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    燒結(jié)保溫時間對40Mo?ZrO2和40Mo?8YSZ金屬陶瓷導(dǎo)電性能的影響①

    2021-05-16 14:32:56李建朝齊素慈
    礦冶工程 2021年2期
    關(guān)鍵詞:金屬陶瓷氧化鋯導(dǎo)電

    李建朝,齊素慈,唐 磊

    (1.河北工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 材料工程系,河北 石家莊050091;2.上海大學(xué) 省部共建高品質(zhì)特殊鋼冶金與制備國家重點實驗室,上海200072)

    金屬陶瓷兼有金屬和陶瓷的優(yōu)點,越來越受到廣泛重視[1-2]。Mo-ZrO2金屬陶瓷具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異的高溫力學(xué)性能和高溫導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能,在高溫電極材料和耐火材料等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用[3-5]。目前針對Mo-ZrO2金屬陶瓷主要研究其力學(xué)性能及其高溫耐腐蝕性能,對其高溫導(dǎo)電性能的研究較少。目前主要采用粉末冶金法制備Mo-ZrO2金屬陶瓷,燒結(jié)溫度一般高于1 600℃[6-7]。本課題組前期通過粉末冶金方法制備了Mo-ZrO2金屬陶瓷電極材料,采用直流四電極法研究了金屬含量和溫度對電導(dǎo)率的影響[8],并通用有效介質(zhì)(GEM)模型分析了組分、溫度和孔隙率對金屬陶瓷電導(dǎo)率的影響[9]。本文通過改變燒結(jié)工藝制備出Mo-ZrO2金屬陶瓷,研究燒結(jié)工藝對40Mo-ZrO2和40Mo-8YSZ金屬陶瓷導(dǎo)電性能的影響。

    1 實驗材料與方法

    實驗原料主要包括:分析純ZrO2粉,d50為4.08μm;純度大于99%的金屬Mo粉,d50為14.89μm;穩(wěn)定性氧化釔鋯粉(8YSZ,摩爾分?jǐn)?shù)8%Y2O3+ZrO2粉末),d50為1.02μm;聚乙烯醇粉末和酒精純度均不低于99.0%。

    按表1原料配比稱取Mo粉、ZrO2粉和穩(wěn)定性氧化釔鋯粉,將混合均勻的粉體裝入聚四氟乙烯球磨罐,在QF-1SP型行星式球磨機中加入無水酒精濕磨6 h,球料比6∶1,轉(zhuǎn)速500 r/min。混合漿料經(jīng)干燥后,添加聚乙烯醇進行研磨造粒,粒度范圍為0.15~0.25 mm。在769YP-15A型壓片機上單向壓制成直徑10 mm、高15 mm的圓柱形坯體樣品,成型壓力800 MPa。按照表1的燒結(jié)工藝參數(shù),在管式燒結(jié)爐中燒結(jié)制備金屬陶瓷試樣,燒結(jié)溫度1 600℃[9],燒結(jié)氣氛為常壓氬氣,其中在1 000℃時保溫1 h,以減弱氧化鋯由單斜相向四方相的晶型轉(zhuǎn)變和體積突變對試樣結(jié)構(gòu)和性能的影響。

    表1 試樣成分及燒結(jié)工藝參數(shù)

    采用X射線衍射儀(D/MAX-3C)對燒結(jié)試樣進行相分析。采用AccuPyc1340Ⅱ測量燒結(jié)試樣的孔隙率。采用Hitachi S-570掃描電鏡對直接掰開的金屬陶瓷樣品斷面進行形貌觀察,斷面需噴金處理,以增加其導(dǎo)電性。采用直流四電極法測試金屬陶瓷試樣的高溫電導(dǎo)率[10]。采用雙鉑銠熱電偶在待測試樣的位置處測試爐內(nèi)實際溫度。常壓氬氣氣氛下,采用電化學(xué)工作站(HCP-803,Princeton Applied Research,USA)提供穩(wěn)定電流、數(shù)據(jù)記錄儀(E-Corder401,eDAQ Pty Ltd,Australia)記錄電壓。在600~1 600℃溫度范圍內(nèi)每隔25℃進行測量記錄。通過歐姆定律計算出每個溫度點試樣的電導(dǎo)率,每組試樣重復(fù)測試3次,取其平均值。

    2 實驗結(jié)果及討論

    2.1 金屬陶瓷XRD分析

    金屬陶瓷試樣的物相分析結(jié)果如圖1所示。圖譜中僅存在Mo和ZrO2兩相的衍射峰,沒有新物相產(chǎn)生,說明在1 600℃燒結(jié)時Mo與ZrO2沒有發(fā)生反應(yīng)生成新物相,與熱力學(xué)計算結(jié)果相符,且本實驗中的氣氛保護能夠滿足Mo金屬相對燒結(jié)氣氛的要求。在A組試樣中,氧化鋯主要是單斜相氧化鋯(m-ZrO2),只有少量的四方相氧化鋯(t-ZrO2);在B組試樣中,組分中出現(xiàn)四方相氧化鋯(t-ZrO2),說明Y2O3的加入形成了穩(wěn)定氧化鋯晶型。

    圖1 金屬陶瓷試樣的XRD圖譜

    2.2 金屬陶瓷試樣孔隙率

    燒結(jié)保溫時間對金屬陶瓷孔隙率的影響如圖2所示。由圖2可知,2組試樣的孔隙率隨著保溫時間延長而下降。延長燒結(jié)保溫時間,有利于粉末顆粒長大,燒結(jié)體顆粒間黏結(jié)面擴大,形成明顯的燒結(jié)頸并進一步擴展,隨著燒結(jié)頸長大,粉末顆粒間的連接強度增強,使得閉孔隙球化明顯;同時,燒結(jié)體收縮,導(dǎo)致試樣致密度增加,氣孔數(shù)量減少,燒結(jié)體孔隙率下降[11]。

    圖2 燒結(jié)保溫時間對金屬陶瓷試樣孔隙率的影響

    2.3 金屬陶瓷微觀結(jié)構(gòu)

    圖3 為金屬陶瓷試樣的SEM斷面形貌。從圖3可以看出,A組試樣顆粒大小比較均勻,尺寸大約為2μm左右,這是由于金屬Mo對ZrO2晶粒的長大起抑制作用,斷面孔洞較少,試樣比較致密?;w顆粒的平均直徑與保溫時間密切相關(guān),隨著燒結(jié)時間延長,顆粒間黏結(jié)面逐漸擴大,出現(xiàn)明顯燒結(jié)頸,顆粒尺寸有所增加,出現(xiàn)片狀集聚現(xiàn)象,空洞數(shù)量有所減少,燒結(jié)體孔隙率有所下降。B組試樣斷口形貌中出現(xiàn)明顯燒結(jié)片狀集聚現(xiàn)象,顆粒的尺寸有所增加;延長燒結(jié)時間,顆粒間片狀集聚現(xiàn)象更加明顯,這是由于顆粒內(nèi)原子擴散能力提高,顆粒間黏結(jié)面擴大,顆粒間連接強度增加,顆粒間氣孔匯聚,形成較大體積的孔洞,燒結(jié)體內(nèi)孔洞數(shù)量減少,導(dǎo)致試樣孔隙率下降。

    圖3 金屬陶瓷試樣斷口的SEM形貌

    2.4 金屬陶瓷高溫電導(dǎo)率

    圖4 40Mo?ZrO2試樣電導(dǎo)率隨溫度變化曲線

    圖5 40Mo?8YSZ試樣電導(dǎo)率隨溫度變化曲線

    金屬陶瓷高溫電導(dǎo)率隨溫度變化的曲線如圖4和圖5所示。相同組分條件下,改變燒結(jié)保溫時間,電導(dǎo)率隨溫度的變化規(guī)律基本一致;隨著燒結(jié)保溫時間延長,金屬陶瓷試樣電導(dǎo)率有所增加。A組試樣電導(dǎo)率隨溫度變化規(guī)律復(fù)雜,其電導(dǎo)率分別在850℃和1 200℃附近出現(xiàn)峰值,電導(dǎo)率在1 300~1 600℃間隨溫度升高而升高,且1 600℃時電導(dǎo)率與600℃時電導(dǎo)率較為接近;電導(dǎo)率對數(shù)與溫度倒數(shù)之間的關(guān)系也呈現(xiàn)出復(fù)雜變化關(guān)系,表明金屬陶瓷電導(dǎo)率呈現(xiàn)金屬相與陶瓷相的金屬電子導(dǎo)電和陶瓷離子導(dǎo)電的混合導(dǎo)電機制[12]。

    金屬陶瓷的體積由3部分構(gòu)成:陶瓷相體積、金屬導(dǎo)電相體積和空隙體積。在Mo-ZrO2金屬陶瓷中,Mo金屬相和ZrO2陶瓷相兩者的電導(dǎo)率隨溫度的變化完全相反。Mo金屬相的電導(dǎo)率隨著溫度升高而降低。ZrO2陶瓷相電導(dǎo)率隨著溫度升高而呈現(xiàn)升高的趨勢,在一定溫度范圍內(nèi),其電導(dǎo)率近似與溫度成正比,但ZrO2陶瓷相中一般存在單斜、四方與立方相的ZrO2晶型,不同ZrO2晶型的電導(dǎo)率隨溫度的變化不同,導(dǎo)致ZrO2陶瓷相電導(dǎo)率隨著溫度呈現(xiàn)較為復(fù)雜的規(guī)律。一般而言,隨著試樣孔隙率增加,金屬陶瓷電導(dǎo)率將下降;反之,隨著孔隙率降低金屬陶瓷電導(dǎo)率將上升[13]。因此,粉末冶金方法制備Mo-ZrO2金屬陶瓷過程中,延長燒結(jié)保溫時間有利于提高試樣燒結(jié)密度,降低孔隙率,導(dǎo)電相體積分?jǐn)?shù)將相對增加,從而提高Mo-ZrO2金屬陶瓷電導(dǎo)率。不同溫度范圍內(nèi)的電導(dǎo)活化能不同,反映不同溫度下金屬陶瓷內(nèi)晶體結(jié)構(gòu)的變化,存在不同的導(dǎo)電機理,且金屬相和陶瓷相的相對體積分?jǐn)?shù)發(fā)生變化,導(dǎo)致金屬陶瓷電導(dǎo)率與溫度的變化呈現(xiàn)復(fù)雜規(guī)律。Mo金屬相和ZrO2陶瓷相兩者的線性膨脹差別將導(dǎo)致金屬陶瓷內(nèi)部相比例發(fā)生變化,同時也會導(dǎo)致導(dǎo)電金屬相網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,兩種因素的作用導(dǎo)致金屬陶瓷試樣電導(dǎo)率在850℃附近出現(xiàn)峰值。而在1 175℃附近ZrO2由單斜晶型轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆骄?,并伴隨約5%的體積收縮,從而導(dǎo)致1 200℃附近金屬陶瓷電導(dǎo)率出現(xiàn)峰值[14-15]。

    B組試樣電導(dǎo)率總體上都是隨溫度升高而降低。這與金屬的導(dǎo)電規(guī)律基本一致,說明Mo金屬相為導(dǎo)電的主要貢獻者,金屬陶瓷的電導(dǎo)率變化主要受Mo金屬相導(dǎo)電率變化的影響[16-17]。且試樣電導(dǎo)率在1 200℃左右的劇烈變化有所緩解,這主要與添加氧化釔形成部分穩(wěn)定的氧化鋯有關(guān);形成的四方相氧化鋯將降低金屬陶瓷中陶瓷相的體積分?jǐn)?shù),導(dǎo)電相的體積分?jǐn)?shù)相對增加,導(dǎo)致金屬陶瓷的電導(dǎo)率主要受金屬相電子導(dǎo)電機制影響。

    3 結(jié) 論

    1)40Mo-ZrO2金屬陶瓷試樣中,氧化鋯主要是單斜相氧化鋯(m-ZrO2);40Mo-8YSZ金屬陶瓷試樣中,Y2O3的加入形成了較為穩(wěn)定的四方相氧化鋯(t-ZrO2)晶型。

    2)延長燒結(jié)保溫時間,金屬陶瓷顆粒間黏結(jié)面逐漸擴大,出現(xiàn)片狀集聚現(xiàn)象,燒結(jié)更加致密,氣孔率下降,金屬陶瓷電導(dǎo)率有所提高。

    3)40Mo-ZrO2金屬陶瓷電導(dǎo)率受金屬相電子導(dǎo)電與陶瓷相離子導(dǎo)電的混合導(dǎo)電機制影響,其電導(dǎo)率分別在850℃和1 200℃附近出現(xiàn)峰值。40Mo-8YSZ金屬陶瓷電導(dǎo)率主要受金屬相電子導(dǎo)電機制影響。

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