西瓜“溝式栽培”利弊分析及改進(jìn)措施

羅鴻 楊卓 呂彩艷 馬冬妮

西瓜的根系屬直根系。其初生根少，木質(zhì)化程度高，再生能力弱，且不耐澇，因而對(duì)土壤的通透性要求較高，在生產(chǎn)上多以“壟式栽培”為主。近年來，扶風(fēng)縣召公鎮(zhèn)的瓜農(nóng)們克服當(dāng)?shù)厮Y源匱乏的困境，成功開創(chuàng)了露地西瓜“溝式栽培” 的模式，取得了較好的經(jīng)濟(jì)效益，打破了當(dāng)?shù)亍皼]水不種瓜，種瓜錢白花”的傳統(tǒng)觀念，鄰近的鄉(xiāng)鎮(zhèn)天度、店頭（永壽）、臨平（乾縣）、蘇坊（武功）等地的瓜農(nóng)們也多仿效，有力帶動(dòng)了干旱半干旱地區(qū)的西瓜生產(chǎn)。筆者經(jīng)長(zhǎng)期的田間調(diào)研發(fā)現(xiàn)，西瓜“溝式栽培”相對(duì)于傳統(tǒng)“壟式栽培”具有抗倒春寒、節(jié)約水資源、易于田間管理等優(yōu)點(diǎn)，但在生產(chǎn)中還有亟待改進(jìn)的方面。現(xiàn)將兩種栽培模式的優(yōu)缺點(diǎn)作以簡(jiǎn)要分析，并對(duì)“溝式栽培”模式提出可行的改進(jìn)措施，以期幫助廣大瓜農(nóng)增產(chǎn)增收、促進(jìn)當(dāng)?shù)匚鞴袭a(chǎn)業(yè)升級(jí)。

1? ?西瓜“壟式栽培”模式優(yōu)缺點(diǎn)

1.1? ?“壟式栽培”優(yōu)點(diǎn)

1）土層疏松，利于西瓜根系生長(zhǎng)。壟式栽培一般是在精細(xì)整地的基礎(chǔ)上，由人工起壟或機(jī)械刨壟而成，種植壟在地膜覆蓋下降雨、灌溉水不能直接進(jìn)入，因而壟間土壤疏松、通透性良好，利于西瓜根系正常生長(zhǎng)。

2）地溫回升快，利于定植后幼苗根系的生長(zhǎng)。“壟式栽培”因壟面高于地面，能充分接受太陽輻射熱量，相比于“溝式栽培”，其種植帶內(nèi)的地溫回升較快，利于定植后的西瓜幼苗生發(fā)新根，因而緩苗時(shí)間短。

3）地膜與土層接觸緊密，抑制雜草效果好。一方面，相對(duì)密閉的膜下空間阻隔了雜草萌發(fā)時(shí)氧氣的供應(yīng)量;另一方面，膜下地表的高溫環(huán)境（41～48 ℃）也不利于雜草種子發(fā)芽，進(jìn)入高溫季節(jié)（氣溫>35 ℃時(shí)）后膜下表土溫度更高，達(dá)50 ℃以上，能直接灼傷雜草生長(zhǎng)點(diǎn)及葉片，抑制其生長(zhǎng)。

4）雨水不易富集到根部，不會(huì)發(fā)生漚根、死苗現(xiàn)象。因壟式栽培是凸形畦面，降雨或灌溉水只在壟外行間富集，不會(huì)使瓜根際的土壤水分過大而影響其通透性，可有效避免漚根、死苗情況的發(fā)生。

1.2? ?“壟式栽培”缺點(diǎn)? ?“壟式栽培”需人工開挖定植穴，費(fèi)工費(fèi)時(shí)。瓜苗定植于畦面頂部，定植穴蓄水有限，不耐干旱;瓜苗處于露天環(huán)境，遇太陽暴曬易失水萎蔫，遇寒潮低溫易受冷害，導(dǎo)致瓜苗生長(zhǎng)緩慢。灌溉時(shí)需大水漫灌，浪費(fèi)水資源，田間土壤板結(jié)嚴(yán)重。只能采取行間灌溉，田間濕度大易造成行間雜草叢生。高濕高溫環(huán)境極易誘發(fā)病害（葉枯病、蔓枯病、細(xì)菌性果斑病、炭疽病等）。對(duì)水源條件要求高，不適宜在干旱半干旱地區(qū)應(yīng)用。

2? ?西瓜“溝式栽培”模式優(yōu)缺點(diǎn)

采用機(jī)械刨壟（刨壟法）或機(jī)械開溝（開溝法），形成“兩壟夾一溝”的種植溝（一般兩壟頂部寬度40 cm，溝底部寬度10 cm，壟高30 cm），將肥料撒施于定植溝內(nèi)耙勻，然后泵水漫灌種植溝。溝內(nèi)水滿關(guān)泵，待水分下滲后開始栽苗。栽植瓜苗時(shí)，小心捏住瓜苗根莖部將營(yíng)養(yǎng)缽?fù)燎蛑苯影慈胂∧嘀?，以土球沒入泥中1 cm為準(zhǔn)。最后，覆蓋地膜，培土壓膜，并在膜上摳直徑3～5 cm的通風(fēng)孔，1苗1孔。瓜苗定植5～7天后，放苗出膜，后期田間管理與“壟式栽培”無異。見圖1。

2.1? ?“溝式栽培”優(yōu)點(diǎn)

1）相比于“壟式栽培”施肥于1 m寬的種植帶內(nèi)、然后旋耕刨壟的方式，“溝式栽培”具有肥料集中、肥效持久、利用率高的優(yōu)勢(shì)。

2）泥中植苗，全程不用人工挖穴、培土定植，省工高效。

3）“以膜為棚”，保溫保濕，能保證瓜苗正常生長(zhǎng)。瓜苗定植完畢即進(jìn)行人工覆膜。覆膜后不放苗出膜，在膜上摳直徑3～5 cm的通風(fēng)孔，5～7天后選晴天午后放苗出膜。利用膜下保溫保濕功能促進(jìn)瓜苗平穩(wěn)緩苗、快速生長(zhǎng)，并可有效抵御不利氣候（倒春寒、晚霜凍）的影響。

4）土壤蓄水量充足，利于瓜苗伸蔓期生長(zhǎng)。西瓜定植20天后即進(jìn)入伸蔓期，這是西瓜一生中生長(zhǎng)最快階段，也是光呼吸最旺、蒸騰作用最強(qiáng)、水分需求最緊迫階段。“溝式栽培”模式下，土壤蓄水量充足，能夠很好地滿足此期的水分要求，利于瓜蔓營(yíng)養(yǎng)面積的快速形成。

5）可“膜上走水”，節(jié)水抗旱，適合干旱半干旱地區(qū)推廣。西瓜膨大階段是產(chǎn)量形成期，對(duì)于水資源匱乏地區(qū)，此時(shí)若遇高溫干旱天氣將導(dǎo)致嚴(yán)重減產(chǎn)。利用“溝式栽培”模式可進(jìn)行“膜上走水”，即以微型泵抽水或人工拉水注入溝膜上自行流淌，水分在流動(dòng)過程中從西瓜定植孔或放風(fēng)孔處下滲至根部土壤，達(dá)到節(jié)水高效、抗旱增產(chǎn)之目的。因此，該模式在旱塬地區(qū)具有良好的表現(xiàn)（見圖2）。

6）田間濕度較低，不利于病害傳播。由于“膜上走水”只在種植溝間灌溉，種植行一般不澆水，能顯著降低大田濕度，利于減輕西瓜中后期階段的病害發(fā)生。

2.2? ?“溝式栽培”缺點(diǎn)

1）種植帶呈凹形，溝內(nèi)接受陽光輻射熱量有限，土壤升溫較慢，不利于新生根系的形成，故瓜苗定植后其緩苗時(shí)間較長(zhǎng)。

2）種植溝內(nèi)土壤含水量較高、通透性差，瓜苗前期生長(zhǎng)較慢。

3）氣溫驟升時(shí)，若通風(fēng)孔過小或位置不當(dāng)，易導(dǎo)致熱害或高溫“燒苗”。

4）遇降雨時(shí)，膜上易積水壓傷瓜苗，或雨水從定植孔滲入根部，增大土壤含水量，導(dǎo)致漚根、死苗現(xiàn)象。

5）定植溝內(nèi)易滋生雜草，縮短地膜的使用壽命。

3? ?西瓜“溝式栽培”改進(jìn)措施

3.1? ? 改進(jìn)刨壟法，拓寬溝底和壟面? ?延用刨壟法，但加大“兩壟夾一溝”的溝底寬度（﹥20 cm）、壟頂寬度（﹥60 cm以上），并采用寬幅地膜覆蓋（幅寬﹥120 cm）。淘汰開溝法。加大壟間距離、采用寬膜覆蓋，既可提高對(duì)太陽光輻射熱的利用率、減少地表水分蒸發(fā)，又可降低膜上積水的隱患。開溝法的溝式栽培畦面窄小，蓄積光溫資源有限，且易形成膜上積水，反倒不利于瓜苗生長(zhǎng)。

3.2? ?將瓜苗緊靠在瓜蔓爬向側(cè)的壟邊（即溝的半坡）栽植，不要栽在溝正中（見圖3）? ?這樣，即便膜上雨水灌入瓜秧根部，深入壟下的根系仍能維持瓜秧的正常生長(zhǎng)，避免漚根死苗。

3.3? ?覆蓋地膜松緊適度? ?膜面過松，易造成膜面積水或灼傷葉片;過緊，會(huì)給后期放苗培土工作帶來不利影響，一般以膜面高于瓜苗3～5 cm為度。

3.4? ?覆膜后在相鄰兩個(gè)瓜苗的中間位置開通氣孔? ?若在瓜苗的正上方開留通風(fēng)孔，極易造成膜下熱氣逸出時(shí)灼傷瓜苗。

3.5? ?放苗開口要大，以確保膜面不接觸瓜苗根莖? ?防止膜下水汽燙傷瓜莖誘發(fā)潰瘍病? 同時(shí)，用虛土圍嚴(yán)瓜根、壓實(shí)放苗口和通風(fēng)孔，一防膜下熱氣灼傷瓜葉，二防膜下雜草叢生。兩瓜苗間的通風(fēng)孔實(shí)際是水分下滲孔，所以土堆不宜過大，以免影響前期“膜上積水”下滲、后期“膜上走水”受阻。

3.6? ?整蔓上壟，不跨溝? ?瓜秧伸蔓期整蔓時(shí)要培土，把瓜秧倒向緊靠的一側(cè)壟上向前生長(zhǎng)，瓜蔓不能跨溝生長(zhǎng)，以免給后期田間作業(yè)、膜上灌溉等帶來不便。見圖4。

4? ?西瓜“溝式栽培”改進(jìn)后效果

自2018年以來，筆者先后在召公鎮(zhèn)的聚糧村、新莊村、召公村、作里村等10余個(gè)村大力推廣“兩壟夾一溝”的改良栽培模式，有效解決了“開溝法”溝式栽培存在的積水壓苗、遇雨死苗、緩苗周期長(zhǎng)的弊端;積極倡導(dǎo)“膜上走水”的灌溉方式，達(dá)到了節(jié)水、高效的生產(chǎn)目的。目前，新“溝式栽培”模式已經(jīng)得到了當(dāng)?shù)毓限r(nóng)的認(rèn)可，栽培面積逐年擴(kuò)大。據(jù)召公鎮(zhèn)農(nóng)技站統(tǒng)計(jì)，2019年召公鎮(zhèn)西瓜種植面積達(dá)600 hm2，其中采用“新溝式栽培”面積約100 hm2，占總面積16.7%;2020年全鎮(zhèn)西瓜面積450 hm2，“新溝式栽培”面積約200 hm2，占總面積44.4%。

（參考文獻(xiàn)略）