本報(bào)訊 記者陳炳欣報(bào)道:6月20日,由長江存儲(chǔ)實(shí)施的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期(土建)在武漢東湖高新區(qū)開工。湖北省委書記、省人大常委會(huì)主任應(yīng)勇宣布項(xiàng)目(土建)開工。湖北省委副書記、省長王曉東致辭。紫光集團(tuán)、長江存儲(chǔ)董事長趙偉國介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。
長江存儲(chǔ)國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠,規(guī)劃總產(chǎn)能30萬片/月,總占地面積1968畝。
長江存儲(chǔ)一期工程于2016年年底開工,目前進(jìn)展順利。2019年9月,長江存儲(chǔ)發(fā)布64層3D NAND閃存,目前產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),并陸續(xù)推向市場(chǎng)。2020年4月,長江存儲(chǔ)再次發(fā)布128層3D NAND閃存,預(yù)計(jì)將于2020年年底至2021年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品已基本追平國際先進(jìn)水平,其中型號(hào)X2-6070產(chǎn)品為業(yè)內(nèi)首款128層QLC(每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4bit數(shù)據(jù)),可提供1.33Tb的單顆存儲(chǔ)容量,具有當(dāng)前全球已知型號(hào)的產(chǎn)品中最高存儲(chǔ)密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
在技術(shù)研發(fā)方面,長江存儲(chǔ)發(fā)布的Xtacking技術(shù)架構(gòu)在2018年全球FMS(閃存峰會(huì))上獲得大獎(jiǎng)。相比傳統(tǒng)的3D NAND閃存架構(gòu),Xtack-mg可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。日前,長江存儲(chǔ)已發(fā)布Xtack-ing2.0技術(shù)。
當(dāng)前社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代,人們對(duì)存儲(chǔ)器的需求持續(xù)增加,3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)前景被長期看好。今年以來,盡管受新冠肺炎疫情的影響,NAND閃存市場(chǎng)依然表現(xiàn)出較強(qiáng)的韌性。根據(jù)集邦咨詢的報(bào)告,2020年第一季度NAND閃存出貨量與上季度大致持平,其中服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機(jī),第二季度遠(yuǎn)程服務(wù)等應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心需求。
中國是全球最大的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。數(shù)據(jù)顯示,在移動(dòng)通信和計(jì)算用SSD領(lǐng)域,中國對(duì)NAND的需求占比全球市場(chǎng)份額將從2017年的30%和25%,提升到2021年的50%和30%。中國既有市場(chǎng)需求,也有必要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)。長江存儲(chǔ)一期的良好運(yùn)營以及二期項(xiàng)目的開工建設(shè)為中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)打下了良好的基礎(chǔ)。
趙偉國表示:“國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來,從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠,實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。‘雄關(guān)漫道真如鐵,而今邁步從頭越。我們要增強(qiáng)責(zé)任感、緊迫感,知難而進(jìn)、迎難而上,為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展、為湖北經(jīng)濟(jì)社會(huì)高質(zhì)量發(fā)展作出新的更大貢獻(xiàn)?!?/p>