稀土文獻(xiàn)題錄

稀土阻燃聚合物機(jī)理研究進(jìn)展

【摘要】稀土因具有無毒環(huán)保、耐熱、耐候、催化酯化脫氫反應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),在阻燃行業(yè)中引起了廣泛關(guān)注。綜述了聚合物燃燒基礎(chǔ),介紹了常用的幾種阻燃機(jī)理研究方法,包括LOI、UL94、CONE、TGA和SEM,總結(jié)了稀土氧化物、稀土磷酸鹽等稀土化合物協(xié)效阻燃機(jī)理的最新研究成果。認(rèn)為稀土阻燃劑發(fā)展仍然面臨著技術(shù)落后、無商品化產(chǎn)品、稀土附加值低等眾多困難。指出未來稀土阻燃劑發(fā)展趨勢(shì),一方面將向著以價(jià)格低廉的鑭、鈰、釔、釤等稀土元素為主的多功能有機(jī)稀土阻燃劑的方向發(fā)展,在阻燃體系中起到主阻燃作用,才能提高稀土元素附加值;另一方面加強(qiáng)高校與稀土企業(yè)的產(chǎn)學(xué)研深入融合,充分發(fā)揮高校基礎(chǔ)研究和企業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用推廣方面的優(yōu)勢(shì),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,推動(dòng)稀土阻燃劑早日實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,促進(jìn)我國稀土行業(yè)健康有序發(fā)展。

《稀土》2021 年04 期

硝酸鑭影響枯草芽孢桿菌生長(zhǎng)及細(xì)胞壁結(jié)構(gòu)的機(jī)理

【摘要】培養(yǎng)基中添加硝酸鑭、溶菌酶和青霉素,探討硝酸鑭影響枯草芽孢桿菌生長(zhǎng)及細(xì)胞壁結(jié)構(gòu)的機(jī)理。采用光電比濁法表征細(xì)菌生長(zhǎng);紅外光譜法表征細(xì)菌細(xì)胞壁結(jié)構(gòu);掃描電鏡觀察菌體形態(tài)。結(jié)果表明,溶菌酶和青霉素抑制了枯草芽孢桿菌的生長(zhǎng),硝酸鑭逆轉(zhuǎn)了溶菌酶和青霉素的抑制作用,硝酸鑭濃度為160.0 mg/L 時(shí)可明顯逆轉(zhuǎn)溶菌酶抑制細(xì)菌生長(zhǎng)的作用,細(xì)菌的繁殖速度增加,硝酸鑭濃度為100.0 mg/L 時(shí)即可明顯逆轉(zhuǎn)青霉素抑制細(xì)菌生長(zhǎng)的作用,使細(xì)菌繁殖速度增加。紅外光譜顯示,與對(duì)照相比,溶菌酶增加了細(xì)胞壁β-1,4 糖苷鍵處(890 cm-1)透過率,硝酸鑭（160.0 mg/L）降低了此處透過率;青霉素使細(xì)胞壁肽聚糖位點(diǎn)(3427 cm-1和1654 cm-1)處紅外光譜透過率比對(duì)照下降,硝酸鑭（100.0 mg/L）使此處透過率增加。掃描電鏡顯示溶菌酶和青霉素會(huì)影響枯草芽孢桿菌形態(tài),使菌體不規(guī)則,而硝酸鑭可使菌體形態(tài)恢復(fù)正常。硝酸鑭通過影響細(xì)胞壁β-1,4 糖苷鍵和肽聚糖結(jié)構(gòu)保護(hù)細(xì)胞壁。

《稀土》2021 年04 期

La-N 共摻雜閃鋅礦ZnS 的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

【摘要】ZnS 能夠用于光解水制氫,但是由于ZnS帶隙較寬在一定程度上制約了可見光的吸收。采用密度泛函理論研究了La-N 摻雜閃鋅礦ZnS 的形成能、帶隙、介電常數(shù)、吸收系數(shù)、光電導(dǎo)和態(tài)密度,研究結(jié)果表明,La、N 摻雜閃鋅礦ZnS 的形成能為負(fù)值,因此結(jié)構(gòu)都非常穩(wěn)定。La、N 單摻雜和共摻雜使得閃鋅礦ZnS 的帶隙寬度由3.51 eV 分別減小到1.95 eV、2.6 eV 和1.72 eV,相應(yīng)的吸收系數(shù)、光電導(dǎo)等都產(chǎn)生紅移。La 摻雜ZnS 在可見光區(qū)的最大吸收系數(shù)約為61753 cm-1,而La-N 共摻雜ZnS 的最大吸收系數(shù)約為87554 cm-1,雖然N 摻雜ZnS 在可見光區(qū)間的吸收系數(shù)不是很大,但是在2.5 eV～3 eV 區(qū)間存在一個(gè)吸收峰。ZnS 的價(jià)帶主要是由Zn 的3p 態(tài)、S 的3p 態(tài)構(gòu)成,導(dǎo)帶主要由Zn的3p 態(tài)、4s 態(tài)構(gòu)成,La 的5d 態(tài)和N 的2p 態(tài)對(duì)于能帶的形成也有很大貢獻(xiàn)。La的5d態(tài)與Zn的3p態(tài)、S 的4p 態(tài)與N 的2p 態(tài)重疊較多,導(dǎo)致了能帶變寬,帶隙減小。La-N 共摻雜后在禁帶中產(chǎn)生一個(gè)新的孤立能級(jí),有利于阻止光生載流子和空穴的復(fù)合。

《稀土》2021 年04 期

雙主相(Nd,Dy)-Fe-B 磁體矯頑力再提高機(jī)制的探究

【摘要】研究了雙主相（Nd,Dy）-Fe-B 燒結(jié)磁體晶界擴(kuò)散TbF3的熱處理工藝、微觀結(jié)構(gòu)及矯頑力再提升的技術(shù)機(jī)制。晶界擴(kuò)散最佳的一級(jí)、二級(jí)熱處理溫度為900,490℃。經(jīng)過擴(kuò)散工藝的綜合優(yōu)化磁體的矯頑力由20.00 kOe 增加到29.49 kOe。利用電子探針微區(qū)分析儀（EPMA）對(duì)其元素分布進(jìn)行分析,F 擴(kuò)散進(jìn)入磁體表層,而Tb 擴(kuò)散進(jìn)入磁體的幾何中心;Tb 更容易替代磁性相中的Nd 元素而不是Dy;Tb 在主相晶粒間的晶界相中不存在濃度梯度,說明主相晶粒之間的類似毛細(xì)吸力也是Tb 擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力之一。X 射線衍射分析表明,擴(kuò)散后磁體的取向度略微降低。綜合來看晶界擴(kuò)散明顯改善了磁體的溫度穩(wěn)定性,在20℃～150℃之間,擴(kuò)散工藝使磁體剩磁溫度系數(shù)α 由-0.107%·℃-1提升到-0.093%· ℃-1,矯頑力溫度系數(shù)β由-0.539%·℃-1增加到-0.483%·℃-1。

《中國稀土學(xué)報(bào)》2021 年04 期

襯底溫度對(duì)射頻濺射CeO2 薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響

【摘要】為了通過射頻濺射金屬Ce 靶與CeO2靶能得到相同結(jié)構(gòu)、相同性能的CeO2薄膜,采用射頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上沉積CeO2薄膜,通過調(diào)控基體溫度,分析其對(duì)薄膜成分、結(jié)構(gòu)、形貌的影響規(guī)律,分別采用X 射線衍射儀、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)性能進(jìn)行表征。結(jié)果表明:在沉積溫度為600℃下,濺射金屬Ce 靶制備的CeO2薄膜取向度最高,表面光滑平整,表面平均粗糙度只有1.03 nm,通過改變沉積溫度能夠很好地控制薄膜表面顆粒形貌。

《中國稀土學(xué)報(bào)》2021 年04 期

稀土電解槽陽極腐蝕消耗規(guī)律研究

【摘要】針對(duì)稀土電解槽陽極腐蝕消耗速率快、有效使用時(shí)間縮短、殘余浪費(fèi)量大等問題,以8 kA稀土電解槽為研究對(duì)象,分析不同時(shí)刻陽極電解腐蝕下的變化特征及陽極更換順序?qū)ζ涓g消耗的影響,以陽極及其不同更換順序進(jìn)行電解腐蝕模擬仿真分析,結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)過程陽極腐蝕情況進(jìn)行對(duì)比,找出陽極的腐蝕規(guī)律及改善陽極更換順序。結(jié)果表明:陽極腐蝕消耗結(jié)果與實(shí)際生產(chǎn)中陽極的消耗情況基本吻合,說明在稀土電解槽的電解過程中,陽極上端和下端厚度消耗前期均快于后期,且下端消耗大于上端,液面下端陽極長(zhǎng)度消耗則后期快于前期,同時(shí)驗(yàn)證了采用陽極對(duì)角更換順序可以有效提高陽極的利用率和延長(zhǎng)陽極的更換周期。

《中國稀土學(xué)報(bào)》2021 年04 期