茍開元 方志杰 寧林 劉美玲 莫曼
摘要:利用第一性原理分析粘土礦物蒙脫石在高應(yīng)力下的微觀物理和化學件質(zhì)。通過密度泛函理論(DFT)的局域密度近似(LDA)理論研究蒙脫石的原子和電子結(jié)構(gòu),計算結(jié)果表明:隨著應(yīng)力的增加,蒙脫石的Si-O鍵比Al-O鍵穩(wěn)定,H-O鍵沒有變化。高應(yīng)力可以改變蒙脫石的能帶結(jié)構(gòu),當P=33.2GPa時,蒙脫石的能帶結(jié)構(gòu)南間接帶隙變?yōu)橹苯訋?當P=39.2GPa時,蒙脫石的能帶結(jié)構(gòu)又恢復為間接帶隙。此外,彈性常數(shù)計算結(jié)果表明:對于垂直于品面有關(guān)的彈性常數(shù)C33、C66受應(yīng)力影響較大,對于剪切變形彈性常數(shù)C44、C66在20GPa~30GPa均有微小的下降趨勢,且整個過程C44變化幅度不大。計算結(jié)果有助于了解高應(yīng)力下蒙脫石的電子結(jié)構(gòu),為進一步了解蒙脫石的物理化學件能提供理論依據(jù)。
關(guān)鍵詞:蒙脫石;高應(yīng)力;第一性原理
中圖分類號:TD985;P574DOI:10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2020.01.005
O 引言
深部礦井開挖、深地質(zhì)核廢料埋藏及深部頁巖儲氣丁程,均對粘土礦物的力學特性及吸水性能研究提出了新的要求。在深部巖土工程中,一個經(jīng)常遇到的工程問題是巷道大變形破壞,而粘土礦物具有很強的吸水膨脹特性,研究發(fā)現(xiàn)粘土礦物所處環(huán)境的溫度,濕度,壓力等均對深部巖土工程的影響十分巨大。蒙脫石作為粘土礦物的主要成分,其結(jié)構(gòu)組成為2:1的層間結(jié)構(gòu),層間吸附水分子效果顯著。深部巖土工程處于高應(yīng)力作用下,要解決巷道大變形的問題,首先要了解蒙脫石的內(nèi)部性質(zhì)。因此,必須全面的認識在高應(yīng)力下蒙脫石的原子和電子結(jié)構(gòu),物理和化學性質(zhì)。
眾多國內(nèi)外學者對蒙脫石進行了大量的物理和化學研究,例如XRD衍射實驗、壓力實驗、浸水實驗等。研究發(fā)現(xiàn),蒙脫石層間含有大量可交換陽離子如Na+、K+、Ca2+、Mg2+。但是目前為止,對深部巖土T程中高應(yīng)力下蒙脫石的研究還很少,特別是利用第一性原理針對高應(yīng)力下蒙脫石的研究存在不足。為此,在本次研究中,使用第一性原理計算材料軟件vasp建立蒙脫石晶體模型,對蒙脫石進行了第一性原理的計算,并分析高應(yīng)力下蒙脫石的能帶結(jié)構(gòu)、電子態(tài)密度、鍵長以及能量體積、彈性常數(shù)變化等。該結(jié)果有助于從微觀角度闡述蒙脫石的物理和化學性質(zhì)。
1理論方法
蒙脫石是由顆粒極細的含水鋁硅酸鹽構(gòu)成的層狀黏土礦物,屬于C2/m(單斜晶體)的空間結(jié)構(gòu),由兩層Si-O四面體位于一層Al-O八面體組成,蒙脫石的水分子以羥基的形式存在并連接蒙脫石分子。在目前研究中使用分子式Al2Si4O12H2來構(gòu)建蒙脫石的計算模型,經(jīng)vasp軟件包對其進行結(jié)構(gòu)優(yōu)化得到蒙脫石晶胞模型如圖1所示。該晶胞含有20個原子,即2個H原子,2個Al原子,4個Si原子和12個O原子。其結(jié)構(gòu)計算是基于密度泛函理論(DFT)的局域密度近似(LDA)方法,在材料模擬軟件和計算物質(zhì)科學軟件包(vasp)中導入原子位置和投影擴充波(PWD)贗勢文件實現(xiàn)。所有原子位置根據(jù)計算的Helmann-Feynman力馳豫。平面波截斷能ENCUT設(shè)置為500ev,布里淵區(qū)的K點設(shè)置為2×2×2,收斂標準EDIFF=1E-5,EDIFFG=-1E-2.在計算中,3s、3p的Al,3s、3p的si,1s的H和2s、2p的O都被視為價電子。采用共軛梯度法對原子位置進行優(yōu)化,計算出蒙脫石結(jié)構(gòu)優(yōu)化參數(shù)為a=5.12732A,b=5.12732A,c=9.36908A。并且對蒙脫石進行0~100GPa的應(yīng)力計算(此應(yīng)力屬于靜水壓力,均勻分布在物體各個表面),以了解蒙脫石在高應(yīng)力下電子結(jié)構(gòu)的變化。
2結(jié)果與分析
由圖1蒙脫石晶體結(jié)構(gòu)可以看出,所有的氧原子雖然對稱分布,但它們并不等價,其中氧原子可分為3種:硅環(huán)系統(tǒng)橋接到鋁環(huán)系統(tǒng)的稱為頂端氧(O2、O4、O6、O8);連接硅原子的氧原子稱為環(huán)氧(O1、O3、O5、O7、O9、O10);連接內(nèi)部氫原子的氧稱為內(nèi)部氧(O11、O12)。由表1可知,當應(yīng)力為0GPa時,Si-O(頂端氧)鍵長。略長于Si-O(環(huán)氧),Al-O(頂端氧)鍵鍵長要長于Si-O(頂端氧)和Si-O(環(huán)氧)鍵長,此外,蒙脫石為2:1的層狀黏土礦物,在外界的應(yīng)力作用下會導致結(jié)構(gòu)體積和內(nèi)部化學鍵的顯著變化。從計算結(jié)果可以看出:隨著應(yīng)力從0~100GPa增加,Al-O(頂端氧)鍵鍵長顯著減少,由1.9l A減少到1.76A,減少了0.15A,其中0~20GPa變化了0.06A,占總變化的40%;到40GPa變化了0.09A,占總變化的60%。Si-O(頂端氧)鍵鍵長和Si-O(環(huán)氧)鍵鍵長雖然也隨著應(yīng)力的增加而減少,分別減少0.07A和0.06A,變化并不明顯。羥基H-O(內(nèi)部氧)鍵長基本沒有變化,維持在0.98A??傮w來看Si-O鍵長小于Al-O鍵,并在應(yīng)力的作用下Si-O鍵減小幅度更小,成鍵更加穩(wěn)定,這也解釋了蒙脫石內(nèi)部的Al離子更容易被外界二價金屬陽離子(如Mg2+)所置換。
為了進一步了解蒙脫石內(nèi)部的電子結(jié)構(gòu),對蒙脫石晶體進行了不同應(yīng)力下的能帶計算,如圖3所示。圖中布里淵區(qū)高對稱性K點為,L(-0.5,0,0.5),M(-0.5,0.5,0.5),A(-0.5,0,0),G(0,0,0),z(0,-0.5,0.5),V(0,0,0.5)。圖3(a)當應(yīng)力為0GPa時,價帶頂(VBM)位于L點,導帶底(CBM)位于G點,說明蒙脫石在無應(yīng)力狀態(tài)下具有間接帶隙,帶隙寬度為5.51ev。但是當應(yīng)力增加到40GPa的時候,發(fā)現(xiàn)了一個現(xiàn)象,價帶頂(VBM)位于G點,導帶底(CBM)位于L點,如圖3(d)所示。這說明隨著應(yīng)力的增加,價帶頂和導帶底發(fā)生變化,從而改變了蒙脫石內(nèi)部的能帶結(jié)構(gòu)。為了進一步找到這些發(fā)生偏移的點(也稱畸變點),對此進行了更為詳細的應(yīng)力分級計算,如表2所示。
從表2可以直觀的反映出蒙脫石晶體在0~100GPa的能帶變化。當應(yīng)力為0~33.1GPa時,價帶頂(VBM)位于L點,導帶底(CBM)位于G點,能帶結(jié)構(gòu)為間接帶隙;當應(yīng)力為33.2GPa時,轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋?,價帶頂和導帶底都位于L點;此外,當應(yīng)力增加到39.2GPa,能帶又轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙。由此可見,在應(yīng)力為33.2GPa和39-2GPa時,蒙脫石的能帶結(jié)構(gòu)會產(chǎn)生畸變,這也與前面蒙脫石的能帶圖所反映的結(jié)果相一致。對此,通過圖3和表2的數(shù)據(jù)作出了不同應(yīng)力下高對稱點的能量值,如圖4所示。
隨著應(yīng)力的增加,蒙脫石晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電子結(jié)構(gòu)層面發(fā)生了顯著的變化,而態(tài)密度作為物質(zhì)結(jié)構(gòu)性質(zhì)的重要的體現(xiàn)形式,對蒙脫石態(tài)密度的研究也非常有必要(如圖5所示)。蒙脫石晶胞中含有si,A1,H,0原子,其中0原子根據(jù)位置的不同分為3種,分解得到軌道投影態(tài)密度(PDOS)中的費米能級設(shè)置為0ev處。從圖5中可以發(fā)現(xiàn),不同種類的O原子的PDOS是相似的,這種相似性是由于O原子的高離子性造成的。隨著應(yīng)力的增加,由O原子組成的2p電子的能量分布較為廣泛,主要在-10eV~0eV的范圍內(nèi)。另一方面,在一10eV~0eV范圍內(nèi),發(fā)現(xiàn)也有Si原子的3s、3p的態(tài)電子和Al原子的3s、3p的態(tài)電子這就意味著,蒙脫石中的Si-O,Al-O化學鍵有可能觀察到共價鍵成分;同時,蒙脫石中O,si,Al原子的態(tài)密度能量分布變寬,峰值有所降低,說明當應(yīng)力增大時,蒙脫石中Si-O,Al-O所成的共價鍵更牢固,這與前面表1所討論的鍵長變小相應(yīng)證。
地層中不同深度的巖層所處的地質(zhì)環(huán)境不同,因此巖石的彈性質(zhì)會隨著溫度壓力的變化而變化。黏土礦物作為頁巖中最主要的礦物之一,研究粘土礦物壓力下的彈性對了解不同地質(zhì)環(huán)境下頁巖力學性質(zhì)的變化具有重要意義。表3列出了蒙脫石在無應(yīng)力情況下彈性常數(shù),從表中可以看出C22略大于C11說明b方向的剛度大于a方向的剛度;而垂直于晶面的C33明顯比平行晶面的C11、C22小,這是由于蒙脫石晶層與晶層之間以范德華力結(jié)合,鍵能很弱,層間作用遠小于晶層內(nèi)的鍵結(jié)作用。C12、C13、C23對應(yīng)于兩平面相交的變形彈性常數(shù),C44、C66對應(yīng)于剪切變形的彈性常數(shù),其中在剪切變形中,垂直晶面的彈性常數(shù)C66也小于平行于晶面的彈性常數(shù)C44。
進一步分析不同應(yīng)力作用下對蒙脫石彈性常數(shù)的影響,通過對蒙脫石在0~100GPa進行計算,以每10GPa分層計算。從圖6(a)可以看出,蒙脫石彈性常數(shù)C11、C22、C33隨應(yīng)力的增加均增大,其中垂直于晶面的彈性常數(shù)C33受應(yīng)力影響變化較大,達到100GPa時彈性常數(shù)是無應(yīng)力狀態(tài)下的15.48倍;而C11、22分別是無應(yīng)力狀態(tài)下的3.54倍和3.04倍。從圖中可以看出C11的變化符合線性變化的規(guī)律,其斜率值為0.403.從圖6(b)可以看出,對于蒙脫石剪切變形的彈性常數(shù)C44、C66變化過程十分相似,均在0~20GPa處于上升階段,20GPa~30GPa有微小的下降趨勢,之后一直處于上升趨勢;雖然整個過程彈性常數(shù)增加,但平行于晶面的C44受應(yīng)力的影響較小,增加的幅度不大,100GPa時C44是無應(yīng)力狀態(tài)下的1.54倍,而垂直于晶面的C66受應(yīng)力影響較大,100GPa時C66是無應(yīng)力狀態(tài)下的9.59倍。從圖6(c)可以看出C12、C13、C14均隨應(yīng)力的增加而遞增,變化規(guī)律也較為相似。其中100GPa時彈性常數(shù)C12、C13、C23分別是無應(yīng)力狀態(tài)下的18.79倍,17.51倍和41.35倍。
3總結(jié)
利用第一性原理計算分析蒙脫石在高應(yīng)力下的電子結(jié)構(gòu)變化。計算結(jié)果表明,Al-O鍵長略大于Si-O鍵長,且隨著應(yīng)力的增加,Si-O鍵減小幅度更小,成鍵更加穩(wěn)定,H-O鍵長幾乎不變。對蒙脫石進行結(jié)構(gòu)優(yōu)化后發(fā)現(xiàn),體積隨應(yīng)力的增加而減小,前20GPa減小的較快,后期減小幅度變慢。而蒙脫石的能量隨應(yīng)力的增加而增大,近似呈正比例變化。此外對蒙脫石進行能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度計算,在應(yīng)力P=0GPa時,價帶頂(vBM)位于L點,導帶底(CBM)位于G點,能帶結(jié)構(gòu)為間接帶隙,當應(yīng)力P=33.2GPa時,轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋?,價帶頂和導帶底都位于L點;隨著應(yīng)力增加到39.2GPa,能帶結(jié)構(gòu)又轉(zhuǎn)變?yōu)殚g接帶隙。通過對原子軌道分解的投影態(tài)密度(PDOS)分析表明,在應(yīng)力的作用下能增強共價鍵的結(jié)合。最后對蒙脫石進行不同應(yīng)力下彈性常數(shù)計算,計算結(jié)果表明,對于垂直于晶面有關(guān)的彈性常數(shù)C33、C66受應(yīng)力影響較大,對于剪切變形彈性常數(shù)C44、C66在20GPa~30GPa均有微小的下降趨勢,且整個過程C44變化幅度不大。