100GSR4并行光模塊光電子集成封裝的研究

楊松 李佼洋 蔡志崗

關鍵詞： 并行光模塊; 光電子集成; COB封裝; 芯片Bonding; 100G SR4; 有源耦合

中圖分類號： TN15?34 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?文獻標識碼： A ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 文章編號： 1004?373X（2019）03?0152?05

Abstract： The wavelength of 100G SR4 parallel optical transceiver is 850 nm， and its single?channel transmission rate is 25 Gb/s. The 4?channel VCSEL emitting light is used in transmitting end， and the 4?channel PD receiving light is used in receiving end. An optoelectronic integrated packaging method used in 100G SR4 parallel optical transceiver is proposed， that is COB （chip on board） light bending active coupling packaging technique. The technology of COB light bending active coupling packaging is discussed emphatically， and the influence of the Bonding is analyzed. The100G SR4 parallel optical transceiver designed by this technique method has the advantages of high coupling efficiency， low cost and easy realization.

Keywords： parallel optical transceiver; optoelectronic integration; COB packaging; chip Bonding;100G SR4; active coupling

0 ?引 ?言

近年來，隨著電子商務、高清傳輸、云計算和個人存儲等業(yè)務的迅猛發(fā)展，對數(shù)據(jù)傳輸帶寬的需求越來越高，光纖通信作為大批量數(shù)據(jù)傳輸?shù)淖罴堰x擇，可通過提高傳輸速率和采用復用技術等各種方法提高傳輸帶寬。早在2000年就已經(jīng)推出了32×2.5 Gb/s DWDM（密集波分復用）系統(tǒng)，研制8×10 Gb/s DWDM系統(tǒng)及32×10 Gb/s DWDM系統(tǒng)[1]?，F(xiàn)在，100 Gb/s傳輸速率的端口已經(jīng)開始應用于數(shù)據(jù)交換設備中。各運營商、電子商務平臺、互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務公司和大型企業(yè)等積極建設數(shù)據(jù)中心，實現(xiàn)數(shù)據(jù)業(yè)務的集中處理、分析和存儲。數(shù)據(jù)中心內(nèi)部和接入網(wǎng)下行端口對于短距離傳輸需求非常高，并行光收發(fā)模塊作為高速、大容量光傳輸?shù)募夹g方案之一，具有傳輸速率高、技術成熟和成本低等優(yōu)勢，廣泛應用于數(shù)據(jù)中心和數(shù)據(jù)通信接入網(wǎng)，擁有巨大的市場前景。

傳統(tǒng)的單路10 Gb/s或25 Gb/s速率的光模塊采用SFP（Small Form?factor Pluggable，小型可插拔）封裝外殼，尺寸[2]為56.5 mm×13.4 mm×8.5 mm，將電子芯片和TO（Through?hole）封裝的光發(fā)射、接收組件焊接到PCB板上組成具有收發(fā)功能的光電轉換模塊。100 Gb/s的光模塊主要采用QSFP（Quad Small Form?factor Pluggable）封裝外殼，尺寸為76.4 mm×18.35 mm×8.5 mm， 具有4路25 Gb/s的信號傳輸通道[3]。如果采用傳統(tǒng)設計SFP的方法將電子芯片和分立的光組件焊接到PCB板上設計100G SR4，將4組電子芯片和光組件一起焊接到PCB板上，不考慮單路速率的增加帶來空間增加的影響，就需要4倍左右SFP大小的空間。但是QSFP只是稍微比SFP的尺寸大，因而，100 Gb/s的光模塊采用傳統(tǒng)的設計方案不能做到QSFP小型化外殼封裝。

要解決并行光模塊的設計，需考慮光電子集成封裝的方法。光電子集成封裝是將光器件和電子裸芯片一起集成在一個小空間內(nèi)，要實現(xiàn)集成封裝，需要考慮封裝的可實現(xiàn)性，以找到一種適合光電混合封裝的方法。

對于并行光模塊集成封裝，一些廠家采用將光電集成器件置于軟板上面，通過軟板與PCB連接的電折彎方法，這種技術借鑒了倒裝工藝芯片（Flip Chip）封裝技術。Flip Chip封裝技術以各種焊料的裸芯片面朝下放置在相應的PCB焊盤上，通常使用特殊設備從晶圓片中取出芯片，將其倒轉并放置在小Waffle Pack中[4]。Flip Chip封裝技術更加提高了引腳封裝密度，使引腳與焊盤之間的連接更加短，有利于減少高速信號連接產(chǎn)生的寄生參數(shù)等信號完整性問題的影響。但是可靠性檢查比較復雜，只能借助X光或超聲原理進行檢查，工藝操作復雜度、難度和精度都要求很高，需要較高的工藝技術積累。而且Flip Chip封裝夾具的制作精度要求比較高，要實現(xiàn)并行光模塊光電子集成封裝問題還得解決高精度夾具和工藝設備的問題，同時對自動控制和圖像識別技術的依賴也較高。

并行多通道光器件和電芯片的集成封裝決定了100G SR4并行光收發(fā)模塊研發(fā)的成敗。在本文設計方案中，采用COB（Chip On Board）封裝技術，通過粘膠劑或焊料將晶片直接粘貼到PCB板上，與引線鍵合實現(xiàn)晶片與PCB板間互連互通實現(xiàn)器件封裝。COB封裝可以較大地提高封裝引腳密度。同時，基于COB封裝技術，為了提高耦合效率，采用光折彎技術，實現(xiàn)光纖耦合;在具體的耦合過程中采用有源耦合的方法降低成本，提高耦合準確度;整個封裝技術的工藝操作簡單，不需要投入其他高精度封裝的夾具和工藝設備。將這種基于并行光模塊的封裝技術稱為COB光折彎有源耦合封裝技術。

1 ?100G SR4并行光模塊

SR4并行光模塊主要應用于數(shù)據(jù)中心內(nèi)部交換機與交換機之間、交換機與存儲器之間短距離的互連。光互連論壇（Optical Internetworking Forum，OIF）VSR?5[5?6]主要針對 SR4光互連制定了接口標準。IEEE Std 802.3bmTM [7]定義了以太網(wǎng)100G Base?SR4傳輸?shù)闹笜艘蟆?/p>

100G SR4并行光模塊采用850 nm波長，單路25 Gb/s的傳輸速率，發(fā)射端使用4路VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面發(fā)射激光器）發(fā)射光，接收端使用4路PD（Photo?Diode，光電二極管）接收光。

根據(jù)SR4并行光傳輸要求，在QSFP等光模塊封裝中實現(xiàn)4路25 Gb/s信號的光電轉換，進而實現(xiàn)4路光信號的并行傳輸。并行光模塊包含的光電器件有4路VCSEL陣列、4路PD陣列、發(fā)射VCSEL驅動芯片、接收TIA/LA（Trans?Impedance Limiting Amplifier）芯片。對于單路25 Gb/s的高速傳輸，為提高信號質量，VCSEL驅動和TIA/LA芯片都需要集成CDR（Clock Data Recovery）功能。

典型的并行光模塊組成示意圖如圖1所示，在發(fā)射端，發(fā)射驅動芯片驅動VCSEL陣列，將電信號調(diào)制到光信號中并耦合進光纖傳輸，實現(xiàn)電?光轉換。在接收端，將光纖傳輸?shù)墓怦詈系絇D陣列轉換成電流信號，電流信號經(jīng)TIA/LA放大處理，解調(diào)出攜帶信息的差分電信號，實現(xiàn)光?電轉換。MCU實現(xiàn)控制、數(shù)據(jù)存儲、協(xié)議功能和信號監(jiān)控等功能;同時，MCU也與耦合控制機臺組成閉環(huán)的有源耦合控制回路，為COB封裝提供有源耦合的軟硬件技術支持。MCU與TIA/LA和VCSEL驅動芯片之前通過I2C通信，TIA/LA和VCSEL驅動芯片作為從機;MCU作為I2C主機，通過MCU的GPIO端口模擬I2C實現(xiàn)[8]。

要實現(xiàn)100G SR4光模塊的光電子集成封裝，需要將圖1所示TIA/LA芯片、VCSEL驅動芯片、VCSEL陣列和PD陣列集成封裝在一個小空間內(nèi)并建立其電氣連接，通過預留接口與MCU和PCB板建立物理連接。

本文100G SR4光模塊的設計方案將此小空間直接置于PCB板上，即直接將TIA/LA芯片、VCSEL驅動芯片、VCSEL陣列和PD陣列一起通過焊料直接粘貼到光模塊的PCB上，顧名思義Chip on Board（板載芯片或板上芯片封裝）。VCSEL陣列與光纖、PD陣列與光纖采用透鏡實現(xiàn)光折彎的方法，將VCSEL陣列的光耦合進光纖，將光纖傳輸?shù)墓怦詈系絇D陣列上;耦合工藝技術采用有源耦合的方式。這種工藝技術和封裝方法形成了一套完整的光電子集成封裝技術，將這種專用于并行光模塊的封裝技術稱為COB光折彎有源耦合封裝技術。

2 ?并行光模塊光電子集成封裝技術——COB光折彎有源耦合封裝技術

2.1 ?封裝技術方案

根據(jù)對100G SR4并行光模塊的介紹，COB光折彎有源耦合封裝技術就是將圖1所示的功能芯片集成在QSFP等小封裝空間里面?；赒SFP等封裝的小尺寸、空間有限、技術要求和成本的控制，傳統(tǒng)的光器件封裝模式不能匹配并行光模塊的設計。本文提出的COB光折彎有源耦合封裝技術可解決并行光模塊光電子集成封裝的設計和制造問題。

100G SR4并行光模塊的COB光折彎有源耦合封裝技術是將光芯片、電子芯片和光波導LENS組成一個整體，一起集成在一塊PCB板上，并通過PCB板上的MCU控制，實現(xiàn)并行光模塊的光電轉換和光傳輸功能?；赩CSEL驅動芯片、TIA/LA放大芯片和MCU設計的電路作用于光器件實現(xiàn)光電轉換功能，光波導LENS器件將VCSEL發(fā)射的光耦合進光纖和將光纖傳輸?shù)墓怦詈系絇D上。

為降低光纖耦合的精度，VCSEL和PD擬采用陣列的形式，如果是單個VCSEL和PD，需要逐個對器件進行定位，增加4倍的定位和耦合精度要求。VCSEL驅動和TIA/LA芯片也需要采用陣列芯片，并且需要未封裝的裸芯片，因為4路分立的電芯片集中放置在QSFP封裝的PCB上，空間有限，如果將陣列芯片做成表貼的QFN（Quad Flat No?leadPackage，方形扁平無引腳封裝）等芯片小封裝形式，也已經(jīng)超出了PCB尺寸范圍，因而需要通過Die Bond和Wire Bond操作將裸芯片Die與PCB電路、光芯片通過金絲建立起電氣連接。

由于VCSEL是垂直發(fā)光，發(fā)光方向與光纖垂直，將光耦合進光纖的光波導的實現(xiàn)方法有多種，本文采用LENS陣列實現(xiàn)光折彎的光纖耦合。LENS陣列的設計考慮匹配標準的MPO/MTP陣列光纖，將LENS的光接口設計成能與MT插芯直接連接的接口，基于全反射原理，根據(jù)光芯片光發(fā)射角和光敏面等參數(shù)設計符合要求的LENS陣列。LENS陣列中LENS之間的間距參考標準MT插芯中光纖的間距，設計為250 μm，有利于與MT插芯或者MPO接口的光纖連接，不需要再做接口轉換。相應地，光芯片也采用間距為250 μm的VCSEL和PD芯片陣列，剛好和LENS的間距匹配，這樣可進一步降低耦合精度要求，通過LENS的聚焦實現(xiàn)光折彎，提高光的耦合效率。

2.2 ?封裝工藝流程

確定了技術方案和關鍵參數(shù)，接下來將介紹如何實現(xiàn)COB光折彎有源耦合封裝。

并行光模塊COB光折彎有源耦合封裝技術工藝流程如圖2所示。在進行COB封裝前，需要清洗已貼好電子元器件的PCBA（PCBA為已貼好電阻和電容等電子元器件的PCB），以避免PCB上的綠油和灰塵等附著物對Bonding的影響，進而影響合格率和產(chǎn)品性能，為了不損壞PCBA，最好使用等離子清洗機清洗。

清洗好PCBA后，接下來將進行Bonding的操作，借助Bonding設備將光電子芯片與PCB上的焊盤連接起來，形成一個具有完整電氣性能的系統(tǒng)。Bonding的工藝操作主要是定位貼片和打線。首先需要進行定位的貼片操作為Die Bond，先在PCB需要貼片的位置上敷好銀漿，然后將芯片定位在需要貼片的位置，光芯片定位的好壞會直接影響光耦合效果。根據(jù)實驗和分析，一般精度要求是3～5 μm。貼好片后需要熱固化處理來固定芯片，為防止在高溫下氧化反應影響芯片功能，一般采用真空充氮氣熱固化的方法。根據(jù)銀漿熱固化的時間要求決定烘烤時間，烘烤后取出PCBA進行Wire Bond操作，將光電芯片焊盤與PCB焊盤用金絲連接起來。打線的好壞會影響產(chǎn)品的高速信號傳輸性能，進而導致產(chǎn)品的誤碼率提高或者發(fā)射傳輸信號質量問題。因為Bonding操作是整個封裝技術的基礎，下一節(jié)將會重點討論。

接下來將對已經(jīng)打好金線的PCBA進行光纖耦合。如前所述，在發(fā)射端，VCSEL激光器發(fā)射出來的光耦合到光纖中;在接收端，經(jīng)光纖傳輸?shù)墓怦詈系絇D器件的光敏面上。

本文采用有源耦合的方式實現(xiàn)光纖耦合，有源耦合示意圖如圖3所示。由于利用LENS實現(xiàn)光折彎，光纖與LENS采用標準MT接口，可直接連接，因而光纖耦合轉變成VCSEL和PD陣列與LENS之間的耦合。有源耦合的機理是利用光模塊MCU與耦合控制主板的通信形成閉環(huán)控制，耦合主板從光模塊獲取發(fā)射光功率和接收光功率的量化指標，根據(jù)量化指標通過步進電機控制六維調(diào)節(jié)架調(diào)節(jié)LENS的位置，進而實現(xiàn)LENS與VCSEL和PD陣列的對中耦合。相比較需要借助圖像識別技術的無源耦合方法，本文有源耦合方法工藝操作簡單，而且耦合控制主板也是基于MCU控制，容易開發(fā)，無需投入精密控制的設備，具有制造成本低的優(yōu)勢。

LENS的位置確定后，通過紫外膠將LENS固定好，然后對耦合好的光電器件做密封處理。

采用COB光折彎有源耦合封裝技術設計的100G SR4并行光模塊設計效果圖如圖4所示。

2.3 ?性能指標測試

最后對封裝好的光模塊性能指標進行測試，以判斷是否符合要求。衡量光傳輸系統(tǒng)性能是否達標和優(yōu)劣，需要對發(fā)送機和接收機分別進行測量，發(fā)送機主要測量平均光功率和消光比組成的眼圖指標，接收機主要測量接收機的靈敏度[9]。根據(jù)實驗測試，采用上述提出的COB光折彎有源耦合封裝技術生產(chǎn)制造的100G SR4光模塊眼圖Margin達到30%左右，光纖耦合效率可達60%以上，發(fā)射光功率可達800 μW以上。接收端靈敏度為[-12] dBm左右，滿足100G SR4光模塊的傳輸指標要求。

3 ?COB光折彎有源耦合封裝芯片Bonding工藝分析

在COB光折彎有源耦合封裝技術的工藝流程中，Bonding是極其重要的環(huán)節(jié)，分為Die Bond和Wire Bond。前面提到，芯片定位和打線很重要，結果將直接影響產(chǎn)品性能。圖5所示是本文設計的金線Bonding示意圖。

在Die Bond的操作中，需要匹配LENS的8個（發(fā)射4個，接收4個）傳輸通道，所以VCSEL和PD陣列的定位很重要。如果定位不好，就會出現(xiàn)耦合效率不高或者個別通道耦合效率不高的問題。為做好Die Bond中芯片定位的操作，需要在設計中綜合考慮。首先，采用VCSEL和PD陣列芯片，以降低調(diào)節(jié)精度要求;其次，為提高定位速度，在PCB設計時通過預留參考點的方法協(xié)助芯片定位，如預留PCB光繪點作為定位參考，方便人工或機器識別大致位置;再借助Die Bond設備做精準定位。

Wire Bond操作中，打線的質量直接影響產(chǎn)品的高速傳輸性能。對于非高速連接線，滿足一般的電氣連接可靠性就足夠了，但是對于高速傳輸?shù)男盘柧€，打線的好壞對產(chǎn)品性能的影響非常大，不能僅僅滿足連通的要求，還需要考慮不等長、非等距和焊盤不均勻帶來的寄生參數(shù)的影響[10]。

Wire Bond有球焊和壓焊兩種工藝。球焊操作相對容易，對PCB焊盤的連接要求也低，金線弧度較好控制，但是焊點較大，容易帶來寄生參數(shù)影響。壓焊的焊點相對小，但是操作難度高，對焊盤的要求也相對高，如果焊盤粗糙程度不夠會經(jīng)常導致脫焊的情況。綜合PCB制作工藝，PCB焊盤制作建議采用鎳鈀金的沉金工藝。

理想情況下，同一對差分線的兩條線在適當?shù)幕《认缕叫械乳L，但為了降低通道串擾的影響，每一對差分線之間的金線盡可能不平行走線;焊點盡可能小，避免寄生參數(shù)和反射的影響。實際操作中可調(diào)整Bonding設備的超聲功率、線尾巴長度和壓力大小等參數(shù)，確保焊點小而牢固。綜合考慮，對于傳輸高速信號的金線建議采用壓焊的技術，尤其對于單路25 Gb/s的速率，球焊比壓焊帶來的寄生參數(shù)影響要大得多。

經(jīng)過試驗，采用陣列芯片和PCB參考點設計可降低Die Bond精度控制和定位的難度;Wire Bond操作盡量降低金線的長度，保證差分線等長，對于25 Gb/s的速率，使用壓焊可降低信號線的寄生參數(shù)影響，確保高速傳輸?shù)男盘栙|量。

4 ?結 ?語

本文提出采用COB光折彎有源耦合封裝技術的100G SR4并行光模塊的設計方案;介紹了光電子集成封裝技術的工藝流程和關鍵實施方案，Chip On Board利用光折彎實現(xiàn)光耦合到光纖和采用有源耦合的技術方法;討論了在工藝流程實施中Bonding的影響，并提出Die Bond和Wire Bond的建議。根據(jù)實驗結果，COB光折彎有源耦合封裝技術是一種非常適合并行光模塊的集成封裝方法，具有耦合效率高、成本低和易實現(xiàn)的優(yōu)點。

隨著數(shù)據(jù)中心光互連產(chǎn)品需求的逐漸增多，這種性價比較高的光電子集成封裝方法將廣泛應用到并行光模塊產(chǎn)品的批量制造以及其他系列的光互連產(chǎn)品中。相信經(jīng)過不斷的工藝改進和研究，并行光模塊的光電子集成封裝工藝技術將越來越成熟。

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