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    微電子級聚酰亞胺薄膜線膨脹系數(shù)測定方法研究

    2020-08-13 03:59:14趙芬娜陳鑄紅吳朋川李永荃王海清
    安徽化工 2020年4期
    關(guān)鍵詞:聚酰亞胺襯底薄膜

    趙芬娜,陳鑄紅,吳朋川,李永荃,王海清

    (安徽國風(fēng)塑業(yè)股份有限公司,安徽合肥230088)

    微電子級聚酰亞胺(PI)薄膜廣泛應(yīng)用于柔性覆銅板(FCCL)基膜及覆蓋膜、柔性電路板(FPC)等。柔性襯底是柔性顯示器件中的重要組成部分,起到結(jié)構(gòu)支撐以及為光信號傳輸提供介質(zhì)的作用。柔性襯底的特性和功能在很大程度上決定著柔性器件的質(zhì)量。柔性顯示器的襯底主要有三種:柔性玻璃、透明塑料和金屬箔。柔性玻璃延續(xù)了傳統(tǒng)硬質(zhì)玻璃的優(yōu)點,具有耐藥性、熱穩(wěn)定性、高光學(xué)透過率、低熱膨脹系數(shù)等特點,但是其彎曲效果欠佳,且價格昂貴。透明塑料基體與其他襯底材料相比,綜合性能比較優(yōu)異,不僅同柔性玻璃一樣具有良好的透光率,而且還具有與金屬箔相當(dāng)?shù)娜犴g性。因此,透明塑料基材是柔性顯示襯底材料的理想選擇。聚酰亞胺是現(xiàn)有材料中耐溫性最好的一類聚合物材料[2],因其優(yōu)良的耐低溫性、耐輻射性、介電性能和機械性能[3],被認(rèn)為是極具應(yīng)用潛力的一類柔性襯底材料。PI薄膜線性熱膨脹系數(shù)[4]是決定柔性電路板尺寸穩(wěn)定性的關(guān)鍵物理參數(shù),是能否用于柔性電路板最主要的性能指標(biāo)。

    1 實驗部分

    1.1 實驗原料

    微電子級聚酰亞胺薄膜,膜厚:12.5 μm、25 μm、38 μm、62.5 μm、75 μm。

    1.2 實驗設(shè)備

    島津熱機械分析儀(TMA),型號:TMA-60。

    1.3 實驗方法

    從樣品上裁取5 mm×10 mm薄膜試樣,采取兩端夾緊的拉伸模式,將試樣置于恒定的高純氮氣流中,氣體流量為50 mL/min。在適當(dāng)?shù)呢?fù)荷下,從起始溫度40℃,以不超過5℃/min的升溫速率升至250℃,計算試樣的平均線性熱膨脹系數(shù)[5]。

    2 結(jié)果與討論

    2.1 不同負(fù)荷對線性熱膨脹系數(shù)測定的影響

    采用12.5 μm的PI薄膜樣品,分別施加5 g、10 g、20 g、30 g、40 g、50 g、80 g等負(fù)荷,考查彈性模量相對于不同負(fù)荷下的變化曲線,結(jié)果如圖1、圖2所示。

    圖1 彈性模量相對于不同負(fù)荷的變化曲線

    圖2 線性熱膨脹系數(shù)隨不同負(fù)荷的變化曲線

    當(dāng)承載負(fù)荷小于等于試樣內(nèi)應(yīng)力時,隨著負(fù)荷的增大,試樣內(nèi)應(yīng)力對線膨脹系數(shù)的影響越來越小,線膨脹系數(shù)的變化也越來越小,而彈性模量會增大;當(dāng)承載負(fù)荷大于等于試樣內(nèi)應(yīng)力時,試樣內(nèi)應(yīng)力對線膨脹系數(shù)的影響可忽略,彈性模量將減小,再隨著負(fù)荷的增大而基本不變。在試樣負(fù)載20 g時,試樣彈性模量最大;當(dāng)負(fù)荷大于20 g時,彈性模量快速減??;當(dāng)負(fù)荷大于30 g之后,彈性模量基本不變。綜上,對于12.5 μm的PI薄膜材料,其線性熱膨脹系數(shù)測定時承載負(fù)荷選擇20 g較為合適。對于不同試樣應(yīng)選擇適當(dāng)負(fù)荷,負(fù)荷過大或過小都會影響到線性熱膨脹系數(shù)測定結(jié)果的準(zhǔn)確性。

    2.2 不同升溫速率對線性熱膨脹系數(shù)測定的影響

    銅箔作為參比樣,采用12.5 μm的PI薄膜樣品,分別在1℃/min、2℃/min、5℃/min、10℃/min、20℃/min等不同的升溫速率下,從起始溫度40℃,升溫至250℃,計算試樣的平均線性熱膨脹系數(shù),結(jié)果如圖3所示。

    圖3 不同升溫速率下PI薄膜線性熱膨脹系數(shù)變化曲線

    從圖3可以明顯看出,對于同一厚度的PI薄膜樣品,采用不同的升溫速率,且其他測試條件相同時,當(dāng)升溫速率小于5℃/min時,隨著升溫速率的增大,試樣測得的線性熱膨脹系數(shù)逐漸增大,且越來越接近銅箔的實際線性膨脹系數(shù)值;當(dāng)升溫速率大于5℃/min時,隨著升溫速率的增大,試樣測得的線性熱膨脹系數(shù)逐漸減小。綜上,對于同一厚度的PI薄膜材料,其線性熱膨脹系數(shù)測定時升溫速率≤5℃/min且越接近5℃/min時,較為合適。

    2.3 PI薄膜不同厚度對線性熱膨脹系數(shù)的影響

    采用不同厚度的PI薄膜樣品,負(fù)荷20 g,氮氣流量50 mL/min,升溫速率5℃/min,升溫至250℃,計算試樣的平均線性熱膨脹系數(shù),結(jié)果如表1、圖4所示。

    表1 不同厚度PI薄膜線性熱膨脹系數(shù)測定值

    圖4 同一品牌不同厚度的PI薄膜線性熱膨脹系數(shù)測定曲線

    對于同一品牌、相同用途的PI薄膜試樣,隨著試樣厚度的增加,線性熱膨脹系數(shù)測定值隨之增大。對于不同品牌的PI薄膜,試樣厚度與線膨脹系數(shù)之間無特定關(guān)系。產(chǎn)品用途及產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性對于線性熱膨脹系數(shù)均有重要影響。目前國內(nèi)的PI薄膜產(chǎn)品正處于快速發(fā)展階段,逐步突破技術(shù)壁壘,不斷縮小與國外技術(shù)的差距。

    3 結(jié)論

    采用熱機械分析法[6]測定PI薄膜線性熱膨脹系數(shù),經(jīng)對比實驗,微電子級PI薄膜的線性熱膨脹系數(shù)準(zhǔn)確度高的測試條件為:薄膜樣品尺寸5 mm×10 mm,兩端夾緊拉伸,恒定高純氮流量50 mL/min,20 g負(fù)荷下,起始溫度40℃,以≤5℃/min且越接近5℃/min升溫速率升至250℃,計算試樣的平均線性熱膨脹系數(shù)。

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