普冉股份(688766) 申購(gòu)代碼787766 申購(gòu)日期8.10

發(fā)行概覽：公司決定申請(qǐng)首次公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)905.7180萬(wàn)股人民幣普通股（A股）。本次首次公開(kāi)發(fā)行股票所募集的資金扣除發(fā)行費(fèi)用后，將投資于以下項(xiàng)目，具體情況如下：閃存芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、EEPROM芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。

基本面介紹：公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)是非易失性存儲(chǔ)器芯片的設(shè)計(jì)與銷售，目前主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲(chǔ)器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、家電、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。例如，根據(jù)存儲(chǔ)需求的不同，公司的NOR Flash產(chǎn)品應(yīng)用于低功耗藍(lán)牙模塊、TWS耳機(jī)、手機(jī)觸控和指紋、TDDI（觸屏）、AMOLED（有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板）、可穿戴設(shè)備、車(chē)載導(dǎo)航和安全芯片等領(lǐng)域，公司的EEPROM產(chǎn)品應(yīng)用于手機(jī)攝像頭模組（含3-D）、智能儀表、網(wǎng)絡(luò)通信、家電等領(lǐng)域。

核心競(jìng)爭(zhēng)力：公司自創(chuàng)立以來(lái)，專注于存儲(chǔ)器芯片的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新。以技術(shù)創(chuàng)新為基礎(chǔ)，公司通過(guò)持續(xù)的創(chuàng)新研發(fā)和技術(shù)積累，現(xiàn)已形成具備完整的核心技術(shù)和產(chǎn)品體系。NOR Flash方面，公司創(chuàng)新性地將電荷俘獲技術(shù)的SONOS工藝應(yīng)用在NOR Flash的研發(fā)設(shè)計(jì)中，并與晶圓廠聯(lián)合開(kāi)發(fā)和優(yōu)化55nm NOR Flash工藝制程的NOR Flash芯片，使得公司的NOR Flash芯片具備了寬電壓、超低功耗、快速擦除和高性價(jià)比等特點(diǎn)以及領(lǐng)先的成本優(yōu)勢(shì)。隨著公司和下游客戶之間業(yè)務(wù)的不斷開(kāi)展，公司NOR Flash產(chǎn)品的功耗、穩(wěn)定性和兼容性得到了國(guó)內(nèi)外客戶的認(rèn)可，出貨量逐年增長(zhǎng)，公司已經(jīng)逐漸成為了NOR Flash市場(chǎng)中重要的供應(yīng)商之一。

公司已推出的產(chǎn)品體系覆蓋了EEPROM和NOR Flash，均具備優(yōu)異的產(chǎn)品性能和較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。首先，公司的存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品容量覆蓋2Kbit-128Mbit、支持寬電壓操作，可滿足不同場(chǎng)景下的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求和完整解決方案，例如手機(jī)攝像模組中的2D和3D應(yīng)用場(chǎng)景;其次，公司提供超小型封裝方案，包括1.5mm*1.5mmUSON封裝和最小0.575mm*0.575mm的WLCSP封裝，滿足下游客戶對(duì)存儲(chǔ)器芯片的小型化需求;最后，公司提供合封和外掛的兩種選擇方案，適用不同的客戶場(chǎng)景需求。

募投項(xiàng)目匹配性：本次募集資金將投向于閃存芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、EEPROM芯片升級(jí)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。其中，閃存芯片的升級(jí)研發(fā)是完善公司在閃存芯片產(chǎn)品布局的必然選擇;EEPROM芯片的更新?lián)Q代將有利于鞏固公司在細(xì)分領(lǐng)域的領(lǐng)先地位;總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目是解決公司實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地和辦公場(chǎng)地不足問(wèn)題的必然舉措，有助于公司在現(xiàn)有技術(shù)儲(chǔ)備的基礎(chǔ)上突破原有存儲(chǔ)器芯片性能并持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化。

風(fēng)險(xiǎn)因素：技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)、經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)、內(nèi)控風(fēng)險(xiǎn)、財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)、法律風(fēng)險(xiǎn)、募集資金投資項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)、發(fā)行失敗風(fēng)險(xiǎn)。

（數(shù)據(jù)截至8月6日）