黃文全
(廈門縱橫集團(tuán)建設(shè)開發(fā)有限公司,廈門 361000)
LTE具有低時(shí)延,高速率的有點(diǎn),但是同時(shí)LTE系統(tǒng)是一個(gè)同頻組網(wǎng),干擾受限系統(tǒng),其優(yōu)越性有賴于功率控制的應(yīng)用。有效的功率控制算法能夠降低小區(qū)內(nèi)用戶之間的干擾,在可以在滿足每個(gè)用戶通信質(zhì)量的前提下,最小化其發(fā)射功率,從而減少干擾、增加系統(tǒng)容量,并能延長(zhǎng)手機(jī)的待機(jī)時(shí)間。
LTE下行采用OFDMA技術(shù),一個(gè)小區(qū)內(nèi)的不通用戶占用不通的頻率資源,并且之間是相互正交的,在本小區(qū)內(nèi),下行不存在干擾,因而LTE對(duì)下行的功率控制并不是迫切需求,同時(shí)下行信號(hào)在傳輸過程中,同樣會(huì)存在路徑損耗與陰影衰落的問題,如果使用功率控制方式進(jìn)行調(diào)整,將會(huì)影響下行CQI的測(cè)量,而UE上報(bào)的CQI與基站的下行資源調(diào)度之間有密切的聯(lián)系,所以下行的功率控制將會(huì)影響下行資源調(diào)度的準(zhǔn)確性,影響用戶的吞吐速率,因而PDSCH信道不采用功率控制方式。
LTE中,同小區(qū)內(nèi)的不通用戶之間的上行數(shù)據(jù)位相互正交,LTE通過上行功控,可以使上行數(shù)據(jù)傳輸適應(yīng)不同的無(wú)線環(huán)境(例如陰影、快衰、路損等),以及降低小區(qū)內(nèi)、小區(qū)間其他用戶之間的干擾。
上行功率控制采用慢速上行功控,分為閉環(huán)功控、開環(huán)功控。
開環(huán)功控:UE通過路徑損耗值的測(cè)量來(lái)計(jì)算UE的發(fā)射功率,不需要得到接收端的反饋。開環(huán)功控主要用戶LTE網(wǎng)絡(luò)UE初始接入階段,由于系統(tǒng)上下行鏈路在同一個(gè)載頻上傳送,通過對(duì)導(dǎo)頻信號(hào)的路徑損耗估計(jì),接收端可以對(duì)發(fā)送信號(hào)的路徑損耗進(jìn)行準(zhǔn)確估計(jì),相應(yīng)調(diào)整發(fā)送功率。
閉環(huán)功控:閉環(huán)的功率控制是指UE通過PDCCH中的TPC命令來(lái)對(duì)UE的發(fā)射功率進(jìn)行調(diào)整??梢苑譃槔鄯e調(diào)整和絕對(duì)值調(diào)整兩種方式。累積調(diào)整方式適用于PUSCH,PUCCH和SRS,絕對(duì)值調(diào)整方式只適用于PUSCH。這兩種不同的調(diào)整方式之間的轉(zhuǎn)換是半靜態(tài)的,eNB通過專用RRC信令指示UE采用累積方式還是絕對(duì)值方式。
LTE中,PDSCH信道不采用功率控制,下行主要針對(duì)RSRE的功率配置(采用RS POWER Boosting)以及傳送MIMORS取消掉的RE的功率進(jìn)行配置。
覆蓋:RS設(shè)置過大會(huì)造成越區(qū)覆蓋,對(duì)其他小區(qū)造成干擾;RS設(shè)置過小,會(huì)造成覆蓋不足,出現(xiàn)盲區(qū);
干擾:由于受周圍小區(qū)干擾影響,RS功率設(shè)置也不同,干擾大的地方需要留出更大的干擾余量;
信道估計(jì):RS功率設(shè)置會(huì)影響信道估計(jì)。RS功率越大,信道估計(jì)精度越高,解調(diào)門限越低,接收機(jī)靈敏度越高,但是對(duì)鄰區(qū)干擾也越大;
容量:RS功率越高,覆蓋越好,但用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓β试叫。瑫?huì)造成系統(tǒng)容量的下降;
2.2.1 LTE上行信道PUSCH功率控制
PPUSCH(i):UE在子幀iPUSCH的發(fā)射功率
PCMAX:UE最大發(fā)射功率
MPUSCH:在子幀i中傳輸?shù)腜USCH的資源塊數(shù)目
DTF(i)=10 log 10(2MPRKs–1)當(dāng)Ks=1.25時(shí)當(dāng)Ks=0,Ks由高層提供的參數(shù)UE專屬參數(shù)deltaMCS-Enabled給出。
f(i):TPC(閉環(huán)功控補(bǔ)償)
PL:pathloss[dB]=referenceSignalPower – higher layer filtered RSRP 路損,UE側(cè)估計(jì)的下行路損。
2.2.2 LTE上行信道PUCCH功率控制PPUCCH:在第i個(gè)子幀上PUCCH發(fā)射功率Pmax:max.設(shè)置的UE最大發(fā)射功率
P0_PUCCH=P0_NOMINAL_PUCCH+P0_UE_PUCCH
P0_PUCCH由小區(qū)級(jí)參數(shù)P0_NOMINAL_PUCCH以及UE級(jí)參數(shù)P0_UE_PUCCH定義,其具體只由高層指配。
PL :pathloss[dB]=referenceSignalPower – higher layer filtered RSRP 路損,UE側(cè)估計(jì)的下行路損。
h(n) 為 PUCCH format決 定值。nCQI為 CQI對(duì) 應(yīng) 的位 數(shù),nHARQ為HARQ對(duì)應(yīng)的位數(shù)。
DF_PUCCH(F):dFListPUCCH
DF_PUCCH(F)為高層網(wǎng)絡(luò)提供,為PUCCH format(F)相對(duì)于PUCCH format 1a的值。
g(i):TPC(閉環(huán)功率補(bǔ)償)
2.2.3 LTE上行信道閉環(huán)功率控制
PUSCH以及PUCCH閉環(huán)功控主要由以上四組(UPQUAL/LOWQUAL/UPLEV/LOWLEV)共計(jì)8個(gè)參數(shù)進(jìn)行控制,Enb會(huì)根據(jù)接收到UE發(fā)射上行信道(PUSCH/PUCCH)的SIR以及RSSI來(lái)進(jìn)行UE發(fā)射功率的相應(yīng)調(diào)整。
福州移動(dòng)項(xiàng)目進(jìn)行ATU測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn),連續(xù)UE高發(fā)射功率里程占比較高,達(dá)到了59.3%。存在較多路段UE高功率發(fā)射的現(xiàn)象。
通過對(duì)測(cè)試log的分析,發(fā)現(xiàn)。UE在RSRP-85dBm的無(wú)線環(huán)境下,UE PUSCH發(fā)射功率會(huì)大于16dBm。在SINR較好的情況下,仍會(huì)保持著較高的發(fā)射功率,閉環(huán)功控效果未體現(xiàn)出來(lái)。
通過現(xiàn)網(wǎng)配置參數(shù)核查:Pmax=43dBm,P0NomPusch=-100 dBm,路損補(bǔ)償因子α=1,在無(wú)線環(huán)境為RSRP為-85dBm的CQT點(diǎn),PL=12.2-(-85dBm)=97.7dBm。可以計(jì)算得出UE初始接入時(shí)的發(fā)射功率約為17dBm。
通過對(duì)五組參數(shù)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證:
路損因子α以及PUSCH初始發(fā)射功率的調(diào)整對(duì)改善UE PUSCH發(fā)射功率影響較小,SIR閉環(huán)功控參數(shù)對(duì)UE PUSCH發(fā)射功率有明顯效果。
下行業(yè)務(wù)終端的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),可以看到:調(diào)整SINR門限后,連續(xù)UE高發(fā)射功率里程占比明顯下降。
結(jié)論:調(diào)整p0和alpha,對(duì)UE發(fā)射功率稍有影響,變化不大;調(diào)整SINR門限,對(duì)UE發(fā)射功率影響很大,UE連續(xù)高發(fā)射功率占比下降了一半;低于正常上報(bào)SINR后,幾種SINR的門限組合[14,12],[9,7],[3,1]對(duì)高功率連續(xù)發(fā)射比的影響不大。
LTE功率控制技術(shù)可以有效的降低網(wǎng)絡(luò)干擾,增大網(wǎng)絡(luò)容量。通過下行的參考信號(hào)dlRS boosting功率分配參數(shù)調(diào)整,可以有效地提高RS參考信號(hào)功率,達(dá)到增強(qiáng)覆蓋的效果,但是會(huì)造成業(yè)務(wù)信道功率的降低,因而在進(jìn)行dlRS boosting參數(shù)設(shè)置時(shí),需要謹(jǐn)慎考慮。避免RS信號(hào)功率過強(qiáng),反而造成干擾。另外對(duì)LTE PUSCH信道以及PUCCH信道進(jìn)行功控參數(shù)調(diào)整,可以有效的降低UE發(fā)射功率,達(dá)到降低網(wǎng)絡(luò)干擾,延長(zhǎng)UE使用時(shí)間的目的。