規(guī)律
圖10 壓敏電阻吸能隨開(kāi)通電壓的變化規(guī)律
經(jīng)過(guò)分?jǐn)鄥?shù)設(shè)計(jì)后,搭建了圖11所示的試驗(yàn)平臺(tái),并進(jìn)行了相應(yīng)電流等級(jí)的分?jǐn)嘣囼?yàn),圖12為斷路器分?jǐn)嗟湫碗娏鞑ㄐ?,其中M為主回路電流,S為真空開(kāi)關(guān)支路電流,T為晶閘管T支路電流,C為換流支路電流,R為壓敏電阻支路電流。該平臺(tái)采用儲(chǔ)能電容0=20 mF,調(diào)波電感0=500 μH,預(yù)置電壓C0=4 kV的振蕩回路參數(shù)模擬預(yù)期20 kA的故障電流。0時(shí)刻觸發(fā)主回路控制開(kāi)關(guān)MS1,當(dāng)故障發(fā)生后1時(shí)刻斷開(kāi)真空開(kāi)關(guān)VS,同時(shí)觸發(fā)晶閘管T導(dǎo)通,經(jīng)過(guò)2-1時(shí)間的自然換流過(guò)程,故障電流完全轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體支路,3時(shí)刻觸發(fā)換流支路控制開(kāi)關(guān)MS2,經(jīng)過(guò)4-3時(shí)間的強(qiáng)迫換流,電流隨即轉(zhuǎn)移至換流支路,當(dāng)系統(tǒng)能量不斷注入換流電容至其反向電壓在5時(shí)刻超過(guò)壓敏電阻RV開(kāi)通閾值后,RV導(dǎo)通吸收系統(tǒng)能量,并最終于6時(shí)刻完成故障電流完全清除。經(jīng)過(guò)參數(shù)合理化設(shè)計(jì)后,該混合式斷路器全分?jǐn)鄷r(shí)間約為6.5 ms,通過(guò)故障電流三次轉(zhuǎn)移過(guò)程,在20 kA電流等級(jí)的重頻分?jǐn)喹h(huán)境下,故障切除性能穩(wěn)定且可靠,可向高壓大電流領(lǐng)域拓展。
圖11 試驗(yàn)回路
圖12 分?jǐn)嚯娏鞯湫筒ㄐ?/p>
本文提出一種高壓大電流混合斷路器的拓?fù)鋮?shù)的合理設(shè)計(jì)方法,從斷路器的高分?jǐn)嘈阅芗翱燹D(zhuǎn)移特性的角度出發(fā),分析了影響該型斷路器三個(gè)階段的電流轉(zhuǎn)移的因素:
1)自然換流階段支路雜散參數(shù)及故障電流變化率對(duì)電流轉(zhuǎn)移速度有一定影響,通過(guò)優(yōu)化回路參數(shù)及設(shè)計(jì)晶閘管連接方式來(lái)提高自然換流速度;
2)強(qiáng)迫換流階段換流電容及換流電感影響晶閘管的可靠關(guān)斷,合理設(shè)計(jì)換流參數(shù)可使晶閘管的承受反壓時(shí)間大于其固有關(guān)斷時(shí)間;
3)吸能支路壓敏電阻的開(kāi)通電壓及殘壓關(guān)系到全分?jǐn)鄷r(shí)間和吸收能量大小,提出一組RV參數(shù)有助于提高斷路器分?jǐn)嗨俣炔⒈M可能減小單次吸能。
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Parameter Design Method of Hybrid DC Vacuum Circuit Breaker
Zhou Jie, Liu Jia, Zhang Hao
(China National Accreditation Center for Conformity Assessment, Beijing 100062, China;Wuhan Institute of Marine Electric Propulsion, Wuhan 430064, China)
TM561
A
1003-4862(2021)10-0033-05
2021-06-10
周婕(1982-),女,碩士。研究方向:電氣安全、電磁兼容,實(shí)驗(yàn)室及檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)認(rèn)可。E-mail: zhouj@cnas.org.cn
劉佳(1983-),男,碩士。研究方向:電氣安全、電磁兼容,實(shí)驗(yàn)室及檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)認(rèn)可。E-mail: liujia@cnas.org.cn