林福
(閩西職業(yè)技術(shù)學(xué)院,龍巖 364012)
隨著電壓等級(jí)的提升和損耗的降低,基于全控型絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的電壓源高壓直流輸電技術(shù)(Voltage-Sourced Converter HVDC,VSC-HVDC,又稱(chēng)柔性直流)獲得了越來(lái)越多的應(yīng)用[1-5],如大規(guī)模可再生能源并網(wǎng),大型負(fù)荷中心供電,快速功率支撐,孤島或無(wú)源電網(wǎng)供電等。柔性直流換流器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要有以下兩個(gè)技術(shù)方案[5]:基于電力電子開(kāi)關(guān)器件直接串聯(lián)的兩電平/三電平換流器和基于功率子模塊級(jí)聯(lián)的模塊化多電平換流器
(Modular Multi-level Converter,MMC)。其中MMC具有可擴(kuò)展性高、諧波含量低等技術(shù)優(yōu)勢(shì),是目前柔性直流輸電工程主要采用的技術(shù)方案
截至目前,世界范圍內(nèi)已經(jīng)投入運(yùn)行和正在規(guī)劃建設(shè)的柔性直流輸電工程已達(dá)到40條。2015年12月17日,廈門(mén)柔性直流輸電工程正式投入運(yùn)行,采用MMC拓?fù)浞桨竅6]。該工程的投運(yùn)能夠有效提高廈門(mén)島內(nèi)電網(wǎng)的電壓穩(wěn)定性,滿(mǎn)足島內(nèi)不斷增長(zhǎng)的負(fù)荷需求。
柔性直流在啟動(dòng)解鎖前需要通過(guò)交流系統(tǒng)對(duì)子模塊電容進(jìn)行預(yù)充電。為了防止充電電流沖擊過(guò)大對(duì)閥體產(chǎn)生損害,需要在充電回路中串入充電電阻進(jìn)行限流。正常情況下,充電電阻能夠有效抑制充電電流,但是當(dāng)換流變壓器發(fā)生磁飽和等現(xiàn)象時(shí),勵(lì)磁涌流的出現(xiàn)會(huì)使充電電流變大,嚴(yán)重時(shí)將會(huì)燒毀充電電阻。近期,廈門(mén)柔直在換流站進(jìn)行啟動(dòng)充電時(shí)交流電流產(chǎn)生畸變,未能正常衰減,充電電阻反時(shí)限過(guò)負(fù)荷保護(hù)跳閘。
目前相關(guān)文獻(xiàn)主要是對(duì)柔性直流充電過(guò)程中充電電阻的設(shè)計(jì)以及相應(yīng)的控制和保護(hù)策略進(jìn)行研究。例如文獻(xiàn)[7]通過(guò)研究充電電阻和充電電流之間的關(guān)系,提出了充電電阻的阻值設(shè)計(jì)方法;文獻(xiàn)[8]提出了一種適用于模塊化多電平換流器的預(yù)充電控制策略,能夠?qū)⒆幽K電容電壓預(yù)充電到相應(yīng)的設(shè)定值,減小解鎖時(shí)的電流沖擊;文獻(xiàn)[9]介紹了南澳多端柔性直流輸電系統(tǒng)啟動(dòng)回路的順控流程以及相應(yīng)的故障處理方法。以上文獻(xiàn)均未對(duì)柔性直流啟動(dòng)過(guò)程中可能出現(xiàn)的充電電阻過(guò)流問(wèn)題及其與換流變壓器磁飽和的關(guān)系進(jìn)行研究。
本文首先詳細(xì)分析了換流變壓器剩磁較大或磁飽和導(dǎo)致充電電阻過(guò)流的機(jī)理。然后在電磁暫態(tài)仿真程序PSCAD/EMTDC中搭建了詳細(xì)的柔性直流仿真模型,針對(duì)仿真軟件中變壓器模型不能模擬初始剩磁的問(wèn)題,提出了變壓器初始剩磁模擬方法。最后仿真復(fù)現(xiàn)了剩磁對(duì)啟動(dòng)過(guò)程中充電電阻過(guò)電流的影響,通過(guò)與工程現(xiàn)場(chǎng)錄波的對(duì)比驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性,并提出了改進(jìn)措施。
廈門(mén)柔性直流輸電工程為兩端輸電系統(tǒng),聯(lián)接廈門(mén)市翔安南部至廈門(mén)島內(nèi)湖里,分別建設(shè)浦園和鷺島兩座換流站。廈門(mén)工程直流輸送容量為1 000 MW,直流電壓為±320 kV,直流電流為1 600 A。換流站間采用長(zhǎng)度為10.7 km的一回直流輸電線路進(jìn)行連接。工程為對(duì)稱(chēng)雙極接線方式,如圖1所示,送端換流站為定有功功率控制和定無(wú)功功率控制,其交流側(cè)以2回220 kV電纜接入彭厝變220 kV配電裝置;受端鷺島換流站為定直流電壓控制和定無(wú)功功率控制,其交流側(cè)以2回220 kV電纜接入湖邊變220 kV配電裝置。
廈門(mén)柔性直流工程的交流側(cè)包括交流斷路器、換流變壓器、充電電阻及其旁路刀閘等一次設(shè)備,直流側(cè)經(jīng)直流隔離開(kāi)關(guān)連接到直流線路。為了限制MMC預(yù)充電階段子模塊電容器的充電電流,在換流變壓器網(wǎng)側(cè)安裝有充電電阻,預(yù)充電結(jié)束后,閉合旁路刀閘,可以旁路充電電阻。
圖1 廈門(mén)柔性直流輸電系統(tǒng)示意圖
圖2 柔直換流站示意圖
下面以鷺島換流站的啟動(dòng)過(guò)程為例進(jìn)行分析(如圖2)。浦園、鷺島兩站的換流器處于熱備用狀態(tài)時(shí),首先閉合鷺島站換流變壓器交流側(cè)斷路器,對(duì)鷺島站不控整流充電,同時(shí)通過(guò)直流線路向浦園站充電。幾秒后,閉合浦園站的交流斷路器,從交流側(cè)對(duì)浦園站換流器進(jìn)行充電。當(dāng)換流站的直流側(cè)電壓上升至不控整流的穩(wěn)定值時(shí),閉合充電電阻旁路開(kāi)關(guān),旁路掉充電電阻。然后解鎖浦園站、鷺島站,待可控整流充電至指令值后,直流系統(tǒng)進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。
近期廈門(mén)工程在啟動(dòng)運(yùn)行過(guò)程中,鷺島站在利用交流系統(tǒng)對(duì)換流器進(jìn)行充電時(shí),充電電流衰減緩慢,控制系統(tǒng)上報(bào)“充電電阻長(zhǎng)期過(guò)流”,充電電阻反時(shí)限過(guò)負(fù)荷保護(hù)跳閘,導(dǎo)致啟動(dòng)失敗。
圖3和圖4分別為換流變壓器一次繞組和二次繞組電流的錄波波形(以A相為例)。由波形可知,交流斷路器閉合后,換流變壓器電流出現(xiàn)大幅增加,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間,變壓器電流衰減至一定值后不再衰減,同時(shí)變壓器電流波形發(fā)生了畸變。
對(duì)圖5中變壓器一次繞組電流穩(wěn)定后的波形進(jìn)行頻譜分析可知,在一次繞組電流中偶次諧波的占比較大,尤以二次諧波為主。
通過(guò)對(duì)圖4中變壓器二次繞組的電流波形進(jìn)行頻譜分析可知,二次繞組電流在經(jīng)過(guò)大約400 ms后突然出現(xiàn)一個(gè)直流分量并逐漸衰減,工程現(xiàn)場(chǎng)采用常規(guī)CT,無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量直流分量,因此可以斷定此時(shí)的副邊繞組中存在一個(gè)直流環(huán)流;同時(shí)副邊電流也包括較多的奇次諧波,占比最大的為三次諧波環(huán)流。
圖6為換流變壓器閥側(cè)的充電電流和直流電壓的錄波波形,由圖6可見(jiàn),換流變壓器閥側(cè)電流和直流電壓的值均無(wú)明顯異常,換流變壓器閥側(cè)電流的畸變是由換流變壓器電壓畸變引起的,因此換流閥及其取能電源系統(tǒng)并不是導(dǎo)致充電電流畸變的原因。
圖3 變壓器一次繞組電流
圖4 變壓器二次繞組電流
圖5 變壓器一次繞組電流穩(wěn)定后的波形
圖6 換流變壓器閥側(cè)充電電流和直流電壓
基于以上現(xiàn)場(chǎng)錄波的分析可知,充電電流畸變是由于變壓器磁路漸進(jìn)飽和,從而導(dǎo)致勵(lì)磁感抗值迅速減小,充電電流變大。而磁路飽和的原因則是由于換流變壓器中存在較大的剩磁。在啟動(dòng)過(guò)程中,閉合交流斷路器后,變壓器繞組的外施電壓驟增,基于磁鏈?zhǔn)睾愣ɡ?,該繞組在磁路中將激發(fā)出單極性的偏磁。若偏磁極性剛好和變壓器已有的剩磁極性相同,就可能因磁通疊加而使磁路迅速飽和,從而大幅度減小變壓器繞組的勵(lì)磁電抗,進(jìn)而導(dǎo)致數(shù)值可觀的勵(lì)磁涌流。勵(lì)磁涌流不僅峰值大,且含有較多的諧波及直流分量,最終造成充電電阻長(zhǎng)期過(guò)電流以及啟動(dòng)反時(shí)限過(guò)負(fù)荷保護(hù)跳閘。
按照《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》要求,大型變壓器在檢修后或運(yùn)行1~3 h后,必要時(shí)都要進(jìn)行直阻試驗(yàn)[10]。經(jīng)過(guò)直阻試驗(yàn),變壓器的鐵芯中會(huì)產(chǎn)生剩磁,而且由于大型變壓器的磁阻較小,因此直阻試驗(yàn)所加電流時(shí)間越長(zhǎng),剩磁也就越多。
對(duì)于圖7所示的變壓器,在正常情況下,即當(dāng)沒(méi)有直流剩磁影響的時(shí)候,以變壓器一次側(cè)電路為例,可以列寫(xiě)出電路方程如下式所示:
式中:
V1—變壓器一次側(cè)電壓;
N1—變壓器一次繞組的匝數(shù);
φ—通過(guò)變壓器一次側(cè)鐵心磁通;
R—變壓器一次繞組電阻;
i1為一次側(cè)的勵(lì)磁電流。
由于Ri1相對(duì)比較小,在分析瞬態(tài)過(guò)程初始階段可以忽略不計(jì),所以變壓器一次側(cè)電壓可表示為
當(dāng)有直流剩磁影響的情況下,需要對(duì)變壓器模型進(jìn)行改進(jìn)。具體做法是在一次側(cè)的X端口和二次側(cè)的X端口(或者是地)之間加一個(gè)直流電壓源,直流電壓源的數(shù)值可以按照實(shí)際情況來(lái)確定,這里假定直流電壓源的數(shù)值為V0,此時(shí)相應(yīng)的電路方程就變成:
將式(3)重寫(xiě)為:
將式(4)兩邊進(jìn)行積分,可得總磁通如式(5)所示:
式中:
φs—?jiǎng)?lì)磁磁通;
φ0—剩磁。
圖7 變壓器示意圖
圖8 變壓器的φ-i曲線
由式(5)可知,變壓器的總磁通為激磁磁通和剩磁的疊加。圖8為變壓器的φ-i曲線,當(dāng)總磁通φ等于飽和磁通φb時(shí),其電流為飽和電流,當(dāng)總磁通φ大于飽和磁通φb時(shí),磁路飽和。在磁路飽和以后,隨著磁通的進(jìn)一步增大,將會(huì)有很大的過(guò)電流。若激磁磁通與剩磁的極性相同,則剩磁表現(xiàn)為助磁效果,變壓器總磁通會(huì)大于飽和磁通進(jìn)入飽和區(qū),使變壓器的勵(lì)磁涌流進(jìn)一步加大,出現(xiàn)過(guò)電流。
為了復(fù)現(xiàn)工程中變壓器剩磁和漸進(jìn)飽和對(duì)于不控充電過(guò)程的影響,需要在仿真模型中對(duì)變壓器的飽和特性和初始剩磁進(jìn)行詳細(xì)模擬。以PSCAD/EMTDC為仿真工具,目前EMTDC中的變壓器模型能夠?qū)?lì)磁繞組的飽和非線性特性進(jìn)行詳細(xì)模擬。其原理是在變壓器端子間并聯(lián)可控電流源,通過(guò)對(duì)變壓器繞組電壓進(jìn)行積分得到變壓器的總磁通,再利用磁通-勵(lì)磁電流的非線性曲線得到可控電流源的值,如圖9所示。
然而,目前EMTDC中的變壓器模型不具備模擬初始剩磁的功能,需對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。由式(3)-(5)可知,可通過(guò)在EMTDC變壓器模型的副邊環(huán)路中串聯(lián)直流電壓源來(lái)模擬初始剩磁,如圖10所示。
圖9 不考慮剩磁的變壓器模型
圖10 考慮剩磁的變壓器模型
由式(5)可得剩磁表達(dá)式為
由于初始剩磁為定值,因此圖10中串聯(lián)的直流電壓源表達(dá)式V0應(yīng)該為一個(gè)隨時(shí)間衰減的函數(shù)。在此假定V0的表達(dá)式為一個(gè)指數(shù)函數(shù),如下式所示:
式中:
Vm—直流電壓源的初始值;
α—衰減因子。
根據(jù)實(shí)際工況,在仿真的初始時(shí)刻即存在剩磁,因此衰減因子α需要設(shè)置較大的值,V0的值需要根據(jù)模擬的初始剩磁的大小進(jìn)行設(shè)置,其計(jì)算表達(dá)式如下所示:
因此可通過(guò)對(duì)附加直流電壓源進(jìn)行積分得到變壓器初始剩磁,可以等效為在圖9所示的積分器中增加一個(gè)初始值設(shè)置。
表1 換流器的主要參數(shù)
表2 換流變壓器的主要參數(shù)
為了對(duì)上述變壓器直阻試驗(yàn)后的交流對(duì)直流換流器的充電過(guò)程進(jìn)行驗(yàn)證,根據(jù)第1節(jié)的廈門(mén)工程技術(shù)方案,在電磁暫態(tài)仿真軟件PSCAD/EMTDC中,搭建了廈門(mén)柔直工程的詳細(xì)仿真模型,換流器和換流變壓器的主要參數(shù)分別如表1和表2所示。
根據(jù)4.2節(jié)的分析,在PSCAD變壓器副邊環(huán)路中增加了可控直流電壓源以模擬剩磁,如圖11所示,可控直流電壓源的直流電壓如圖12所示。為了模擬變壓器的漸進(jìn)飽和特性對(duì)換流站不控充電過(guò)程的影響,在PSCAD變壓器模型中利用使能飽和特性模擬功能,飽和設(shè)置在副邊,并按照變壓器銘牌設(shè)定變壓器的參數(shù)。
在5.1節(jié)搭建的仿真模型中仿真閉合換流變壓器網(wǎng)側(cè)交流斷路器,對(duì)MMC對(duì)不控充電的過(guò)程進(jìn)行模擬,充電過(guò)程中換流變壓器一次側(cè)和二次側(cè)的電流分別如圖13和圖14所示。
圖11 PSCAD中變壓器初始剩磁模擬
圖12 變壓器初始剩磁模擬(直流電壓源)
圖13 變壓器一次繞組電流波形
由圖13和圖14可見(jiàn),變壓器一次繞組和二次繞組電流的仿真波形均與錄波波形高度吻合。由于變壓器直阻試驗(yàn)后存在剩磁,因此在合閘瞬間,變壓器磁路漸進(jìn)飽和,導(dǎo)致勵(lì)磁電抗變小,勵(lì)磁電流快速增大。由于廈門(mén)柔性直流工程中充電電阻安裝在換流變壓器一次側(cè),充電電阻長(zhǎng)時(shí)間過(guò)電流,因此充電電阻反時(shí)限過(guò)負(fù)荷保護(hù)跳閘。
圖14 變壓器二次繞組電流波形
1)建議在直流工程中將限流電阻(充電電阻)安裝在換流變壓器閥側(cè)。變壓器進(jìn)入飽和區(qū)時(shí),勵(lì)磁電抗變小,變壓器電流主要流經(jīng)一次繞組和勵(lì)磁支路,而二次繞組的電流則相對(duì)較小。因此,將限流電阻安裝在換流變壓器閥側(cè),既能很好地限制子模塊電容的充電電流,又能避免因變壓器磁路飽和而過(guò)流燒毀。
2)建議在變壓器直阻試驗(yàn)以后對(duì)變壓器進(jìn)行局放試驗(yàn),以消除剩磁。按照電力變壓器運(yùn)行檢修要求,要定期對(duì)其進(jìn)行直阻試驗(yàn),而試驗(yàn)后變壓器中會(huì)存在剩磁。因此,在變壓器進(jìn)行直阻試驗(yàn)以后,應(yīng)當(dāng)對(duì)變壓器進(jìn)行局部放電試驗(yàn),以徹底消除剩磁。在進(jìn)行消磁之后,再閉合交流斷路器對(duì)MMC的子模塊電容進(jìn)行充電。
本文對(duì)廈門(mén)柔性直流工程充電電阻過(guò)電流導(dǎo)致反時(shí)限過(guò)負(fù)荷保護(hù)跳閘的現(xiàn)象進(jìn)行了研究及仿真分析,得到如下結(jié)論:
1)該現(xiàn)象的原因是換流變壓器直阻試驗(yàn)后存在直流剩磁,在不控充電時(shí)由于合閘時(shí)刻導(dǎo)致變壓器磁路漸進(jìn)飽和,從而使充電電阻長(zhǎng)時(shí)間過(guò)電流。
2)通過(guò)在PSCAD變壓器模型的副邊環(huán)路中串聯(lián)直流電壓源的形式來(lái)模擬初始剩磁,直流電壓源的直流電壓值由變壓器剩磁決定。
3)為了避免此類(lèi)現(xiàn)象的再次發(fā)生,結(jié)合實(shí)際工程應(yīng)用,給出了以下建議:①建議將限流電阻(充電電阻)安裝在換流變壓器閥側(cè);②建議以后在變壓器年檢之后要先對(duì)變壓器進(jìn)行局放試驗(yàn),將剩磁徹底消除以后再進(jìn)行充電試驗(yàn)。
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