梁柏鑫,易雙萍,胡耕樵,方志雄,趙韋人
(廣東工業(yè)大學(xué) 物理與光電工程學(xué)院,廣東 廣州 510006)
目前,熒光粉廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)中,通過LED中紫外芯片泵浦紅綠藍(lán)(RGB)三色熒光粉,合成白光[1]。隨著芯片制造技 術(shù)的快速發(fā)展,芯片的發(fā)光波長(zhǎng)已經(jīng)擴(kuò)展到近紫外甚至能量更高的紫外區(qū)域,為RGB三基色系統(tǒng)提供了更廣的研究空間。然而,三基色熒光粉之間的重吸收、熒光壽命不一致等,導(dǎo)致樣品發(fā)光效率降低。另外,紅色熒光粉光輸出效率明顯不足[2],導(dǎo)致在可見光光譜的紅色成分較弱,色溫有所偏差。而通過摻雜稀土或過渡金屬離子的無機(jī)材料,由于其良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性和多顏色發(fā)光特性而得到廣泛研究[3-5]。學(xué)術(shù)界近年來致力于通過摻雜稀土離子進(jìn)而改善三基色熒光粉的上述問題。
含有NbO6八面體結(jié)構(gòu)的鈮酸鹽由于其非線性光學(xué)、鐵電、壓電、光電和光催化等諸多優(yōu)異性能而引起了人們廣泛的關(guān)注。大多數(shù)鈮酸鹽具有較寬的寬帶發(fā)射、較高發(fā)光效率以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等[1,6]。在紫外光激發(fā)下,GdNbO4、La3NbO7、CaNb2O6和Ca2Nb2O7在300~600 nm具有較強(qiáng)的帶寬[7-8],證明鈮酸鹽具有較寬的電荷遷移帶[9-11],有利于光吸收,使其具有較大的潛在應(yīng)用價(jià)值,如M2+Nb2O6(M=Ni, Co,Fe, Mn, Zn, Mg, Ca, Cd)系列的鈮酸鹽也已經(jīng)被廣泛研究報(bào)道。其中,鈮酸鋅(ZnNb2O6, ZN)是人們熟知的鈮酸鹽材料之一。研究表明,摻雜或無摻雜ZnNb2O6均可作為優(yōu)異的激光發(fā)光材料[12-13]。Wang Rui等[14]報(bào)道了在980 nm激光激發(fā)下,上轉(zhuǎn)換ZnNb2O6: Ho3+/Yb3+中存在基質(zhì)與稀土離子的能量傳遞現(xiàn)象,最終增強(qiáng)發(fā)射了具有較強(qiáng)綠色和紅色的發(fā)射帶。Guo Jing等[15]發(fā)現(xiàn),在365 nm激發(fā)下共摻雜Al3+離子可以改善ZnNb2O6: Dy3+的發(fā)光強(qiáng)度,具有較大的可調(diào)稀土離子摻雜濃度。
由于Dy3+可同時(shí)發(fā)射藍(lán)、黃兩色光,Eu3+可發(fā)射紅色光,Dy3+/Eu3+共摻雜可有望實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射,但其在ZnNb2O6基質(zhì)中摻雜還未見報(bào)道。鑒于此,本文采用高溫固相法制備了ZnNb2O6:xDy3+,yEu3+(0≤x≤0.15,0≤y≤0.32)新型熒光粉,系統(tǒng)地研究了ZnNb2O6的光致發(fā)光特性。從CIE色度坐標(biāo)圖可以得出,在ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+樣品中,隨著Eu3+離子濃度的增加,色度可調(diào)至白光區(qū)域;其次,確認(rèn)了Dy3+/Eu3+共摻雜ZnNb2O6熒光粉在紫外激發(fā)下的發(fā)光特性和能量傳遞機(jī)制,對(duì)Dy3+離子到Eu3+離子的能量傳遞現(xiàn)象及其機(jī)理進(jìn)行了較為詳細(xì)的探索,表明ZnNb2O6:0.08Dy3+, 0.03Eu3+是可用于紫外激發(fā)下的白光熒光粉。
通過高溫固相反應(yīng)制備了ZnNb2O6:xDy3+,yEu3+(0≤x≤0.15,0≤y≤0.32)一系列的粉末樣品。實(shí)驗(yàn)用原材料包括ZnO(99.9%,阿拉丁)、Nb2O5(99.9%,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司)、Dy2O3(99.9%,麥克林)和Eu2O3(99.9%,麥克林)。按照化學(xué)計(jì)量比稱量并在瑪瑙研缽中混合后研磨40 min. 然后,將混合均勻的粉末樣品裝入氧化鋁坩堝中并置于高溫管式爐中煅燒,在空氣氣氛下加熱至800 ℃,保溫6 h. 最后,將所得樣品在爐中冷卻至室溫并重新研磨成細(xì)粉,用于進(jìn)一步測(cè)量研究。
樣品的物相分析采用MSAL XD-213型X射線衍射儀,儀器參數(shù)設(shè)置為在36 kV管電壓和20 mA管電流下,輻射源為Cu Kα射線(λ=0.154 06 nm),以0.02°步長(zhǎng)在10°~70°的范圍內(nèi)連續(xù)掃描。通過配備有(450 W,Osram)的FLS-980熒光分光光度計(jì)測(cè)量激發(fā)光譜、發(fā)射光譜和熒光壽命。樣品的形貌采用SU8220型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡,儀器參數(shù)設(shè)置二次電子分辨率為0.8 nm和1.1 nm. 除非特殊說明,所有測(cè)試均在室溫下進(jìn)行。
ZnNb2O6、ZnNb2O6: 0.08Dy3+、ZnNb2O6:0.03Eu3+和ZnNb2O6: 0.08Dy3+, 0.03Eu3+等樣品的XRD衍射譜如圖1所示。4種樣品的衍射峰幾乎與標(biāo)準(zhǔn)卡片JCPDS 76-1827相匹配,沒有觀察到額外的衍射峰,表明Dy3+/Eu3+或Dy3+, Eu3+共摻雜稀土離子并沒有改變ZnNb2O6晶體結(jié)構(gòu)。此外,根據(jù)JCPDS標(biāo)準(zhǔn)卡片,ZnNb2O6具有正交晶系,其空間群為Pbcn(60),晶格參數(shù)為a=1.420 8 nm,b=0.572 6 nm,c=0.504 nm,Z=4且體積V=0.410 0 nm3??紤]到Zn2+(0.09 nm,CN=8), Dy3+(0.119 nm, CN=8)和Eu3+(0.106 7 nm,CN=8)之間的離子半徑,推測(cè)Dy3+和Eu3+可能取代在ZnNb2O6基質(zhì)中的Zn或Nb格位[16]。
圖1 ZnNb2O6; ZnNb2O6: 0.03Eu3+; ZnNb2O6: 0.08Dy3+; ZnNb2O6:0.08Dy3+, 0.03Eu3+和標(biāo)準(zhǔn)卡片的XRD衍射圖Fig.1 XRD patterns of some representative samples ZnNb2O6;ZnNb2O6: 0.03Eu3+; ZnNb2O6: 0.08Dy3+; ZnNb2O6: 0.08Dy3+,0.03Eu3+ and the standard XRD data of ZnNb2O6 (JCPDS 76-1827)
圖2 各樣品的掃描電鏡圖Fig.2 SEM micrographs of samples
圖2顯示ZnNb2O6, ZnNb2O6: 0.03Eu3+, ZnNb2O6:0.08Dy3+和ZnNb2O6: 0.08Dy3+, 0.03Eu3+等樣品的掃描電鏡圖(SEM)。可以注意到,所獲得的粉末顆粒大小在幾微米之間,顆粒的形貌和大小通常在高溫固相反應(yīng)和充分研磨之后形成的。從圖2(a)可以看出,不同形態(tài)的顆粒自由組合形成具有粗糙表面的顆粒。圖2(b)和圖2(c)是在不同放大倍數(shù)下?lián)诫s了不同稀土離子的ZnNb2O6: Dy3+/Eu3+熒光粉。與圖2(a)~圖2(c)相比,圖2(d)中樣品的形態(tài)發(fā)生了較明顯的變化,在共摻雜離子之后,形成具有光滑表面和不規(guī)則形狀的塊狀顆粒。
圖3為ZnNb2O6基質(zhì)的激發(fā)和發(fā)射光譜圖。在456 nm監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)下,樣品在220~320 nm的激發(fā)光譜范圍內(nèi)具有較寬電荷遷移帶。同時(shí)觀察到在267 nm波長(zhǎng)的激發(fā)下,ZnNb2O6基質(zhì)以456 nm為中心的藍(lán)色發(fā)射峰,而在614 nm處的發(fā)射峰則是由于鈮酸鹽基團(tuán)產(chǎn)生的缺陷或雜質(zhì)所引起的[17]。在ZnNb2O6的正交晶系結(jié)構(gòu)中,Zn、Nb原子與6個(gè)O2–陰離子配位,分別形成ZnO6和NbO6八面體。Pullar R C等[18]還報(bào)道了八面體之間通過公共的邊或角相互連接,并且在bc平面上形成二維可拉伸的薄片形狀. 由于俘獲電子的重組,八面體配位的[NbO6]7–基團(tuán)是藍(lán)光區(qū)域發(fā)射范圍的有效發(fā)光中心。
圖3 ZnNb2O6的激發(fā)和發(fā)射光譜圖Fig.3 Excitation and emission spectra of ZnNb2O6
圖4(a)為在614 nm的監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)下ZnNb2O6:0.04Eu3+熒光粉的激發(fā)光譜圖。圖中顯示以394 nm為中心的窄帶激發(fā)峰和在350~500 nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的多個(gè)激發(fā)峰主要是由于Eu3+離子的f-f能帶躍遷引起的,分別對(duì)應(yīng)于7F0→5D4(363 nm),7F0→5L6(394 nm),7F0→5D3(416 nm)和7F0→5D2(468 nm)。圖4(b)顯示了在394 nm波長(zhǎng)激發(fā)下,樣品ZnNb2O6:xEu3+(x=0.01,0.02, 0.04, 0.06,0.08)的發(fā)射光譜圖,位于576,592,612和654 nm處的幾個(gè)發(fā)射峰,它們分別對(duì)應(yīng)于Eu3+離子的5D0?7FJ(J=0,1,2,3)躍遷[19-20]。Eu3+的發(fā)射強(qiáng)度隨著Eu3+濃度的增加而增強(qiáng),可以觀察到摻雜濃度為0.04時(shí)達(dá)到最大值。
圖4 ZnNb2O6: xEu3+的激發(fā)和發(fā)射光譜圖Fig.4 Excitation and emission spectra of ZnNb2O6: xEu3+
圖5顯示了在576 nm的監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)下,ZnNb2O6:0.08Dy3+的激發(fā)光譜位于267 nm處的寬帶激發(fā)峰和在350~500 nm的一系列窄帶激發(fā)峰。將ZnNb2O6:0.08Dy3+的激發(fā)光譜與ZnNb2O6基質(zhì)的激發(fā)光譜進(jìn)行比較可以發(fā)現(xiàn),源自于[NbO6]7–基團(tuán)中的O2–-Nb5+電荷遷移的基質(zhì)吸收峰比Dy3+的4f-4f 特征激發(fā)峰強(qiáng)。由此推斷ZnNb2O6基質(zhì)具有很強(qiáng)的吸收紫外光的能力。此外,位于267 nm處的激發(fā)峰表明在摻雜稀土離子的ZnNb2O6基質(zhì)中存在從[NbO6]7–基團(tuán)到稀土離子Dy3+能量傳遞的發(fā)生。同時(shí)由Dy3+的4f-4f躍遷可知,350~500 nm的弱激發(fā)峰分別對(duì)應(yīng)于6H15/2→6P7/2(354 nm)、6H15/2→4I11/2(366 nm)、6H15/2→4I13/2(388 nm)、6H15/2→4G11/2(426 nm)、6H15/2→4I15/2(454 nm)和6H15/2→4F9/2(478 nm)[21-22]。
圖5 ZnNb2O6: 0.08Dy3+的激發(fā)光譜圖Fig.5 Excitation spectra of ZnNb2O6: 0.08Dy3+
在267 nm的激發(fā)波長(zhǎng)下,ZnNb2O6:xDy3+(x=0.01,0.02, 0.04, 0.06, 0.08, 0.10和0.15)的發(fā)射光譜如圖6所示,可以看出Dy3+的最佳離子摻雜濃度為0.08,樣品呈現(xiàn)出較強(qiáng)的白光(CIE色度坐標(biāo)為x=0.316 6,y=0.335 7)。圖6中581 nm處由電偶極子躍遷4F9/2→6H13/2引起的發(fā)光強(qiáng)度明顯高于489 nm處由磁偶極子4F9/2→6H15/2躍遷引起的發(fā)光強(qiáng)度,這表明Dy3+離子在基質(zhì)中占據(jù)的是非對(duì)稱中心。同時(shí),樣品呈現(xiàn)出白光是由于基質(zhì)本身受激發(fā)輻射出藍(lán)光,Dy3+的特征發(fā)射為黃光,兩者以一定比例產(chǎn)生的。此外,以基質(zhì)激發(fā)的發(fā)射峰強(qiáng)度高于在以Dy3+離子的特征(354 nm)激發(fā)的發(fā)射峰強(qiáng)度(見圖7)。正如Wang Tao等[1]報(bào)道的基質(zhì)發(fā)射峰的存在意味著從基質(zhì)到Dy3+的能量傳遞是不完全的。正因如此,從基質(zhì)到Dy3+的能量傳遞在可調(diào)色度和有效紫外激發(fā)白光中起關(guān)鍵作用。
圖6 ZnNb2O6: xDy3+的發(fā)射光譜圖Fig.6 Emission spectra of ZnNb2O6: xDy3+
圖7 ZnNb2O6: 0.08Dy3+在基質(zhì)激發(fā)和Dy3+的特征激發(fā)下的發(fā)射光譜圖Fig.7 Comparative emission spectra of ZnNb2O6: 0.08Dy3+ under host and Dy3+ characteristic excitations
圖8顯示在581 nm的監(jiān)測(cè)波長(zhǎng)下ZnNb2O6:0.08Dy3+, 0.25Eu3+的激發(fā)光譜。圖中267 nm處的帶寬峰為基質(zhì)的吸收帶寬。插圖中350~500 nm的激發(fā)峰主要由于Dy3+和Eu3+的特征躍遷引起。在267 nm激發(fā)下,ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+(y=0.03~0.32)發(fā)射光譜如圖9所示,圖9中的插圖表示Eu3+的濃度與樣品發(fā)光強(qiáng)度之間的關(guān)系??梢园l(fā)現(xiàn),Eu3+的發(fā)光強(qiáng)度隨著Dy3+的發(fā)光強(qiáng)度降低而增強(qiáng),Eu3+摻雜濃度為0.25時(shí)達(dá)到最大值。Dy3+的4F9/2能級(jí)(約21.5×103cm–1)高于Eu3+的5D0能級(jí)(約19.1×103cm–1),通過以聲子輔助的非輻射弛豫方式,從Dy3+到Eu3+離子的傳遞了部分能量[23]。此外,能量傳遞與Eu3+離子晶體場(chǎng)的局部對(duì)稱性密切相關(guān)。據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道,Eu3+離子處于低對(duì)稱位置時(shí),Eu3+的5D0→7F2電偶極子躍遷與Eu3+的5D0→7F1奇偶性允許磁偶極躍遷相比占得一定優(yōu)勢(shì)[24]。于是,從5D0→7F2躍遷強(qiáng)度高于5D0→7F1躍遷,證明Eu3+離子同樣占據(jù)非對(duì)稱中心晶格位置。最后,在267 nm激發(fā)下,樣品接近白光(CIE色度坐標(biāo)為x=0.343 1和y=0.320 0),歸因于基質(zhì)輻射出藍(lán)光和Dy3+/Eu3+共摻雜的特征發(fā)射。
圖8 ZnNb2O6: 0.08Dy3+, 0.25Eu3+的激發(fā)光譜圖Fig.8 Excitation spectra of ZnNb2O6: 0.08Dy3+, 0.25Eu3+
圖9 ZnNb2O6: 0.08Dy3+, yEu3+ (y=0.03~0.32)的發(fā)射光譜圖 Fig.9 Emission spectra of ZnNb2O6: 0.08Dy3+, yEu3+ (y=0.03~0.32)
為進(jìn)一步研究ZnNb2O6基質(zhì)中Dy3+向Eu3+能量傳遞的過程,如圖10所示,在354 nm激發(fā)并在581 nm監(jiān)測(cè)下,測(cè)量了ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+(y=0.03~0.32)的光致發(fā)光衰減曲線。采用二階指數(shù)衰減模型擬合熒光衰減曲線,公式為[25]
其中A1和A2是擬合常數(shù);I是在t時(shí)刻的發(fā)光強(qiáng)度;τ1,τ2代表熒光壽命。平均衰減時(shí)間τ值同樣采用二階指數(shù)擬合,公式如式(2)所示[26]。
圖10 ZnNb2O6: 0.08Dy3+, yEu3+的熒光衰減曲線Fig.10 The luminescence decay curves of ZnNb2O6: 0.08Dy3+, yEu3+phosphors
對(duì)于ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+,其中y=0, 0.03,0.05,0.07,0.10,0.15,0.20,0.25和0.32. 平均衰減時(shí)間τ值分別對(duì)應(yīng)0.200 3,0.181 0,0.150 0,0.139 4,0.106 4,0.093 3,0.074 6,0.047 7和0.028 6 ms??梢杂^察到,當(dāng)Dy3+的摻雜濃度固定在0.08,隨著Eu3+離子濃度的增加,樣品的平均壽命τ值降低。因此,由ZnNb2O6:0.08Dy3+,yEu3+中Dy3+壽命的逐步下降,進(jìn)一步證實(shí)了共摻雜稀土離子ZnNb2O6基質(zhì)中存在Dy3+向Eu3+的能量傳遞。
圖11為ZnNb2O6,ZnNb2O6:xDy3+,ZnNb2O6:xEu3+和ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+的色度坐標(biāo)圖,交叉點(diǎn)表示CIE色度坐標(biāo)位置。首先,ZnNb2O6基質(zhì)的色度坐標(biāo)落在藍(lán)光區(qū)域,色度坐標(biāo)值為(0.146 7,0.089 1)。其次,ZnNb2O6:xDy3+熒光粉的發(fā)光顏色從藍(lán)光區(qū)域跨到黃光區(qū)域,隨著Dy3+離子濃度的增加,相應(yīng)坐標(biāo)從(0.231 0, 0.262 2)變化至(0.343 9, 0.359 2)。這表明合成單摻雜Dy3+離子的ZnNb2O6基質(zhì)接近標(biāo)準(zhǔn)白光(0.33, 0.33)。還注意到ZnNb2O6:xEu3+的坐標(biāo)主要落在紅光區(qū)域上,并且相應(yīng)的坐標(biāo)值從(0.564 2, 0.425 3)變化至(0.623 6, 0.371 6)。最后,隨著ZnNb2O6:0.08Dy3+,yEu3+樣品中的Eu3+離子摻雜濃度的增加,色度坐標(biāo)主要落在在白光區(qū)域,相應(yīng)的色度坐標(biāo)變化范圍為(0.343 1, 0.320 0)~(0.427 6, 0.308 8)。
圖11 (a) ZnNb2O6, (b) ZnNb2O6: xDy3+, (c) ZnNb2O6: xEu3+, (d)ZnNb2O6: 0.08Dy3+, yEu3+的色度坐標(biāo)圖Fig.11 Evolution of CIE chromaticity coordinates of (a) ZnNb2O6, (b)ZnNb2O6: xDy3+, (c) ZnNb2O6: xEu3+, (d) ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+
化合物中的敏化劑(Dy3+)與激活劑(Eu3+)發(fā)生的共振能量傳遞過程主要通過交換作用(Rc<0.5 nm)和電多極?電多極相互作用(Rc>0.5 nm),兩者關(guān)鍵取決于敏化劑和激活劑之間的臨界距離(Rc)。根據(jù)Blasse的理論,RDy-Eu能夠表示為[27]
式中,V是晶胞的體積(V=0.410 0 nm3),N是晶胞中的分子數(shù)(N=4),x是Dy3+的發(fā)射峰強(qiáng)度處在無摻雜(Eu3+)時(shí)樣品發(fā)射峰強(qiáng)度一半時(shí)的摻雜濃度。因此,臨界濃度RDy-Eu計(jì)算約為0.840 nm。
非輻射能量傳遞主要有3種機(jī)制:輻射再吸收、交換作用和電多極相互作用。在本文中,由于Rc大于0.5 nm,表明交換作用的可能性很小。并且只有當(dāng)吸收光譜和發(fā)射光譜有較大的重疊時(shí),輻射再吸收才會(huì)占主導(dǎo)作用。因此,在本文中能量傳遞是通過電多極相互作用。根據(jù)Dexter的電多極相互作用能量傳遞和Reisfeld近似理論的描述,可以得到式(4)[28]。
其中η0和η代表在無摻雜和摻雜Eu3+的情況下Dy3+的發(fā)光量子效率;因子C是Dy3+和Eu3+濃度的總含量;n=6,8,10的值分別對(duì)應(yīng)于電偶極矩?電偶極矩(d-d)、電偶極矩?電四極矩(d-q)和電四極矩?電四極矩(qq)相互作用。由于值η0/η不易獲取,因此可通過相應(yīng)衰減時(shí)間的比率(τs0/τs)近似計(jì)算[29],如式(5)所示。
其中τs0和τs是無摻雜和摻雜Eu3+的情況時(shí)敏化劑Dy3+的壽命。如圖12(a)~(c)所示,曲線τs0/τs∝Cn/3揭示了在n=6,8,10處的關(guān)系??梢园l(fā)現(xiàn),當(dāng)n=8時(shí)為最佳線性擬合,這表明從敏化劑Dy3+到激活劑Eu3+離子的能量傳遞機(jī)制遵循非輻射電偶極矩?電四極矩作用。
圖12 Cn / 3與Eu3+的τs0/τs依賴關(guān)系Fig.12 Dependence of τs0/τs of Eu3+ on Cn / 3
圖13描繪了Dy3+和Eu3+離子,以及它們?cè)赯nNb2O6:Dy3+, Eu3+中的能量傳遞能級(jí)圖?;|(zhì)受激發(fā)吸收光子能量,觸發(fā)O2–→Nb5+或者O2–→Zn2+的電荷轉(zhuǎn)移,然后傳遞至Dy3+。此外,部分能量從Dy3+的4F9/2能級(jí)轉(zhuǎn)移到Eu3+的5D0能級(jí)。受激發(fā)的Eu3+通過交叉弛豫的方式躍遷至5D0能級(jí)并輻射出熒光遷移到Eu3+的7Fj(j=1,2,3)能級(jí),最終增強(qiáng)了Eu3+發(fā)紅光[30]。
在本文中,采用高溫固相法合成ZnNb2O6,ZnNb2O6:xDy3+,ZnNb2O6:xEu3+和ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+熒光粉。研究表明,在紫外光的激發(fā)下,ZnNb2O6基質(zhì)發(fā)射出較強(qiáng)的藍(lán)光。通過實(shí)驗(yàn)和理論分析,Dy3+和Eu3+離子之間的臨界距離為0.840 nm。ZnNb2O6:0.08Dy3+,yEu3+中Dy3+和Eu3+的能量傳遞機(jī)制遵循的是非輻射電偶極矩?電四極矩作用。合成的單摻雜Dy3+離子的ZnNb2O6熒光粉接近標(biāo)準(zhǔn)白光,從ZnNb2O6: 0.08Dy3+,yEu3+熒光粉的CIE色度坐標(biāo)表明,通過調(diào)節(jié)共摻雜Dy3+/Eu3+的比例可以調(diào)節(jié)發(fā)光顏色并且落在白光區(qū)域。據(jù)此所獲得的熒光粉可在紫外汞燈白光源和其他固態(tài)照明技術(shù)中具有一定的潛在應(yīng)用。
圖13 ZnNb2O6: Dy3+, Eu3+在能級(jí)躍遷上的電荷轉(zhuǎn)移和能量傳遞的過程Fig.13 Energy level scheme of ZnNb2O6: Dy3+, Eu3+ with electronic transitions and ET Process