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    S型ZnO/ZnS復(fù)合材料的制備與制氫性能研究

    2020-02-22 04:44:23王國宏
    云南化工 2020年4期
    關(guān)鍵詞:花球去離子水制氫

    蔣 潔,王國宏

    (湖北師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,湖北 黃石 435002)

    1 實驗部分

    1.1 化學(xué)藥品

    化學(xué)藥品均是分析純,實驗所用水均為去離子水。

    1.2 樣品制備

    首先,通過溶劑熱及煅燒的方法制備出ZnO花球。依次將1g硫酸鋅,0.4g二水檸檬酸鈉和0.5g尿素加入80mL去離子水,攪拌均勻后轉(zhuǎn)移至100mL反應(yīng)釜,溶劑熱反應(yīng)條件為180℃保溫3h。冷卻后分別用無水乙醇、去離子水交替離心洗滌沉淀物,并于60℃條件下真空干燥12h。前驅(qū)體煅燒溫度為300℃,保溫2h,升溫速率2℃/min,隨爐冷卻至室溫即可獲得ZnO花球。

    其次,采用離子交換法制備了ZnO/ZnS復(fù)合花球。先配制60mL不同濃度的Na2S水溶液,具體可根據(jù)ZnS/ZnO的物質(zhì)的量比=0.5、1、1.5和2計算出Na2S的量[1]。然后再將0.1 g ZnO花球粉末分別加入配好的溶液,60℃、水浴24h。冷卻后的沉淀用無水乙醇、去離子水交替離心洗滌,再用60℃真空干燥12h,樣品分別標記為:ZOS-0.5、ZOS-1、ZOS-1.5 和 ZOS-2。

    1.3 樣品表征

    本文樣品表征使用了X射線衍射儀(Bruker D8 Advance)、掃描電子顯微鏡 (JXA-840A)、透射電子顯微鏡(Tecnai G20)、X射線光電子能譜儀(K-Alpha)、紫外可見分光光度計 (UV-2600)、熒光光譜儀(FL-4500) 和電化學(xué)工作站(CHI660C) 等儀器[2]。

    1.4 光催化活性與光電化學(xué)性能測試

    分別將20mg的光催化劑、0.35 mol/L的Na2S和0.25 mol/L的Na2SO3犧牲劑分散到裝有100mL去離子水的Pyrex三口燒瓶中,再通過攪拌、超聲以保證樣品在反應(yīng)時均勻分散在溶液中。為確保反應(yīng)體系的厭氧條件,需先對懸浮液通氮氣15min再對燒瓶進行密封[3]。反應(yīng)時采用350W氙燈所發(fā)出的模擬太陽光作為光源,制氫過程以3h為一個循環(huán),在單個循環(huán)過程中每經(jīng)1h需用取樣器收集1mL氣體注入氣相色譜(SP-7820,TCD)以進行產(chǎn)H2量分析。光電化學(xué)測試在電化學(xué)工作站(CHI660C,Shanghai,China) 系統(tǒng)中進行,該系統(tǒng)分別包括以下三個電極:Pt對電極、飽和Ag/AgCl參比電極和FTO玻璃導(dǎo)電面涂有1 cm2樣品膜的工作電極。另外,測試所用電解質(zhì)為pH=7的1 mol/L Na2SO4水溶液,光源由規(guī)格為3 W、365 nm的LED單色點燈提供。

    1.5 光催化活性與光電化學(xué)性能測試

    DFT理論模擬計算利用了Materials Studio軟件中的CASTEP模塊。Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE) 泛函廣義梯度近似(GGA) 被用來描述交換關(guān)聯(lián)相互作用。分別設(shè)置450 eV和4×4×1為截斷能和Monkhorst-Pack k點網(wǎng)格。期間,先選擇2nm的真空層來消除周期性結(jié)構(gòu)之間的相互作用再進行表面模型的構(gòu)建。然后,再由16個Zn、16個O原子和16個Zn、16個S原子組成了ZnO的(002) 晶面模型和ZnS的(111) 晶面模型。在幾何優(yōu)化過程中,模型的下半部原子是固定的,其他原子是松弛的。通過DFT理論模擬計算,已知真空能級(EV)和費米能級(EF)數(shù)值,則功函數(shù)(Φ)可定義為:Φ=EV-EF。

    2 結(jié)果和討論

    用XPS比較和評價了復(fù)合材料與純物質(zhì)中表面化學(xué)態(tài)的差異,全譜及Zn 2p,O 1s,S 2p的XPS高分辨譜,表明全譜檢測出的元素與樣品化學(xué)成分吻合,皆存在Zn、O、S元素。根據(jù)圖4 b,復(fù)合物ZOS-1.5的Zn 2p高分辨譜中結(jié)合能為1022.1 eV和1045.2 eV的兩個峰分別歸屬于Zn 2p3/2和Zn 2p1/2[3]。與純ZnO相比,復(fù)合物ZOS-1.5中Zn 2p的結(jié)合能偏移-0.5 eV,而與ZnS相比則偏移+0.2 eV。S 2p高分辨譜,ZnS在160 eV,161 eV和162.1 eV處分裂的三個子峰分別歸屬于缺陷態(tài)、S 2p3/2和S 2p1/2。上述XPS分析結(jié)果表明,ZnS與ZnO在復(fù)合時,電子將從ZnS遷移到ZnO從而使兩者在界面處的結(jié)合更加緊密。

    上述XPS結(jié)果表明在ZnO/ZnS復(fù)合材料內(nèi),ZnO與ZnS界面間存在較強的給體-受體耦合,即電子從ZnS轉(zhuǎn)移到ZnO,基于自由電子的重新分布,ZnS表面帶正電荷,ZnO表明帶負電荷,從而形成從ZnS指向ZnO的內(nèi)建電場[4]。

    3 結(jié)論

    本章采用水熱法制備了氧化鋅分級花球,然后通過離子交換法在ZnO表面原位生成ZnS,從而獲得ZnO/ZnS復(fù)合物。實驗結(jié)果表明ZnS/ZnO的物質(zhì)的量比為1.5時,復(fù)合材料的光催化制氫性能(9.97 mmol g-1h-1)最好,說明ZnS的負載存在最佳值。ZnS的引入提高了ZnO在可見光區(qū)域的吸收和電子空穴的分離效率。通過XPS分析、功函數(shù)計算和羥基自由基檢測實驗,驗證了ZnO與ZnS在光照條件下的S型電荷轉(zhuǎn)移機理。這種S型光生載流子遷移機理能有效提高光催化劑的性能。

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