陳春鈺,門麗娟,居殿春,郭 雷,姚富升,張 琪,俞鴻宇
(江蘇科技大學(xué)張家港校區(qū)冶金與材料工程學(xué)院,江蘇張家港215600)
現(xiàn)代工業(yè)采用的冷卻水中隨著水分的不斷蒸發(fā)、濃縮,水中存在的Ca2+、Mg2+、CO32-、SO42-、SiO32-等無機(jī)離子濃度逐漸增大,會出現(xiàn)無機(jī)物結(jié)垢、金屬腐蝕及由此衍生的微生物滋生等問題[1-3],使得冷卻水的傳熱效率大大降低,設(shè)備正常的熱交換受到阻礙,嚴(yán)重威脅生產(chǎn)安全,影響企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益[4-6]。阻垢劑能夠減緩和抑制水垢產(chǎn)生與生長,在循環(huán)冷卻水處理中,含磷類聚合物阻垢劑是較為常用的阻垢劑,但極易水解[7-8]。若濫用含磷阻垢劑,會引起藍(lán)藻爆發(fā)、赤潮等環(huán)境問題[9-10]。因此,人們開發(fā)出一些新型有機(jī)膦系阻垢劑來彌補(bǔ)這一缺陷。目前國內(nèi)外阻垢劑的研發(fā)、篩選仍依賴于實(shí)驗(yàn)或經(jīng)驗(yàn)外推,效率低且易造成資源、經(jīng)濟(jì)的浪費(fèi),根源在于阻垢劑的理論機(jī)理尚未弄清[11-12]。
Gill等[13]提出了“空間匹配理論”,認(rèn)為阻垢劑與成垢晶體之間的相互作用主要是庫侖力,二者功能基團(tuán)之間的空間距離越接近則藥劑的阻垢性能越好;剛性結(jié)構(gòu)的阻垢劑分子對某種特定的晶垢起作用,而柔性結(jié)構(gòu)的分子可對多種晶垢起作用。Shi等[14-15]運(yùn)用該理論對阻垢劑的作用機(jī)理作了進(jìn)一步研究,取得了一定的成果,并根據(jù)理論模型設(shè)計(jì)出了具備優(yōu)良阻垢性能的冠醚類藥劑。Marine等[16]采用MC模擬研究硅酸鹽聚合早期的變量和擴(kuò)散系數(shù)等,并取得了相關(guān)成果。Franca等[17]用羧酸基團(tuán)取代膦酸基團(tuán),并比較膦酸基團(tuán)的減少對阻垢的影響,也提出抑制能力取決于結(jié)構(gòu)的不同及其他陽離子的存在,這些變化會改變阻垢劑的化學(xué)環(huán)境和配位強(qiáng)度。
雖然前人已經(jīng)對評定阻垢性能及阻垢機(jī)理研究做了大量的工作,但目前阻垢機(jī)理研究并不完善,還存在大量問題[18-21]。本文采用周期性邊界條件下的分子動力學(xué)(MD)方法,結(jié)合晶體生長PBC理論[22],計(jì)算有機(jī)膦系與方解石(104)面4個不同階梯面之間的相互作用,對有機(jī)膦酸阻垢劑的阻垢性能及機(jī)理進(jìn)行研究,詳細(xì)闡述該類藥劑對CaCO3垢的阻垢分散機(jī)理,為新型阻垢劑開發(fā)應(yīng)用提供合理的理論依據(jù)[23-27]。
將方解石晶體的(104)面切割成4種不同的階梯面,預(yù)先設(shè)定模擬條件后,運(yùn)用分子動力學(xué)方法(MD)研究含N的亞甲基膦酸分子與方解石(104)4個不同階梯面的相互作用,即有機(jī)膦酸分子在(104)面的4個階梯面上的吸附情況,然后根據(jù)吸附情況從中選取5種亞甲基膦酸分子作為研究對象,分別為氨基亞甲基膦酸(AMP)、氨基二亞甲基膦酸(NDP)、氨基三亞甲基膦酸(ATMP),乙二胺四亞甲基膦酸(EDTMP)和己二胺四亞甲基膦酸(HDTMP)。由于研究的冷卻水系統(tǒng)中的水為堿性水質(zhì),水溫為70~77℃,故將有機(jī)膦酸分子中的膦酸基團(tuán)去質(zhì)子化為PO32-,5種有機(jī)膦酸分子的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
圖1 5種有機(jī)膦酸化合物的去質(zhì)子化幾何構(gòu)型Fig.1 Deprotonation geometry of five organic phosphonic acid compounds
采用Materials Studio 6.0版本中的Morphology模塊對方解石晶體的生長習(xí)性進(jìn)行模擬,選用COMPASS力場及NVT系統(tǒng),溫度設(shè)定為77℃[28]。無機(jī)鹽的表面附著能是在晶體表面加上一層生長晶面所釋放的能量,表面附著能越小,則意味著該晶面越穩(wěn)定、生長速率越慢,晶體生長受到此晶面的控制就越大[29]。用Growth Morphology法假定晶體的表面附著能與晶面的生長速率成比例,預(yù)測或者根據(jù)前人研究輸入一組合適的晶面(hkl),計(jì)算每個晶面的表面附著能。經(jīng)模擬計(jì)算,得到的方解石主要生長面的表面附著能數(shù)據(jù)見表1。
表1 方解石主要生長面的表面附著能Table 1 Surface adhesion energy of the main growth surface of calcite kJ/mol
由表1看出,方解石(104)晶面的表面附著能Eatt(Total)最小,僅為-1 552.95 kJ/mol,所以方解石(104)晶面生長最為緩慢,方解石晶體的生長主要受到(104)面控制。方解石(104)生長面的側(cè)視圖見圖2。
圖2 方解石(104)面?zhèn)纫晥DFig.2 Side view of calcite(104)
由圖2也可以看出,方解石晶體的(104)面是電中性面,每層晶面都是由一個Ca2+和一個CO32-交替排列而成,相對其他面最為穩(wěn)定整齊[30],說明(104)面是方解石最終能夠穩(wěn)定存在的生長面,因此其生長速度相較于其他晶面更為緩慢。
本研究采用Materials Studio 6.0版本中的Discover模塊進(jìn)行分子動力學(xué)模擬,已知方解石晶體最主要的生長面是(104)面,并且Ca2+與CO32-交替排列[31-33]。根據(jù)晶體PBC理論,將方解石晶體(104)面切割成如圖3所示的階梯面。
圖3 方解石(104)面的階梯面?zhèn)纫晥DFig.3 Stepped lateral view of calcite(104)face
根據(jù)Ca-Ca面、CO3-Ca面、Ca-CO3面以及CO3-CO3面4個階梯面所構(gòu)建的模擬超晶胞真空盒尺寸為:3.228 nm×1.996 nm×3.370 nm,α=β=γ=90.0°。Ca-Ca面真空箱內(nèi)一共有660個原子(Ca:148,C:128,O:384);Ca-CO3面真空箱內(nèi)一共有640個原子(Ca:128,C:128,O:384);CO3-CO3面真空箱內(nèi)一共 有620個 原 子(Ca:108,C:128,O:384);CO3-Ca面 真 空 箱 也 存 在640個 原 子(Ca:128,C:128,O:384)。將模擬盒子的真空層厚度均設(shè)置為2.0 nm,把有機(jī)膦酸分子分別放置在這4個階梯面上得到超分子模擬體系。在超分子模擬體系最優(yōu)化的基礎(chǔ)上,模擬200.0 ps后再優(yōu)化1 000步,得到最終模擬結(jié)果。由上述模擬過程以EDTMP為例,給出了模擬計(jì)算前有機(jī)膦酸分子在真空盒內(nèi)的初始位置圖見(圖4)。
圖4 EDTMP與方解石(104)面4個階梯面模擬前的側(cè)視圖Fig.4 Side view before simulating the four stepped faces of HDTMP with calcite(104)
阻垢劑與各階梯面之間的相互作用能ΔE可以用下面的公式表示[34]:
式中:ΔE為阻垢劑與晶面的相互作用能,kJ/mol;Esystem為模擬后方解石階梯面與有機(jī)膦系化合物組成的超分子體系的總能,kJ/mol;Einhibitor為模擬計(jì)算后有機(jī)膦系化合物單點(diǎn)能,kJ/mol;Esurface為模擬后晶面的能量,kJ/mol。
阻垢劑與晶面間的相互作用能主要為靜電作用、范德華力作用和極少的氫鍵作用能。為了總體評價(jià)有機(jī)膦酸阻垢劑的阻垢能力,用修正結(jié)合能Ecor.來衡量有機(jī)膦與方解石晶體相互作用的強(qiáng)弱,將方解石(104)面的4個階梯面綜合一起考慮。
式中:Ecor.為 最終總的修正結(jié)合能,kJ/mol;Ei為某一種阻垢劑分子與方解石階梯面i的結(jié)合能,kJ/mol;Ci為權(quán)重系數(shù)(0≤Ci≤1,∑Ci=1),即阻垢劑分子與階梯面i的結(jié)合能占體系總結(jié)合能的比例。
先將整個系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化,即將AMP、NDP、ATMP、EDTMP、HDTMP等有機(jī)膦酸分子與方解石(104)面的4個不同階梯面的超分子體系最優(yōu)化,在此基礎(chǔ)上再進(jìn)行分子動力學(xué)模擬計(jì)算200.0 ps,在得到最終模擬結(jié)果之前,還需要進(jìn)一步進(jìn)行優(yōu)化1 000步。為了比較5種阻垢劑與4個階梯面相互作用的強(qiáng)弱,計(jì)算列出相互作用體系的數(shù)據(jù),各個有機(jī)膦酸分子與階梯面的總結(jié)合能與修正結(jié)合能見表2。
表2 5種有機(jī)膦酸分子與4個階梯面的結(jié)合能Table 2 Binding energy of five organic phosphonic acid molecules with four stepped surfaces kJ/mol
根據(jù)表2數(shù)據(jù),比較各分子在4個階梯面的結(jié)合能△E,發(fā)現(xiàn)AMP、NDP與4個階梯面的結(jié)合能均小于1 087 kJ/mol,與其他3種分子相比較小。表明AMP與NDP的阻垢能力較弱,這是由于這2個分子中膦酸基團(tuán)個數(shù)較少。由ATMP與4個階梯面的結(jié)合能數(shù)據(jù)來看,推測其與階梯面的吸附程度比AMP、NDP要大,其結(jié)合能由大到小依次為CO3-Ca、Ca-CO3、Ca-Ca、CO3-CO3,說明ATMP與CO3-Ca面結(jié)合得最為緊密。進(jìn)一步比較EDTMP、HDTMP與4個階梯面的結(jié)合能數(shù)據(jù),相對于CO3-CO3面和CO3-Ca面的結(jié)合能而言,這2種分子與Ca-Ca面和Ca-CO3面的結(jié)合能都比較小并且比較接近,兩個面的結(jié)合能相差不到125 kJ/mol;而與CO3-CO3面和CO3-Ca面的結(jié)合能較大,且都達(dá)到了2 926 kJ/mol以上,尤其是HTPMP與CO3-CO3面的吸附最強(qiáng),結(jié)合能達(dá)到3 568.5 kJ/mol。
比較5種有機(jī)膦酸分子與(104)面總的修正結(jié)合能Ebind,cor.,AMP與NDP的修正結(jié)合能較小,均小于1 045 kJ/mol;EDTMP與HDTMP的 修 正 結(jié) 合 能較大,均大于2 090 kJ/mol。由此得到各分子吸附在(104)面上總Ebind,cor.由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镠DTMP、EDTMP、ATMP、NDP、AMP。
這一結(jié)果也表明,阻垢效果隨著阻垢劑中膦酸基團(tuán)個數(shù)的增加而增強(qiáng),阻垢劑中膦酸基團(tuán)個數(shù)要達(dá)到3個及以上時(shí)阻垢效果才會比較明顯;若阻垢劑中含有2個氮原子,阻垢效果隨著2個氮原子間的碳鏈骨架的增長而增強(qiáng),較長的碳鏈骨架會減小分子間的空間位置,使阻垢劑分子更容易形變,阻垢劑與晶面間的吸附也會更加緊密。
選擇阻垢性能最優(yōu)的HDTMP為例,圖5給出了HDTMP分別與Ca-Ca面、Ca-CO3面、CO3-CO3面和CO3-Ca面上的相互作用結(jié)果圖,進(jìn)一步探討有機(jī)膦酸分子在4種不同階梯晶面上的吸附情況。
圖5 HDTMP在方解石(104)4個階梯面的吸附側(cè)視圖Fig.5 HDTMP adsorbs side view on four steps of calcite(104)
由晶體生長PBC理論可知,晶面的階梯拐角位置與拐角點(diǎn)是晶體的活性生長點(diǎn),也就是說晶體會優(yōu)先從這2個位置開始生長[35-36]。圖5中明顯可見,HDTMP吸附在Ca-Ca面與Ca-CO3面的階梯拐角位置;然而對于CO3-CO3面,HDTMP吸附在右邊的晶體拐角點(diǎn);對于CO3-Ca面,HDTMP吸附在左邊的晶體拐角點(diǎn)。雖然吸附位置不同,但是都吸附在階梯拐角位置或者終端拐角點(diǎn),是晶體優(yōu)先生長點(diǎn),說明阻垢劑分子占據(jù)晶體生長位置,從而抑制晶體生長。
觀察HDTMP在Ca-Ca面上的吸附,只有一個膦酸基團(tuán)吸附靠近階梯拐角位置,其他膦酸基團(tuán)都因整個分子豎立而遠(yuǎn)離晶面,因此HDTMP與Ca-Ca面間的相互作用力必定較小,HDTMP在Ca-Ca面上的吸附結(jié)合能也說明這一點(diǎn);對于HDTMP在Ca-CO3面的吸附情況,由于HDTMP含有6個亞甲基,碳鏈骨架明顯地彎曲成拱橋形狀,其中一端的膦酸基團(tuán)依然吸附在階梯拐角位置,另一端的膦酸基團(tuán)也能與晶面吸附得較為緊密,再加上氫鍵作用,所以HDTMP的阻垢效果最強(qiáng);HDTMP分別吸附在CO3-CO3面的右邊終端拐角點(diǎn),CO3-Ca面的左邊終端拐角點(diǎn),在Ca-O離子鍵與氫鍵的作用下,吸附得較為緊密,并且在如此強(qiáng)的相互作用力下HDTMP發(fā)生了不同程度的變形。結(jié)合HDTMP與階梯面的結(jié)合能數(shù)據(jù),4個階梯面吸附由強(qiáng)到弱順序?yàn)镃O3-CO3、CO3-Ca、Ca-CO3、Ca-Ca,與模擬結(jié)果相一致。
采用模擬軟件(Materials Studio),結(jié)合晶體生長PBC理論,并采用分子動力學(xué)方法(MD)系統(tǒng)地研究了常用的5種有機(jī)膦阻垢劑對方解石(104)面4個不同階梯面的阻垢機(jī)理,得到下述主要結(jié)論:1)模擬結(jié)果圖以及結(jié)合能數(shù)據(jù)表明,方解石(104)階梯面的正常生長過程遭到破壞,阻垢劑極大程度上阻礙了晶面的生長。阻垢劑抑制方解石晶面生長的能力由大到小順序?yàn)镠DTMP、EDTMP、ATMP、NDP、AMP;2)根據(jù)分子動力學(xué)的模擬結(jié)果與結(jié)合能數(shù)據(jù),以阻垢劑分子吸附在Ca-CO3面為例,探討阻垢劑分子與4種階梯面之間的相互作用。以HDTMP在4種階梯面上的吸附為例,進(jìn)一步探討不同階梯面對阻垢效果的影響。結(jié)果表明,終端拐角位置與階梯拐點(diǎn)位置均是階梯面的活性生長位置,HDTMP均吸附在這2個位置,且穩(wěn)定性越強(qiáng)吸附能力越弱。