In組分變化對(duì)GaN基材料光學(xué)性質(zhì)影響第一性原理研究

劉鑫 代廣珍 姜永召 劉宇航 韓名君

摘 要：研究組分變化中InxGa1xN材料光學(xué)性能的變化.通過(guò)摻雜方式改變InxGa1xN材料In組分含量，獲得計(jì)算模型.計(jì)算結(jié)果表明，隨著In組分的增加，價(jià)帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，從而影響了電子的遷移及其內(nèi)量子效率;材料的折射系數(shù)、吸收系數(shù)、反射系數(shù)以及能量損失系數(shù)均發(fā)生變化;In組分為0.5時(shí)，能量損失峰值最小，有利于提升紫外光的出光效率.

關(guān)鍵詞：GaN基材料;第一性原理;光學(xué)特性