瀾起科技：全球內(nèi)存接口芯片“獨(dú)角獸”創(chuàng)新“硬核”引領(lǐng)未來(lái)

袁靚

瀾起科技（688008.SH）的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)自2019年4月1日獲得受理，僅用了短短的73天就實(shí)現(xiàn)了順利過(guò)會(huì)，并于2019年7月8日正式開(kāi)啟了線上線下申購(gòu)，目前已位列7月22日第一批上市的25家科創(chuàng)新股之一。作為全球內(nèi)存接口芯片“獨(dú)角獸”企業(yè)，其本次上市發(fā)行戰(zhàn)略配售數(shù)量占發(fā)行數(shù)量接近30%，該比例為當(dāng)前科創(chuàng)板第一，其中英特爾大連因看好公司發(fā)展，積極參與配股1129.81萬(wàn)股，配額金額高達(dá)2.80億元。

產(chǎn)品全球市占率高達(dá)近50% 毛利率高達(dá)70%左右

內(nèi)存接口芯片是芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域技術(shù)門(mén)檻較高的一個(gè)細(xì)分行業(yè)，瀾起科技自2004年成立伊始就以?xún)?nèi)存接口芯片為主營(yíng)產(chǎn)品，通過(guò)十五年的專(zhuān)注研發(fā)和持續(xù)投入，發(fā)明了DDR4全緩沖“1+9”架構(gòu)，該發(fā)明被成功采納為JEDEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。目前瀾起科技已憑借尖端技術(shù)，成功躋身全球僅有的三大內(nèi)存接口芯片公司之一，其余的兩家IDT和Rambus都是美國(guó)公司。因?yàn)懫鹂萍几?jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)明顯，其內(nèi)存接口芯片在全球市場(chǎng)上的占有率已高達(dá)近50%。也因此，其客戶(hù)幾乎囊獲了下游DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）市場(chǎng)所有國(guó)際龍頭企業(yè)，包括三星電子、海力士、美光科技等。據(jù)相關(guān)行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，三星電子、海力士、美光科技位居DRAM市場(chǎng)行業(yè)前三名，全球市場(chǎng)占有率合計(jì)超過(guò)90%。這就意味著，瀾起科技的產(chǎn)品幾乎覆蓋了整個(gè)下游企業(yè)，具有極強(qiáng)的行業(yè)話語(yǔ)權(quán)。

同時(shí)，記者還看到，隨著全球內(nèi)存接口芯片的市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)，以及瀾起科技全球市場(chǎng)份額的持續(xù)提高，其公司業(yè)績(jī)也隨之呈現(xiàn)出飛速增長(zhǎng)之勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，2016至2018年度公司營(yíng)收分別為8.45億元、12.28億元和17.58億元，2018年毛利率達(dá)到了70%左右;2018年歸母凈利潤(rùn)更是高達(dá)7.37億元，同比增長(zhǎng)了112.35%，公司營(yíng)業(yè)收入和盈利能力均高于行業(yè)平均水平。

值的一提的是，除了繼續(xù)鞏固其內(nèi)存接口芯片市場(chǎng)的龍頭地位以外，瀾起科技還開(kāi)始了服務(wù)器CPU平臺(tái)的布局工作。據(jù)了解，2018年底其就推出了與清華大學(xué)、Intel聯(lián)合研發(fā)的第一代津逮 服務(wù)器CPU，現(xiàn)已具備量產(chǎn)能力，目前正根據(jù)客戶(hù)訂單安排生產(chǎn)及銷(xiāo)售，國(guó)內(nèi)知名服務(wù)器廠商如聯(lián)想、新華三、長(zhǎng)城、寶德等均已推出支持津逮 CPU的服務(wù)器產(chǎn)品。接下來(lái)，瀾起科技表示，將持續(xù)升級(jí)津逮 服務(wù)器CPU及其平臺(tái)的各項(xiàng)性能，同時(shí)此次募資的資金將集中投向新一代內(nèi)存接口芯片、津逮 服務(wù)器CPU、人工智能芯片等多個(gè)項(xiàng)目，以期創(chuàng)造出新的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn)。

專(zhuān)注科研創(chuàng)新，不斷鞏固核心競(jìng)爭(zhēng)力

眾所周知，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異，技術(shù)及產(chǎn)品迭代速度非?？臁Ｗ鳛閮?nèi)存接口芯片產(chǎn)業(yè)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，瀾起科技為了不斷鞏固競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)地位，參與了DDR5 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的制定，積極提前布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片。據(jù)了解，截至目前瀾起科技已經(jīng)完成第一代DDR5工程版芯片流片及功能驗(yàn)證，各項(xiàng)指標(biāo)和功能符合預(yù)期，有望2020年底前完成第一代DDR5內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)版的研發(fā)工作。而科研的不斷創(chuàng)新，則來(lái)源于瀾起科技始終不遺余力地持久高投入。公開(kāi)資料顯示，2016年至2018年，瀾起科技的研發(fā)費(fèi)用分別達(dá)到了1.98億元、1.88億萬(wàn)元和2.77億元，占營(yíng)收比均值達(dá)到了15%左右。公開(kāi)資料顯示，截至2019年4月，瀾起科技已獲授權(quán)的國(guó)內(nèi)外專(zhuān)利多達(dá)90項(xiàng)，其中獲集成電路布圖設(shè)計(jì)證書(shū)達(dá)39項(xiàng)。

同時(shí)，記者還發(fā)現(xiàn)，瀾起科技還擁有眾多高端核心技術(shù)領(lǐng)軍人才，其中公司董事長(zhǎng)楊崇和博士曾在全球頂尖芯片設(shè)計(jì)公司工作多年，2010年還成功當(dāng)選為美國(guó)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)院士，更榮獲過(guò)多種獎(jiǎng)項(xiàng)，包括“IEEECAS產(chǎn)業(yè)先驅(qū)獎(jiǎng)”和上海市政府授予的“白玉蘭榮譽(yù)獎(jiǎng)”等。

多年不間斷的科研創(chuàng)新，已經(jīng)使瀾起科技取得了一系列顯著成就，核心競(jìng)爭(zhēng)力得到了極大夯實(shí)。公開(kāi)資料顯示，2016年6月，中國(guó)電子學(xué)會(huì)認(rèn)定瀾起科技“低功耗DDR系列內(nèi)存緩沖控制器芯片設(shè)計(jì)技術(shù)整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平”，同年12月，該項(xiàng)技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目榮獲“中國(guó)電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)”;2018年，瀾起科技“第二代DDR4內(nèi)存緩沖控制器芯片”榮獲了‘中國(guó)芯年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎(jiǎng);當(dāng)年11月，津逮 服務(wù)器CPU及其平臺(tái)采用的“動(dòng)態(tài)安全監(jiān)控技術(shù)”獲評(píng)第五屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果”;2019年5月，公司“低功耗DDR系列內(nèi)存緩沖控制器芯片設(shè)計(jì)技術(shù)”項(xiàng)目榮獲上海市人民政府頒發(fā)的“上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)”。