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      高密度電阻率法在貴州巖溶地區(qū)塌陷測量效果探討

      2020-04-26 09:12:52張德實楊炳南沈小慶張德全
      工程地球物理學(xué)報 2020年1期
      關(guān)鍵詞:斷面圖電性溶洞

      張德實,楊炳南,沈小慶,何 帥,張德全

      (1.貴州省地礦局 103地質(zhì)大隊,貴州 銅仁 554300;2.中國地質(zhì)大學(xué) 地球科學(xué)學(xué)院,湖北 武漢 430074)

      1 引 言

      高密度電阻率法(也稱高密度電法)是以巖、礦石之間電性差異為基礎(chǔ)的直流電阻率法,集電阻率測深法和電阻率剖面法于一體,一次布極即可以完成縱、橫向二維勘探過程,既能反映地下某一深度沿水平方向巖土體的電性變化,又能提供地層沿縱向的電性變化情況[1]。該方法具有觀測精度高、數(shù)據(jù)采集量大、地質(zhì)信息豐富、生產(chǎn)效率高、探測深度靈活等特點(diǎn),被廣泛地應(yīng)用于地質(zhì)災(zāi)害、水文地質(zhì)、工程地質(zhì)勘查工作中[2,3]。

      2 塌陷點(diǎn)概況

      塌陷點(diǎn)位于兩棟樓房之間,塌陷地面位置呈橢圓狀,長軸方向正南北,短軸方向正東西,長軸半徑約1 m,短軸半徑約0.5 m,可見深度約5 m,可見塌陷底部為垮塌黏土、石塊。塌陷點(diǎn)近地表有東西向、南北向生活污水管道,管道已斷裂,污水自然向塌陷位置排泄,可見塌陷底部周圍黏土顏色偏深,濕水跡象明顯(圖1)。

      圖1 塌陷點(diǎn)現(xiàn)場照片F(xiàn)ig.1 Collapse photos

      3 地質(zhì)地球物理特征

      工作區(qū)場地基巖為三疊系下統(tǒng)茅草鋪組(T1m)灰?guī)r,原生第四系(Q)浮土約2 m,后因住宿樓建設(shè),場地在回填0~6 m不等黏土后形成較為平整的現(xiàn)有場地條件。

      工勘鉆孔顯示整個工作區(qū)基巖面起伏較大,節(jié)理裂隙比較發(fā)育,縱向規(guī)模0.5~2 m的土洞(充填型溶洞)在不同位置發(fā)育。根據(jù)塌陷實情與鉆孔控制建立的地質(zhì)模型如圖2所示。

      本次工作采用小四極法[4]對工區(qū)內(nèi)露頭巖石、黏土、生活污水等進(jìn)行了多次測量,得到的電性參數(shù)統(tǒng)計于表1。

      1-回填土;2-三疊系下統(tǒng)茅草鋪組灰?guī)r;3-塌方堆積體;4-土(充填型溶)洞;5-鉆孔圖2 塌陷位置地質(zhì)模型Fig.2 Geological model map of collapse location

      表1 工區(qū)巖石電性參數(shù)

      Table 1 Electrical parameters of rock in the working area

      根據(jù)測定的電性參數(shù)可知,三疊系下統(tǒng)茅草鋪組灰?guī)r電阻率為412~1 661 Ω·m,平均值788 Ω·m;工區(qū)的回填土層電阻率為33~254 Ω·m,平均值130 Ω·m;自來水的電阻率為35~45 Ω·m,平均值40 Ω·m;生活污水因為參入雜質(zhì)導(dǎo)致電阻率比自來水小,約為1~35 Ω·m,平均值20 Ω·m;根據(jù)以往類似工作區(qū)數(shù)據(jù),無物質(zhì)填充的溶洞電阻率較大[5,6],而充填淤泥或富含水的溶洞往往電阻率較低,此為高密度電法在本區(qū)實施的物性前提。

      4 工作方法及數(shù)據(jù)處理

      4.1 方法原理

      4.1.1 數(shù)據(jù)觀測原理

      高密度電法用供電電極(A、B)向地下供直流(或超低頻)電流(I),同時在測量電極(M、N)間觀測電勢差(ΔUMN),并計算出視電阻率(ρs)[7],K為裝置系數(shù)。

      (1)

      4.1.2 反演原理

      本次數(shù)據(jù)處理反演方法選擇的是最小二乘法反演法,其主要是以平滑限定的最小二乘法為基礎(chǔ),對二維視電阻率斷面進(jìn)行反演。計算過程首先假設(shè)反演的視電阻率模型是由許多電阻率值為常數(shù)的矩形塊組成,通過迭代非線性最優(yōu)化方法確定每一小塊的電阻率值,因為利用了平滑限定條件下的最小二乘法,所求出的電阻率值與實際測量的視電阻率值將非常接近。平滑限定的最小二乘法方程為:

      (2)

      4.2 數(shù)據(jù)采集及處理

      本次工作剖面布置東西向穿過已發(fā)生塌陷位置,采用溫納裝置[10],點(diǎn)距2 m,電極90道,斷電時間0.5 s,隔離系數(shù)20。數(shù)據(jù)采集使用了重慶地質(zhì)儀器廠生產(chǎn)的DUK-2A高密度電法測量系統(tǒng)(圖3)。

      數(shù)據(jù)處理主要步驟包含(圖4):

      1)剔除電極接地不好等因素引起的數(shù)據(jù)壞點(diǎn)和突變點(diǎn);

      2)建立不同類型模型進(jìn)行反演,得到理論模型反演視電阻率斷面圖[11];

      3)用剔除壞點(diǎn)后的測量數(shù)據(jù)正演和反演,得到實際測量數(shù)據(jù)的正、反演視電阻率斷面圖,分別對比反演模型與實測視電阻率斷面圖,綜合分析解釋高密度電阻率法測量成果。

      圖3 測量剖面布置Fig.3 Survey section layout

      5 剖面綜合解釋

      5.1 建模及反演

      根據(jù)塌陷位置實情,用RES2DMOD[12,13]軟件建立三個模型:一是全部高阻(模擬無充填物溶洞)的模型;二是全部低阻(模擬全充填泥質(zhì)或水等物質(zhì)溶洞)模型;三是與實情較吻合的上高阻(模擬塌陷形成的上部空洞)、下低阻(模擬塌陷下方充填型含水土洞)模型。再用RES2DINV軟件反演得到三個模型的反演斷面圖進(jìn)行對比分析研究。

      無充填型溶洞模型反演斷面圖表現(xiàn)出視電阻率高阻圈閉的電性特征,兩側(cè)對稱出現(xiàn)“八字形”異常,視電阻率值比中間位置偏小。高阻異常中心埋深比模型體中心埋深略淺(圖5)。

      全充填型溶洞模型反演斷面圖表現(xiàn)出視電阻率低阻圈閉的電性特征,兩側(cè)對稱出現(xiàn)“八字形”異常,電阻率值比中間位置偏大。低阻異常中心埋深比模型體中心埋深略深(圖6)。

      半充填型溶洞模型反演斷面圖表現(xiàn)出視電阻率高阻圈閉與低阻圈閉等縱軸出現(xiàn)的電性特征,形態(tài)與水槽實驗中獨(dú)立高阻、低阻球狀體異常相似[14]。埋深更深、與“圍巖”電性差異更小的低阻形態(tài)范圍,大于埋深較淺、與“圍巖”電性差異更大的高阻體形態(tài),且在橫向兩側(cè)對稱出現(xiàn)“八字形”異常。高、低阻異常接合部位置中心埋深與模型體中心埋深趨近一致[15](圖7)。

      圖5 無充填溶洞模型及反演斷面Fig.5 Emptily filled karst cave model and inversion section map

      圖6 全充填溶洞模型及反演斷面Fig.6 Fully filled karst cave model and inversion section map

      圖7 半充填溶洞模型及反演斷面Fig.7 Half-filled karst cave model and inversion section map

      5.2 實測數(shù)據(jù)及反演

      圖8 測量數(shù)據(jù)視電阻率斷面Fig.8 Forward of apparent resistivity profiles

      實測數(shù)據(jù)視電阻率斷面圖(圖8)顯示塌陷位置淺地表有局部高阻異常,塌陷下方有不規(guī)則低阻圈閉異常,異常頂界埋深4.5 m,底界埋深8 m,底界與G3鉆孔控制的土(溶)洞底界差0.9 m。

      圖9 測量數(shù)據(jù)反演視電阻率斷面Fig.9 Inversion of apparent resistivity profiles

      實測數(shù)據(jù)反演視電阻率斷面圖(圖9)顯示,塌陷位置淺地表有局部高阻異常,塌陷下方有不規(guī)則低阻圈閉異常,異常頂界埋深5 m,底界埋深9 m,底界埋深與G3鉆孔控制的土(溶)洞底界趨于一致,比正演同位置低阻異常范圍略大。低阻異常兩側(cè)有明顯“八字形”低阻異常對稱出現(xiàn),淺地表高阻異常兩側(cè)有較明顯“八字形”高阻異常對稱出現(xiàn)。

      6 結(jié) 論

      通過對高密度電法在該工區(qū)測量成果的分析研究,得出以下結(jié)論:

      1)獨(dú)立的無充填型溶洞在反演斷面圖上表現(xiàn)出高阻圈閉異常形態(tài),兩側(cè)有對稱“八字形”高阻異常出現(xiàn),反演高阻異常中心埋深比模型體中心埋深略淺。

      2)獨(dú)立的全充填型溶洞在反演斷面圖上表現(xiàn)出低阻圈閉異常形態(tài),兩側(cè)有對稱“八字形”低阻異常出現(xiàn),反演低阻異常中心埋深比模型體中心埋深略深。

      3)半充填型溶洞在反演斷面圖中表現(xiàn)出高阻圈閉與低阻圈閉異常等縱軸出現(xiàn)的形態(tài),且在橫向兩側(cè)對稱出現(xiàn)“八字形”異常。高、低阻異常接合部位置中心埋深與模型體中心埋深趨近一致。

      4)實測數(shù)據(jù)視電阻率斷面圖能夠反映有鉆孔控制的隱伏溶洞二維形態(tài),頂界、底界埋深比實際位置略淺,兩側(cè)對稱“八字形”異常不明顯。

      5)實測數(shù)據(jù)反演斷面圖能夠反映有鉆孔控制的隱伏溶洞二維形態(tài),頂界埋深比實際位置略淺,底界埋深與實際位置較接近,兩側(cè)對稱“八字形”異常明顯。

      6)本文介紹的巖溶地區(qū)塌陷案例用半充填溶洞模型反演分析,結(jié)合高密度電法測量數(shù)據(jù)正、反演成果研究,能夠獲得誘發(fā)地面塌陷的深部巖溶縱向深度、橫向規(guī)模及形態(tài),對于塌陷的評估、治理提供科學(xué)依據(jù)。

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