張棟梁 龐 星 張 琪 梁小雅 趙玉龍
西安交通大學(xué) 陜西 西安 710049
石墨烯一直是研究的熱點(diǎn),憑借獨(dú)特的性能,石墨烯被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。石墨烯最成熟的制備工藝是CVD化學(xué)氣相沉積,制備在Cu、Ni、Pd等金屬上,然后通過濕法轉(zhuǎn)移到不同基底上。因此,研究石墨烯轉(zhuǎn)移造成的缺陷尤為重要。本研究利用先進(jìn)的表征手段探究了在石墨烯轉(zhuǎn)移過程中造成的缺陷。
在本文中,將單層石墨烯通過濕法轉(zhuǎn)移的方式轉(zhuǎn)移到玻璃基底上。具體操作步驟為:首先稱量4g PMMA粉末,將其放在棕色廣口瓶里,量取100ml苯甲醚溶液倒入瓶中,保持50℃的水浴加熱,磁力攪拌6小時(shí),使用勻膠機(jī)以低速600rpm,高速4000rpm的轉(zhuǎn)速在銅基石墨烯表面旋涂制備好的PMMA并將其加熱固化,以玻璃化溫度180℃加熱PMMA,加熱3分鐘。同時(shí),配制FeCl3溶液,其濃度為1mol/L的FeCl3溶液,完成后,需要用無塵布將其表面的雜質(zhì)過濾掉,因?yàn)槭┍∧さ某√匦?,很容易吸附水溶液中的雜質(zhì)分子與顆粒,以此減少外來的雜質(zhì)對(duì)石墨烯表面的污染。在腐蝕完之后,用濃度范圍10%~20%的稀鹽酸浸泡1個(gè)小時(shí),中和掉石墨烯薄膜上殘余的FeCl3雜質(zhì),然后再將其用去離子水進(jìn)一步地清洗三次,每次10min。再將其轉(zhuǎn)移到基底上,靜置使其自然晾干,最后使用丙酮分三次去除PMMA,每次大約5min,即可完成石墨烯薄膜的轉(zhuǎn)移工作。
本實(shí)驗(yàn)將單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到硅酸鹽載玻片基底上。利用Raman光譜分析與X射線能譜分析對(duì)轉(zhuǎn)移后的樣品的進(jìn)行缺陷研究。
(1)Raman光譜分析。實(shí)驗(yàn)采用波長為532nm激光器進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。石墨烯的拉曼光譜一共有三個(gè)峰,分別是G峰、2D峰和缺陷峰D峰。
使用Raman測量樣品拉曼光譜圖,下圖為轉(zhuǎn)移到載玻片基底上石墨烯在載玻片上的拉曼測試白光圖及其對(duì)應(yīng)的拉曼位移圖。
圖1 樣品上石墨烯的白光圖與其對(duì)應(yīng)的拉曼光譜圖
從拉曼位移圖中,我們可以看到圖a所對(duì)應(yīng)的拉曼位移圖沒有石墨烯的特征峰,表明此處的石墨烯已被破壞;此外,圖b與圖c對(duì)應(yīng)的拉曼位移圖均存在缺陷峰D峰、G’峰與PMMA特征峰,說明樣品上石墨烯存在大量的缺陷,且PMMA去除也不干凈。
從Raman位移圖中,我們可以看到b、c測試的點(diǎn)對(duì)應(yīng)的Raman光譜圖I2D/IG≈2,表明轉(zhuǎn)以后石墨烯單層未被破壞。另外,從圖中所對(duì)應(yīng)的Raman位移圖可以看到存在缺陷峰D峰與PMMA特征峰,表明轉(zhuǎn)以后的表面存在少量的缺陷以及PMMA在石墨烯表面有一定的殘留。
(2)X射線光電子能譜分析。本研究中用X射線能譜分析來測量轉(zhuǎn)移之后石墨烯中C、N、O元素的含量,并對(duì)其C1s峰進(jìn)行了XPS分峰處理,通過分析C1s峰中C的化學(xué)鍵成分來判斷轉(zhuǎn)移質(zhì)量的優(yōu)劣。以下在樣品上選取兩個(gè)具有代表性的位置分析。
圖2 樣品上石墨烯的C1s峰分峰處理,a)位置一處C1s峰分峰處理結(jié)果;b)位置二處C1s峰分峰處理結(jié)果
根據(jù)分峰處理的結(jié)果,可以看到在圖2中圖a出現(xiàn)了sp3雜化的C≡C峰。然而,石墨烯中C的雜化方式為sp2雜化,實(shí)驗(yàn)結(jié)果出現(xiàn)了sp3雜化峰,說明在石墨烯的轉(zhuǎn)移過程中引入了其他的雜質(zhì)。綜合考慮轉(zhuǎn)移中接觸到的化學(xué)物品,推測為PMMA的殘留,因?yàn)镻MMA中有大量的C≡C峰,因此推測在石墨烯的表面殘留有PMMA造成該現(xiàn)象。
本研究通過濕法轉(zhuǎn)移的方式,以PMMA作為支撐將石墨烯分別轉(zhuǎn)移到不同基底上,通過Raman光譜分析可以知道,載玻片基底樣品方阻值大的原因?yàn)槭┐嬖诖罅康娜毕?,某些地方甚至石墨烯被破壞;?duì)于二氧化硅基底樣品方阻值大的主要原因?yàn)槭┋B層。對(duì)XPS測試結(jié)果對(duì)成分中C1s峰進(jìn)行分峰處理,發(fā)現(xiàn)載玻片基底的樣品表面存在PMMA特征峰。這類的缺陷石墨烯及其器件的功能受到很大的影響。