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      低壓斷路器主回路溫度場(chǎng)仿真分析

      2021-03-15 07:12:22軒,李
      船電技術(shù) 2021年3期
      關(guān)鍵詞:測(cè)試點(diǎn)對(duì)流導(dǎo)電

      伍 軒,李 蕊

      (武漢船用電力推進(jìn)裝置研究所,武漢 430064)

      0 引言

      斷路器正常工作時(shí),主回路長(zhǎng)時(shí)間通以額定電流會(huì)產(chǎn)生大量焦耳熱,熱量一部分散失在周圍介質(zhì)中,另一部分使斷路器各部件溫度升高。過(guò)高的溫升會(huì)破壞斷路器的絕緣性,或使其工作壽命嚴(yán)重降低,或使其內(nèi)部結(jié)構(gòu)機(jī)械性能降低,產(chǎn)生安全風(fēng)險(xiǎn)[1]。采用數(shù)值方法對(duì)斷路器溫度場(chǎng)進(jìn)行仿真分析有助于避免設(shè)計(jì)缺陷,指導(dǎo)優(yōu)化斷路器內(nèi)部結(jié)構(gòu),還有助于節(jié)約成本,縮短設(shè)計(jì)周期。為了簡(jiǎn)化處理,工程上一般采用牛頓熱公式估算電器的發(fā)熱,但誤差較大。本文對(duì)斷路器主回路的發(fā)熱和散熱進(jìn)行分析,根據(jù)實(shí)測(cè)接觸電阻反向建立導(dǎo)電橋模型,整合了對(duì)流散熱系數(shù)和輻射散熱系數(shù),用ANSYS對(duì)斷路器主回路溫度場(chǎng)分布進(jìn)行仿真,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。

      1 斷路器主回路溫度場(chǎng)分析模型

      1.1 研究對(duì)象

      本文分析的對(duì)象為額定電流為200 A的雙斷點(diǎn)交流斷路器。由于發(fā)熱源為主回路,斷路器的其他結(jié)構(gòu)只起熱傳導(dǎo)作用,因此模型上可以進(jìn)行簡(jiǎn)化。圖1為斷路器的主回路模型。

      圖1 斷路器主回路模型

      1.2 熱傳遞數(shù)學(xué)模型

      熱量傳遞有三種形式,導(dǎo)熱、對(duì)流和熱輻射[2]。斷路器額定狀態(tài)工作時(shí),主回路產(chǎn)生的熱量通過(guò)這三種形式散失到周圍介質(zhì)中。在斷路器內(nèi)部,由于空氣對(duì)流緩慢,只考慮導(dǎo)熱和熱輻射,忽略對(duì)流的影響。對(duì)斷路器外殼、外露的部件和外接導(dǎo)線則考慮對(duì)流散熱和輻射散熱的影響,并通過(guò)表面散熱系數(shù)來(lái)簡(jiǎn)化。

      為便于計(jì)算作如下基本假設(shè):塑殼斷路器處于無(wú)限大空間;材料各向同性;環(huán)境溫度不變,為實(shí)驗(yàn)時(shí)測(cè)得的室溫。

      因此穩(wěn)態(tài)時(shí)斷路器內(nèi)部的三維熱傳導(dǎo)方程為:

      式中:T—物體的溫度,K;γ—導(dǎo)熱系數(shù),W/(m·K);q—單位體積內(nèi)熱源的生成熱,W/m3。

      斷路器內(nèi)部零件、外殼表面、外露部件和外接導(dǎo)線的邊界散熱條件為:

      式中:α—表面散熱系數(shù),W/(m2·K);T0—發(fā)熱體溫度,K; Tf—周圍環(huán)境溫度,K。

      式(1)、(2)為斷路器的熱分析模型,利用有限元軟件(ANSYS),結(jié)合主回路發(fā)熱功率、各部分材料導(dǎo)熱系數(shù)和表面散熱系數(shù),即可對(duì)斷路器的穩(wěn)態(tài)溫度場(chǎng)進(jìn)行仿真計(jì)算。

      2 斷路器主回路熱源分析

      斷路器額定狀態(tài)工作時(shí),主回路發(fā)熱源于電流流經(jīng)回路自身的電阻、動(dòng)靜觸頭的接觸電阻和外接導(dǎo)線的接觸電阻。計(jì)算發(fā)熱功率需獲取主回路各部分電阻值和電流密度。

      由于動(dòng)靜觸頭之間、外接導(dǎo)線與接線端之間存在接觸電阻,電流流經(jīng)接觸部位時(shí)發(fā)生收縮,電流密度增大,功率損耗增加,使接觸部位的發(fā)熱比其他導(dǎo)體部位更加明顯。因此計(jì)算主回路溫度場(chǎng)分布時(shí),必須考慮接觸電阻的影響。

      2.1 導(dǎo)電橋模型的建立

      動(dòng)靜觸頭之間的接觸電阻可視為串聯(lián)在動(dòng)靜觸頭之間的電阻,并假設(shè)接觸表面的所有導(dǎo)電斑都集中在中心部位形成一個(gè)較大的導(dǎo)電斑,利用一個(gè)圓柱形的導(dǎo)電橋來(lái)模擬動(dòng)靜觸頭間的電接觸[3],如圖2所示。

      圖2 導(dǎo)電橋模型

      導(dǎo)電橋的半徑與觸頭終壓力和觸頭材料有關(guān),其接觸半徑可按下式計(jì)算:

      式中:F—觸頭終壓力,N;H—接觸硬度,N/mm2,約為材 料布氏硬度的60%~80%;ε—修正系數(shù),取0.3;

      由于導(dǎo)電橋尺寸直接影響流經(jīng)導(dǎo)電橋的電流密度,為控制導(dǎo)電橋發(fā)熱功率,必須確定導(dǎo)電橋的高度尺寸??赏ㄟ^(guò)實(shí)測(cè)回路壓降,對(duì)導(dǎo)電橋高度,可按下式計(jì)算:

      式中:ΔV—回路壓降,V;I0—額定電流,A;R—各零件在回路中的電阻之和,Ω;n—導(dǎo)電橋數(shù)量;ρ0—觸頭材料電阻率;k—高度系數(shù),取0.67;

      2.2 接線端接觸電阻的確定

      接線端的存在會(huì)對(duì)溫升產(chǎn)生影響,其電阻大小由兩側(cè)接觸物體表面狀況以及螺栓緊固效果共同影響,接觸面氧化明顯或螺栓緊固程度不佳,都會(huì)造成接觸電阻過(guò)大,發(fā)熱加劇,進(jìn)而影響斷路器主回路的溫度場(chǎng)。

      在接線端子和外接排之間建立一片薄膜,利用此薄膜來(lái)模擬接觸電阻的作用。接觸電阻可按下式進(jìn)行計(jì)算:

      式中:m—與接觸形式有關(guān)的系數(shù),平面接觸時(shí)取1,曲面與平面接觸時(shí)取0.5;Fk—接觸力,N;cρ—接觸材料系數(shù),Ω·Nm;

      3 表面散熱系數(shù)的確定

      3.1 斷路器表面散熱系數(shù)的確定

      斷路器外殼外表面,與外部空氣接觸的表面,其散熱由對(duì)流和輻射散熱組成。

      1)對(duì)流散熱可表示為:

      式中:q—熱流量,W;αcon—對(duì)流散熱系數(shù),W/; A0—對(duì)流散熱面積,m2。

      邊界的散熱系數(shù)和周圍流體的特性相關(guān),對(duì)于自然對(duì)流換熱,根據(jù)努賽爾特(Nusselt)相似準(zhǔn)則和相關(guān)的關(guān)聯(lián)式有[4]:

      式中:Gr—格拉斯霍夫數(shù);Nu—努塞特?cái)?shù);Pr—普朗特?cái)?shù);g—重力加速度,m2/s;αv—體脹系數(shù),K-1,為溫度倒數(shù);v—?dú)怏w運(yùn)動(dòng)黏度,m2/s;Δt—壁面與流體溫度之差,K;l—為特征長(zhǎng)度,m;γ—為空氣導(dǎo)熱系數(shù),C,n—常數(shù),取值分別與散熱面特征和流體狀態(tài)有關(guān);根據(jù)斷路器表面的尺寸和流體的物性參數(shù)即可計(jì)算出相應(yīng)的對(duì)流散熱系數(shù)。

      2)輻射散熱,根據(jù)Stefan-boltzmann定律,可表示為:

      式中:A—輻射面外表面積,m2;ε—外表面發(fā)射率;σ—斯忒藩-玻爾茲曼常量,W/(m2·K4)。

      分析時(shí),輻射散熱可通過(guò)表面散熱系數(shù)簡(jiǎn)化:

      因此表面散熱系數(shù)可整合為:

      3.2 外接導(dǎo)線表面散熱系數(shù)的確定

      在對(duì)斷路器進(jìn)行數(shù)值熱分析時(shí),外接導(dǎo)線的散熱作用十分明顯,必須考慮。根據(jù)國(guó)標(biāo),通過(guò)200 A額定電流時(shí),導(dǎo)線的截面積為95 mm2,連接長(zhǎng)度為2 m。外接導(dǎo)線處于空氣中,通過(guò)對(duì)流和輻射散熱,同時(shí)導(dǎo)線中通入電流會(huì)導(dǎo)致自身溫度升高。裸導(dǎo)線的對(duì)流散熱系數(shù)為:

      式中:d—連接導(dǎo)線直徑,mm;

      聯(lián)立式(9)、式(10)求得導(dǎo)線的總散熱系數(shù)α。絕緣層對(duì)導(dǎo)線的散熱有不可忽略的影響,根據(jù)國(guó)標(biāo),通過(guò)電流200 A導(dǎo)線的絕緣層材料為PVC,且厚度不小于1.6 mm。導(dǎo)線的散熱系數(shù)需按下式修正[5]:

      式中:ra,ri—加絕緣和裸導(dǎo)線的半徑,m;λiso—絕緣材料的熱導(dǎo)率,W/(m·K);

      4 結(jié)果與分析

      4.1 仿真結(jié)果

      在ANSYS中設(shè)置材料屬性,外殼和罩殼賦予DMC塑料,觸頭賦予銀鎢合金,其余部分統(tǒng)一賦予銅,并按表1賦予對(duì)應(yīng)的導(dǎo)熱系數(shù)。

      表1 材料導(dǎo)熱系數(shù)

      使用ANSYS軟件,通過(guò)熱電直接耦合模塊對(duì)塑殼斷路器在額定通流200A情況下的主回路進(jìn)行溫度分布仿真。按式(10)計(jì)算各表面散熱系數(shù),對(duì)于斷路器外殼、外接導(dǎo)線等裸露在外的部分考慮對(duì)流和輻射散熱系數(shù),對(duì)于斷路器內(nèi)部零件只考慮熱傳導(dǎo)和輻射散熱系數(shù)。環(huán)境溫度為26.5℃。主回路的溫度場(chǎng)分布如圖1.3所示。圖中標(biāo)識(shí)的1~6為實(shí)驗(yàn)時(shí)測(cè)試溫度的點(diǎn),測(cè)量點(diǎn)1、4對(duì)應(yīng)A相的進(jìn)出線端,2、5對(duì)應(yīng)B相,3、6對(duì)應(yīng)C相。

      圖3 斷路器主回路溫度仿真結(jié)果

      如圖3所示,對(duì)于主回路的每一相,由于動(dòng)靜觸頭處接觸電阻的存在,觸頭處的溫度較導(dǎo)體其他部位高,且由于是雙斷點(diǎn)結(jié)構(gòu),觸頭中間部位溫度最高;三相比較可見(jiàn),B相溫度較A、C兩相高,這是由于B相位于中間,不僅A、C相的熱源對(duì)其有加熱作用,且散熱條件也不如緊貼外殼側(cè)壁的A、C相。從仿真結(jié)果來(lái)看,接線端平均溫升在40K左右,觸頭溫升在55 K左右,滿足國(guó)標(biāo)低壓電器極限允許溫升要求。

      斷路器主回路電位分布如圖4所示。圖4可以看出,主要的壓降出現(xiàn)在導(dǎo)電橋部分,也進(jìn)一步說(shuō)明,動(dòng)靜觸頭間的接觸電阻是主回路發(fā)熱的主要熱源。

      圖4 斷路器主回路電位分布

      4.2 試驗(yàn)驗(yàn)證

      為驗(yàn)證仿真計(jì)算的正確性,根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14048.1-2000,給主回路通電進(jìn)行實(shí)驗(yàn),在標(biāo)識(shí)點(diǎn)1~6處分別粘貼熱電偶,用長(zhǎng)2 m截面積為95 mm2的導(dǎo)線將ABC相并聯(lián),采用電流調(diào)壓器給各相主回路通200 A電流,達(dá)到穩(wěn)定溫升后,用熱電偶測(cè)量標(biāo)識(shí)點(diǎn)處的溫度。

      測(cè)試點(diǎn)溫度的計(jì)算值和實(shí)測(cè)值比較如圖5所示,其中測(cè)試點(diǎn)1~6與標(biāo)識(shí)點(diǎn)1~6對(duì)應(yīng)。

      圖5 溫度場(chǎng)計(jì)算與實(shí)驗(yàn)結(jié)果比較圖

      由圖5可知,測(cè)試點(diǎn)1溫度低于測(cè)試點(diǎn)3,且溫差達(dá)到了6.2 K,相對(duì)測(cè)試點(diǎn)1溫度誤差約為10%,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明A、C相之間溫度不平衡。這可能是由于斷路器合閘時(shí),由于裝配誤差和配合間隙等原因,造成不同相的動(dòng)靜觸頭終壓力不同,C相的觸頭終壓力較大,其動(dòng)靜觸頭間的接觸電阻較小,因此在相同的電流下發(fā)熱量較小。計(jì)算值與實(shí)測(cè)值之間誤差大小如表2所示。從表中可以看出,測(cè)試點(diǎn)誤差均在可接受范圍內(nèi)。

      表2 計(jì)算值與實(shí)測(cè)值誤差大小

      測(cè)試點(diǎn)1、2、5實(shí)測(cè)溫度大于計(jì)算溫度,這可能是由于該處與外接導(dǎo)線之間的螺栓連接不夠牢靠、連接時(shí)接觸表面不夠清潔,導(dǎo)致此處接觸電阻較大,發(fā)熱量大于計(jì)算值。

      5 結(jié)論

      基于斷路器主回路的熱分析模型,通過(guò)簡(jiǎn)化斷路器和外接導(dǎo)線的散熱系數(shù),對(duì)斷路器主回路的穩(wěn)態(tài)溫度場(chǎng)進(jìn)行仿真分析。提出了依據(jù)實(shí)測(cè)動(dòng)靜觸頭的接觸電阻建立導(dǎo)電橋模型的方法。通過(guò)對(duì)比仿真與實(shí)驗(yàn)結(jié)果,驗(yàn)證了仿真分析的正確性。

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