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      火炮內(nèi)彈道環(huán)境測(cè)試技術(shù)

      2020-01-16 05:56:38郭天吉吳宏斌
      電子技術(shù)與軟件工程 2019年21期
      關(guān)鍵詞:銅柱火炮彈丸

      文/郭天吉 吳宏斌

      1 引言

      火炮是陸戰(zhàn)之王,在現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)中發(fā)揮著巨大的作用。火炮發(fā)射時(shí),內(nèi)彈道是彈丸獲得動(dòng)力的重要階段,彈丸在幾十ms的時(shí)間內(nèi)加速到上千米每秒的速度,承受的膛內(nèi)過(guò)載值高達(dá)上萬(wàn)g(g為重力加速度)。準(zhǔn)確測(cè)量和分析彈丸在膛內(nèi)的發(fā)射過(guò)載,對(duì)評(píng)價(jià)火炮性能、彈丸的結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度設(shè)計(jì)、彈丸的初速預(yù)測(cè)、發(fā)射藥性能的研究、及引信的結(jié)構(gòu)防護(hù)和保險(xiǎn)設(shè)計(jì)均具有非常重要的意義。

      針對(duì)火炮內(nèi)彈道環(huán)境,傳統(tǒng)上是采用銅柱法測(cè)試(見(jiàn)圖1)。該方法是將標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量塊和銅柱置于彈丸內(nèi),火炮發(fā)射時(shí),質(zhì)量塊在慣性力的作用下擠壓銅柱使其產(chǎn)生塑性變形,根據(jù)塑性變形量可獲得內(nèi)彈道最大過(guò)載值。銅柱法測(cè)試簡(jiǎn)單實(shí)用,但是只能測(cè)得最大過(guò)載值,無(wú)法獲得過(guò)載值隨時(shí)間的變化歷程。

      隨著電子技術(shù)的發(fā)展,尤其是MEMS技術(shù)的發(fā)展,國(guó)內(nèi)外相繼出現(xiàn)了多種型號(hào)的高g值MEMS過(guò)載傳感器,使得電測(cè)法成為可能。本文即研究了一種存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng),可置于彈丸內(nèi),準(zhǔn)確測(cè)量彈丸在膛內(nèi)的過(guò)載曲線。

      2 測(cè)試系統(tǒng)組成

      測(cè)試系統(tǒng)組成見(jiàn)圖2,主要由過(guò)載傳感器、信號(hào)放大電路、信號(hào)濾波電路、帶A/D的單片機(jī)、存儲(chǔ)器和電源等組成。

      2.1 過(guò)載傳感器

      過(guò)載傳感器采用中電13所研制的MPA5000-60K,其量程超過(guò)了6萬(wàn)g,頻響范圍0~50KHz,非線性度小于2%,2Vdc~10Vdc的寬激勵(lì)范圍。

      圖1:銅柱法測(cè)試示意圖

      圖2:測(cè)試系統(tǒng)原理框圖

      圖3:信號(hào)放大電路

      圖4:信號(hào)濾波電路

      圖5:?jiǎn)纹瑱C(jī)電路

      圖6:存儲(chǔ)電路

      圖7:電源電路

      MPA5000-60K傳感器采用了先進(jìn)的MEMS壓阻體硅工藝加工制造,圓片級(jí)封裝,性能穩(wěn)定,可靠性高,適用于惡劣條件下碰撞、爆炸、沖擊等場(chǎng)合。

      2.2 信號(hào)放大電路

      信號(hào)放大電路基于儀表放大器INA118設(shè)計(jì)。INA118是低功耗、高精度的通用儀表放大器,采用單電源供電,輸入阻抗大,偏置電流小。單個(gè)外部電阻就可實(shí)現(xiàn)從1至10000的任一增益選擇,計(jì)算公式為:

      2.3 信號(hào)濾波電路

      信號(hào)濾波電路為一個(gè)二階的低通巴特沃思濾波器,基于運(yùn)放OPA2340設(shè)計(jì)。OPA2340是微功耗、軌至軌運(yùn)算放大器,單電源供電,微型MSOP-8封裝。具體設(shè)計(jì)見(jiàn)圖4,設(shè)計(jì)濾波頻率為3KHz。

      2.4 單片機(jī)電路

      單片機(jī)選用國(guó)產(chǎn)STC8單片機(jī),該單片機(jī)基于1T8051內(nèi)核,速度快,資源豐富,使用靈活。STC8單片機(jī)比傳統(tǒng)的8051快12倍以上,不需要外部晶振和外部復(fù)位,本身就是仿真芯片,可直接通過(guò)串口進(jìn)行仿真和程序下載。STC8單片機(jī)內(nèi)部集成了一個(gè)12位的高速A/D轉(zhuǎn)換器,ADC的速度最快可達(dá)800K,同時(shí)STC8單片機(jī)還集成了8Kbyte SRAM、4個(gè)全雙工UART串口、1個(gè)高速SPI串口等。具體設(shè)計(jì)見(jiàn)圖5。

      2.5 存儲(chǔ)器電路

      圖8:過(guò)載曲線

      圖9:速度積分曲線

      存儲(chǔ)器選用FM25V05鐵電非易失性存儲(chǔ)器,其容量為512Kbit,在100KHz采樣率條件下,可存儲(chǔ)320ms數(shù)據(jù)。該芯片支持SPI口,可與單片機(jī)主控芯片通過(guò)SPI口進(jìn)行高速通訊,具體設(shè)計(jì)見(jiàn)圖6。

      2.6 電源電路

      電源電路中的電池選用了充電式聚合物鋰電池,其標(biāo)稱電壓11.1V,容量600mAh。為了防止高過(guò)載條件下的電池失效,設(shè)計(jì)了一個(gè)大容量的鉭電容和二極管組成的二次電源電路,具體設(shè)計(jì)見(jiàn)圖7。

      3 試驗(yàn)及結(jié)論

      使用設(shè)計(jì)好的測(cè)試系統(tǒng)對(duì)某種大口徑火炮進(jìn)行了實(shí)測(cè)試驗(yàn),測(cè)試到了完整的膛內(nèi)過(guò)載值隨時(shí)間的變化歷程及炮口的擾動(dòng)情況,過(guò)載曲線見(jiàn)圖8。由圖8所示,彈丸在膛內(nèi)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間約為38ms,膛內(nèi)最大過(guò)載值約為1.06萬(wàn)g,炮口擾動(dòng)最大過(guò)載值約為3.5萬(wàn)g。對(duì)過(guò)載曲線進(jìn)行速度積分后的曲線見(jiàn)圖9。由圖9所示,積分后的彈丸出炮口速度約為650m/s,而實(shí)際的網(wǎng)靶測(cè)試速度為667m/s,誤差2.5%,在可接受范圍內(nèi)。

      實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)證明了測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)正確性,也為彈丸和引信的設(shè)計(jì)提供了數(shù)據(jù)參考。

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