東莞理工學(xué)院電子工程與智能化學(xué)院 賴宇威 張 志 付 威 黃鵬峰 張潤超
深圳市同立方科技有限公司 葉曉東
三相四開關(guān)整流器拓?fù)渚哂泄β势骷?、成本低、裝置體積小、效率高和開關(guān)損耗低等優(yōu)點,同時又可作為三相六開關(guān)整流器故障時的容錯拓?fù)?,因此三相四開關(guān)整流器受到廣泛關(guān)注。本文首先介紹了三相四開關(guān)整流器的主電路,并且提出一種電流前饋型解耦的電壓電流雙閉環(huán)控制策略。為了抑制直流側(cè)兩電容電壓不平衡的情況,采用了一種前饋補(bǔ)償?shù)目刂撇呗?,實現(xiàn)直流側(cè)兩電容電壓的平衡控制,并進(jìn)行仿真實驗驗證了所提出控制策略的正確性和可行性。
三相四開關(guān)整流器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):
三相四開關(guān)整流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示,基于三相電流和為零的原理,應(yīng)用兩個電容代替兩個開關(guān)管組成一組橋臂,整流側(cè)將輸入的三相交流電流整流為直流電輸入到連個電容中間點。同時采用四個開關(guān)管組成另外兩組橋臂,交流側(cè)的電感用于儲存和釋放能量,負(fù)載側(cè)采用電阻模擬負(fù)載應(yīng)用。
與傳統(tǒng)的脈寬調(diào)制技術(shù)(SPWM)相比,基于SVPWM調(diào)制技術(shù)的三相整流拓?fù)涞闹绷麟妷豪寐矢?,功率管的開關(guān)損耗率也更低并且擁有更好的動態(tài)性能,且在實現(xiàn)的手法上更加簡單易行,所以本文采用SVPWM的調(diào)制方式。
由于三相電流的dq軸分量之間存在交錯耦合,在這種耦合狀態(tài)下對電路的系統(tǒng)控制難度將會大大提升,所以在進(jìn)行電流控制要先進(jìn)行解耦。在采用PI控制的電流內(nèi)環(huán)中加入三相電流的有功分量Id和無功分量Iq解耦,控制方程為:
依據(jù)電流內(nèi)環(huán)的對稱性,只要對Id的控制設(shè)計就能同時得到Iq的控制設(shè)計。
圖1 三相四開關(guān)整流器主電路拓?fù)?/p>
圖2 系統(tǒng)控制框圖
圖3 三相四開關(guān)整流器主電路
圖4 三相四開關(guān)整流器控制部分
圖5 網(wǎng)側(cè)電壓電流波形
圖6 直流側(cè)負(fù)載電壓
圖7 直流側(cè)電流
當(dāng)直流側(cè)電壓不穩(wěn)定時將會產(chǎn)生較大的波動,不利于能量的儲能釋能變換狀態(tài)。因此可以在上一節(jié)所說得電流內(nèi)環(huán)的控制基礎(chǔ)上加入電壓外環(huán),采用電壓電流雙環(huán)控制,其控制流程如圖2所示。
圖3所示為使用Simulink搭建的三相四開關(guān)整流器的主電路,其中包括三相電源、整流橋、負(fù)載、控制電路等。部分參數(shù)選擇為:電感2mH,負(fù)載電阻100,電容2000。
圖4所示為三相四開關(guān)整流器的控制部分,其中主要包括坐標(biāo)變換、相位角計算、電壓外環(huán)、電流內(nèi)環(huán)、前饋解耦等組成。
從圖5所示可以看出,網(wǎng)側(cè)電壓電流的相位基本一致,表明其功率因數(shù)接近1,三相電流畸變率小于10%。從圖6、7所示看出,直流側(cè)負(fù)載電壓基本穩(wěn)定在70V,電流在穩(wěn)定在0.7A。仿真驗證了該方案的可行性,符合課題要求。
本文以TMS320F25035芯片為核心處理器,展開對三相四開關(guān)整流器的拓?fù)溲芯?,以下為本文主要研究部分?/p>
(1)介紹三相四開關(guān)整流器的背景與應(yīng)用,分析其工作原理。
(2)說明一種基于前饋補(bǔ)償?shù)碾娙蓦妷翰黄胶庖种撇呗浴?/p>
(3)硬件上說明各個電路的原理及設(shè)計方案。
(4)通過MATLAB仿真驗證實驗可行性并進(jìn)一步搭建實物驗證理論的合理性與正確性。