李森 繆依展 楊鹿 滕樹鵬 張凱華
(1上海航天電子技術(shù)研究所/八院智能計(jì)算技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海,201109;2上海航天技術(shù)研究院,上海,201109)
潛通路是指因系統(tǒng)或設(shè)備中存在異常電路通路,當(dāng)受到特定的激勵(lì)后產(chǎn)生的響應(yīng),其直接后果是觸發(fā)電路中非預(yù)期存在的功能,抑制了正常需要的功能[1]。航天器的功能性能升級(jí)日新月異,隨之而來的是器上電子電路系統(tǒng)的速度、規(guī)模、容量、復(fù)雜程度等指標(biāo)呈指數(shù)級(jí)增長,電子電路系統(tǒng)的功能增多也帶來了系統(tǒng)間接口日漸復(fù)雜。由此,對(duì)多個(gè)分系統(tǒng)交互處產(chǎn)生的潛通路干擾的分析,其重要性日益突顯。
筆者結(jié)合宇航電子系統(tǒng)測試中的現(xiàn)象,論述一種基于宇航FPGA芯片上電復(fù)位電路的潛通路干擾分析,為宇航應(yīng)用中大規(guī)模高速芯片上電復(fù)位電路中的潛通路干擾分析提供一種思路。
航天器電子系統(tǒng)的復(fù)雜程度日益增高,電路的供電及回線設(shè)計(jì)難度日漸增大,供電系統(tǒng)中,易出現(xiàn)電壓倒灌、電流浪涌及地線噪聲等干擾。
航天器系統(tǒng)在整器設(shè)計(jì)時(shí),通常被分解為多個(gè)分系統(tǒng),再由分系統(tǒng)進(jìn)行下一級(jí)的細(xì)分,一般分到可單獨(dú)實(shí)現(xiàn)某種功能的單機(jī)或設(shè)備為止。在多電子設(shè)備供電共同連接的情況下,各電子設(shè)備根據(jù)功能,在上電過程中存在時(shí)間差,導(dǎo)致電子設(shè)備在上電前,電路中存在電壓倒灌的干擾,倒灌電壓通常使用隔離電路進(jìn)行隔離。
電子設(shè)備為了提高電源品質(zhì)以及EMC特性,在電源輸入端加入大量的電容濾波電路,因此在加電啟動(dòng)瞬間要吸取大量的電流[2]。電流的瞬態(tài)不平衡,可能導(dǎo)致電子設(shè)備供電線路處于振蕩狀態(tài),以至于無法正常啟動(dòng),通常航天器電子設(shè)備需要設(shè)計(jì)專門的浪涌隔離電路。
在航天器地面測試過程中,為對(duì)整器功能進(jìn)行測試監(jiān)控,會(huì)引入地面測試設(shè)備進(jìn)行輔助。地面測試設(shè)備通常采用市電供電,并將其回線接入航天器電路回線中。各種不同的地面測試設(shè)備與市電的隔離情況參差不一,且市電受更大的回路影響,由此會(huì)產(chǎn)生地線噪聲干擾。為考察航天器電子設(shè)備對(duì)地線噪聲干擾的免疫性能,需通過EMC試驗(yàn)對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行考核。
上電復(fù)位電路廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路系統(tǒng)中,尤其以需要在上電時(shí)完成寄存器初始化、程序加載、數(shù)據(jù)讀取等功能的芯片為多。而在航天應(yīng)用中,為保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性,上電復(fù)位電路的正確使用是強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)要求。
航天電子系統(tǒng)中,為滿足數(shù)據(jù)處理、邏輯控制、接口轉(zhuǎn)換等功能實(shí)現(xiàn),涉及使用到一種宇航級(jí)大規(guī)模FPGA,該芯片為反熔絲設(shè)計(jì),規(guī)模為200萬門。該芯片在上電時(shí)必須通過上電復(fù)位電路提供復(fù)位電平,以保證芯片的實(shí)際復(fù)位時(shí)間大于要求復(fù)位時(shí)間,原理如圖1所示。
圖1 宇航FPGA上電復(fù)位電路原理示意圖
根據(jù)圖1,設(shè)計(jì)適應(yīng)該芯片的上電復(fù)位電路,如圖2所示。該芯片上電復(fù)位信號(hào)工作電壓為3.0V~3.3V。上電延時(shí)t可根據(jù)公式 (1)計(jì)算。
式中,Vt為任意時(shí)刻t電容上的電壓值,V0為電容上的初始電壓值,Vu為電容充滿電后的電壓值。經(jīng)過一個(gè)時(shí)間常數(shù)的時(shí)間,電容上的電壓可達(dá)到充電電源電壓的0.63倍,即Vt=0.63Vu。經(jīng)計(jì)算,圖2中上電復(fù)位電路的上電延時(shí)理論值為675ms,可達(dá)最低要求工作電壓。
圖2 宇航FPGA上電復(fù)位電路原理圖
若在上電復(fù)位電路中存在潛通路干擾,尤其是干擾對(duì)電路中的RC電路進(jìn)行提前充電,可能會(huì)導(dǎo)致上電復(fù)位延時(shí)不足,F(xiàn)PGA芯片復(fù)位提前結(jié)束,影響FPGA功能正常運(yùn)行。在某典型的航天器整器測試中,對(duì)其中一個(gè)電子設(shè)備的供電及回線進(jìn)行測量,測量到兩種潛通路干擾電壓/噪聲。
大規(guī)模FPGA的供電,由電壓轉(zhuǎn)換芯片將5V的二次電壓轉(zhuǎn)為3.3V電壓來滿足要求。圖3所示的是電壓轉(zhuǎn)換芯片 (MSK5230)的內(nèi)部電路圖,管腳1為電壓輸入,管腳2為電壓輸出,管腳3為二次地。
圖3 電壓轉(zhuǎn)換芯片 (MSK5230)內(nèi)部電路圖
當(dāng)電壓轉(zhuǎn)換芯片在正常工作時(shí),三極管Q1工作在不飽和區(qū),通過比較器D1與反饋電阻R1,R2調(diào)整輸出電壓;三極管Q3及溫度傳感器為過溫保護(hù)電路;二極穩(wěn)壓管D2及三極管Q4組成過流保護(hù)電路。當(dāng)管腳1無輸入時(shí),管腳2有倒灌電壓存在情況下,三極管Q1存在寄生反向二極管,此寄生反向二極管的測試壓降約為0.3V,因此此時(shí)可在管腳1上存在倒灌電壓。
航天器整器測試時(shí),地線上存在有脈沖寬度6μs,頻率為20kHz,幅值約為400mV的地噪聲疊加,噪聲波形如圖4所示。
圖4 航天器整器供電地線噪聲示意圖
在該狀態(tài)下測試時(shí),5V電源的倒灌電壓為0.29V,該電壓與0.4V的地線噪聲疊加后可達(dá)到0.69V,此時(shí)電壓轉(zhuǎn)換芯片開始已經(jīng)有輸出,實(shí)測該輸出電壓約為0.35V。
該設(shè)備電壓轉(zhuǎn)換芯片的3.3V輸出電壓端與二次地之間的實(shí)測負(fù)載阻抗是400Ω,對(duì)該部分電路進(jìn)行抽象簡化,使用ADS搭建的等效電路模型如圖5所示。
圖5 上電復(fù)位電路等效電路圖
脈沖寬度為 6μs, 周期為 50μs, 幅值為400mV的噪聲,對(duì)該噪聲進(jìn)行運(yùn)行仿真,仿真出RC電路中的電容充電電壓約60mV,如圖6所示。
圖6 第二類噪聲仿真結(jié)果圖
RC上電電路中的電容上干擾電壓為0.35V。代入公式 (1)中,計(jì)算可得上電復(fù)位延時(shí)變?yōu)?71.926ms,降低了15.3%。
針對(duì)電源芯片電壓倒灌,常規(guī)的做法是在電源輸出端串聯(lián)低壓降二極管。當(dāng)輸出電壓為3.3V時(shí),二極管正向?qū)?,?dāng)有反向電壓時(shí),二極管反向截止,即可阻擋電壓倒灌。缺點(diǎn)為正向電壓有約為0.3V~0.5V壓降。本設(shè)備3.3V為CMOS邏輯芯片的IO電壓,供電電壓要求為(3.3±0.3)V,增加防倒灌二極管后實(shí)測電路可以正常工作。
針對(duì)地線上存在的噪聲,常規(guī)的優(yōu)化方法是電容旁路。理想電容的阻抗為Z=1/jωc,隨著信號(hào)頻率升高,阻抗變小。而實(shí)際電容因?yàn)橛屑纳姼械淖饔?,阻抗先變小再增大,即存在一個(gè)阻抗最低的諧振點(diǎn),所以應(yīng)根據(jù)想要濾除的噪聲頻率來挑選合適的電容,串聯(lián)在信號(hào)和地之間,即可起到 “噪聲旁路”的作用。本次地噪聲的頻率為 20kHz。因此挑選 10μF的瓷片電容,20kHz時(shí)阻抗很小約為0.8Ω,能較好的起到噪聲信號(hào)旁路的作用。
本文使用潛通路干擾分析的方法,介紹了航天器電子系統(tǒng)中的主要干擾形式,對(duì)宇航大規(guī)模FPGA芯片的上電復(fù)位電路進(jìn)行分析,在測試中測量到電壓倒灌干擾和地線噪聲干擾,根據(jù)仿真分析的結(jié)果表明,在該案例的條件下,潛通路干擾將大規(guī)模FPGA的有效上電復(fù)位延時(shí)縮短了15.3%。這對(duì)FPGA上電復(fù)位電路以及FPGA代碼的設(shè)計(jì)具有啟示意義,通過軟硬件的裕度設(shè)計(jì),滿足降額指標(biāo),實(shí)現(xiàn)宇航大規(guī)模FPGA應(yīng)用過程中的可靠性與安全性。