施婭穎, 劉 洋, 鄭 姍, 陳飄飄, 黃朝表,2
(1.浙江師范大學(xué) 化學(xué)與生命科學(xué)學(xué)院,浙江 金華 321004;2.浙江師范大學(xué) 行知學(xué)院,浙江 金華 321004)
食鹽是人類賴以生存的最基本的物質(zhì)條件,它不僅直接關(guān)系到人類的健康生存,而且嚴(yán)重影響著經(jīng)濟(jì)和社會(huì)的發(fā)展[1-4],其主要成分是氯化鈉(NaCl)[5].由于精制食鹽粒度細(xì)小,若不添加任何抗結(jié)劑,一段時(shí)間后易結(jié)塊.因此,為了保持鹽的流動(dòng),通常需要添加抗結(jié)劑.
目前,我國食用鹽、食品加工用鹽和工業(yè)鹽中常用的抗結(jié)劑為亞鐵氰化鉀[K4Fe(CN)6·3H2O],但是K4Fe(CN)6的存在對人體吸收各種微量元素有不同程度的影響.我國規(guī)定:食鹽中K4Fe(CN)6·3H2O含量應(yīng)小于等于10 mg/kg(即23.67 μmol/L).因此,準(zhǔn)確測定食鹽中抗結(jié)劑[Fe(CN)6]4-的含量尤為重要.現(xiàn)在常用的[Fe(CN)6]4-分析方法有:滴定法、比色法等[6],然而這些方法存在樣品消耗大、時(shí)間消耗長、檢出限差等缺點(diǎn).近幾年來,新興的光電化學(xué)(PEC)技術(shù)以其設(shè)備簡單、成本效益好、靈敏度高、檢測快速等優(yōu)點(diǎn)已迅速成為新的研究熱點(diǎn)[7-10].納米材料具有優(yōu)良的光敏特性[11-16],隨著納米技術(shù)的不斷發(fā)展,各種納米材料已經(jīng)廣泛應(yīng)用于PEC傳感元件[17-24].其中,復(fù)合光電材料成為越來越流行的傳感電極元件,2種光敏材料的耦合將會(huì)提高光電轉(zhuǎn)換效率,從而有利于提高PEC傳感的靈敏度.
如圖1所示,本實(shí)驗(yàn)中,筆者通過層層自組裝(LBL)將CdS QDs修飾到TiO2/ITO電極上,隨后將CdS QDs/TiO2/ITO傳感電極浸入到含有K4Fe(CN)6的抗壞血酸(AA)溶液中,測定[Fe(CN)6]4-的濃度.如圖2所示,在光激發(fā)下,小帶隙的CdS QDs發(fā)生電荷分離,隨后將分離出的電子(e-)快速轉(zhuǎn)移到具有大帶隙的TiO2上,由于不同半導(dǎo)體中的e--h空間分離,阻礙e--h的重組,這將有助于e-從CdS/TiO2轉(zhuǎn)移到ITO電極上,使光電流增大.電極表面的[Fe(CN)6]4-作為電子供體(D)向CdS QDs的導(dǎo)帶空穴提供電子,同時(shí)被氧化,其氧化產(chǎn)物掠奪AA的電子,從而形成穩(wěn)定的電流.
1.1.1 試 劑
亞鐵氰化鉀[K4Fe(CN)6·3H2O,上海展云化工有限公司];氯化鎘(CdCl2·2.5H2O,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司);巰基乙酸(TGA,Sigma-Aldrich有限公司);硫化鈉(Na2S,Aladdin有限公司);食用鹽(江蘇省鹽業(yè)集團(tuán)有限責(zé)任公司).本實(shí)驗(yàn)所用的水均為超純水.
圖1 PEC傳感電極的構(gòu)建
圖2 CdS QDs/TiO2/ITO電極的傳感機(jī)理
1.1.2 儀 器
YX-1101微型馬弗爐(上海煜志機(jī)電設(shè)備有限公司);CHI850D型電化學(xué)工作站(上海辰華儀器有限公司);RF-5301PC型熒光分光光度計(jì)(日本島津公司);Autolab PGSTAT-302N型多功能電化學(xué)工作站(荷蘭Metrohm Autolab公司).
1.2.1 ITO電極的預(yù)處理
將潔凈的ITO玻璃電極放入含有2 mol/L KOH的異丙醇溶液中,煮沸15 min.隨后,先用大量清水沖洗,再用超純水洗滌3次,在120 ℃下干燥2 h,備用.
1.2.2 ITO電極的修飾
室溫下,將TiO2在純水中超聲分散30 min,隨后將30 μL TiO2懸濁液滴涂到經(jīng)預(yù)處理的ITO玻璃電極表面(0.25 cm2),室溫下干燥.然后,將ITO電極在450 ℃下煅燒30 min(升溫速率為5 ℃/min).
參考文獻(xiàn)[25-26]制備TGA-CdS QDs.將TiO2/ITO電極先浸入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%的PDDA 溶液中10 min,取出后,在超純水中浸泡清洗3.5 min,再浸入TGA-CdS QDs溶液中10 min,取出后在超純水中浸泡清洗0.5 min.每次浸泡后,用超純水仔細(xì)清洗除去TiO2/ITO電極表面多余的CdS QDs/PDDA,防止溶液的交叉污染.該過程重復(fù)3次,便得到CdS QDs/TiO2/ITO傳感電極.
準(zhǔn)確稱取25 g食用鹽,溶解后轉(zhuǎn)移至250 mL容量瓶中,用超純水稀釋至刻度作為樣品貯備液.
圖3中a為TGA-CdS QDs的紫外-可見吸收光譜和熒光發(fā)射光譜.從圖中可以看出,CdS QDs具有較寬的吸收范圍,且在603 nm處有1個(gè)對稱的、窄而高的熒光發(fā)射峰,說明其適合做光電化學(xué)傳感材料.圖3中b為CdS QDs的透射電子顯微鏡(TEM)圖,可以看出,制備的CdS QDs具有較好的分散性,形貌基本呈規(guī)則的球形,顆粒粒徑約為(3±1) nm,且分布均勻.
a:紫外-可見吸收光譜和熒光光譜;b:TEM圖
圖4為TiO2納米材料的TEM圖,圖4中a和b分別為煅燒前和450 ℃煅燒后的形貌圖.從圖中可以觀察到,TiO2納米材料在煅燒后,材料表面變得粗糙.圖4中c和d顯示了煅燒后的TiO2高分辨率的透射電鏡圖(HR-TEM),表明煅燒后的TiO2具有清晰的晶格條紋,其晶格間距為0.222 nm.
a:煅燒前;b:煅燒后;2/ITO電極;c,d:為煅燒后HR-TEM
圖4 TiO2納米材料的TEM圖
c:煅燒后的TiO2/ITO電極;d:CdS QDs/TiO2/ITO電極
圖5 修飾電極表面形貌SEM圖
圖5是掃描電子顯微鏡(SEM)圖,展示了傳感電極構(gòu)建過程中表面形貌的變化.預(yù)處理后的ITO裸電極(見圖5中a)表面干凈整潔;當(dāng)在ITO裸電極表面滴涂TiO2懸濁液后(見圖5中b),在TiO2/ITO電極表面觀察到較大的顆粒;而電極經(jīng)450 ℃高溫煅燒30 min后(見圖5中c),TiO2的粒徑減小,電極表面出現(xiàn)大量的小顆粒.圖5中d為在TiO2/ITO電極表面修飾上CdS QDs后的SEM圖,可以發(fā)現(xiàn),電極表面的小顆粒連接在一起構(gòu)成了有多孔結(jié)構(gòu)的較大顆粒.SEM圖和TEM圖證實(shí):相比于煅燒前,高溫煅燒后的TiO2顆粒更細(xì)小,表明了煅燒后的TiO2具有更大的比表面積,可以提供更好的吸附微環(huán)境,是用于PEC傳感理想的光敏材料.相比于傳統(tǒng)的電化學(xué)陽極氧化沉淀技術(shù)[27-28],本實(shí)驗(yàn)中直接將TiO2負(fù)載于電極表面的方法更簡便.
如圖6所示,光電流信號(hào)強(qiáng)度隨著ITO玻璃電極表面TiO2負(fù)載量的增加而增大.但當(dāng)負(fù)載量大于4 mg/mL時(shí),TiO2會(huì)出現(xiàn)剝落現(xiàn)象.因此,在后續(xù)試驗(yàn)中筆者選擇了濃度為4 mg/mL的TiO2修飾電極.
圖6 TiO2濃度對光電流強(qiáng)度的影響
激發(fā)波長對光電傳感電極響應(yīng)的影響如圖7所示.曲線a,b,c分別為CdS QDs/ITO電極、TiO2/ITO電極和CdS QDs/TiO2/ITO電極在不同波長光激發(fā)下的響應(yīng)情況.對比曲線a,b發(fā)現(xiàn),CdS QDs/ITO電極的最佳激發(fā)波長大于TiO2/ITO電極的最佳激發(fā)波長,這是由于TiO2納米材料的帶隙比CdS QDs的帶隙寬,因此,需要吸收能量更大的短波長光才能使其內(nèi)部的電子被激發(fā);由曲線a,c可知,CdS QDs/ITO與CdS QDs/TiO2/ITO電極響應(yīng)趨勢基本相同,且當(dāng)激發(fā)光波長為410 nm左右時(shí),它們的電流響應(yīng)均達(dá)到最大.
a:CdS QDs/ITO 電極;b:TiO2/ITO電極;
圖8顯示了光電流強(qiáng)度與傳感電極在20 μmol/L [Fe(CN)6]4-溶液中浸泡時(shí)間長短的關(guān)系.隨著浸泡時(shí)間的增長,傳感電極表面的[Fe(CN)6]4-越來越多,當(dāng)時(shí)間為1~5 min時(shí),光電流強(qiáng)度隨著浸泡時(shí)間的延長而增大,在5 min時(shí)光電流信號(hào)最強(qiáng).隨后,光電流信號(hào)逐漸趨于平穩(wěn).故在后續(xù)試驗(yàn)中,浸泡時(shí)間選擇為5 min.
圖8 電極在[Fe(CN)6]4-中浸泡時(shí)間對光電流強(qiáng)度的影響
圖9展示了在傳感電極制備過程中,不同的修飾電極的光電流響應(yīng)情況.曲線a~g分別對應(yīng)了ITO裸電極、CdS QDs/ITO電極、TiO2/ITO電極、CdS QDs/TiO2/ITO電極、[Fe(CN)6]4-/CdS QDs/ITO電極、[Fe(CN)6]4-/TiO2/ITO電極和[Fe(CN)6]4-/CdS QDs/TiO2/ITO電極在0.1 mol/L AA溶液中的光電流響應(yīng)信號(hào)(工作電位為0 V,工作波長為410 nm).
由圖9可知,在0.1 mol/L AA溶液中,ITO裸電極沒有電流響應(yīng);CdS QDs/ITO電極和TiO2/ITO電極都有一定的電流響應(yīng)信號(hào),說明CdS QDs和TiO2都是有效的光敏材料;CdS QDs/TiO2/ITO傳感電極的信號(hào)遠(yuǎn)大于CdS QDs/ITO電極和TiO2/ITO電極,表明CdS QDs與TiO2之間有極強(qiáng)的耦合效應(yīng),且CdS QDs/TiO2復(fù)合材料
在電極表面負(fù)載良好;[Fe(CN)6]4-/CdS QDs/TiO2/ITO電極的信號(hào)約為CdS QDs/TiO2/ITO電極的3倍,說明當(dāng)電極表面負(fù)載[Fe(CN)6]4-時(shí),電極能夠與溶液中的AA形成協(xié)同作用,使電流信號(hào)增大.這表明PEC傳感用于檢測[Fe(CN)6]4-將成為可能.
由于響應(yīng)信號(hào)的增加程度與目標(biāo)檢測物的濃度密切相關(guān),所以可以通過記錄光電流的變化測定[Fe(CN)6]4-的濃度.圖10顯示了不同濃度的[Fe(CN)6]4-對光電流強(qiáng)度的影響.結(jié)果顯示,隨著[Fe(CN)6]4-濃度的增加光電流強(qiáng)度增大,揭示了電子給體的存在可以抑制e--h的復(fù)合,從而增強(qiáng)光電流響應(yīng).該方法的線性范圍:1.0~12.0 μmol/L,線性方程為:y=4.858x+31.46(R2=0.998 4),檢測限(LOD)為0.26 μmol/L(S/σ=3,σ為10次空白試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差).
圖9 修飾電極的光電流響應(yīng)情況
圖10 CdS QDs/TiO2/ITO電極對[Fe(CN)6]4-的響應(yīng)
采用已制備的PEC傳感電極對食鹽樣品中[Fe(CN)6]4-的含量進(jìn)行測定,測定結(jié)果如表1所示.表1表明:食鹽樣品中抗結(jié)劑K4Fe(CN)6·3H2O的含量為(6.8±0.1) mg/kg,符合我國“食鹽中K4Fe(CN)6·3H2O含量要小于等于10 mg/kg”的規(guī)定.
通過加標(biāo)回收測定該方法的回收率,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表2所示.其平均回收率為(100.0±1.7%)~(102.0±3.7%),說明本實(shí)驗(yàn)中制備的CdS QDs/TiO2/ITO傳感電極性能良好,采用PEC方法測定[Fe(CN)6]4-的含量準(zhǔn)確度高.
表2 [Fe(CN)6]4-加標(biāo)回收實(shí)驗(yàn)結(jié)果
為了檢驗(yàn)該實(shí)驗(yàn)方法對[Fe(CN)6]4-的選擇性,筆者以Na+,F(xiàn)e2+,F(xiàn)e3+,Cl-,IO3-及其他常見的陰離子NO3-,SCN-,H2PO4-,CO32-,SO42-等作為干擾物質(zhì),測試他們對檢測[Fe(CN)6]4-的干擾.如圖11所示,將CdS QDs/TiO2/ITO傳感電極分別浸入2 mmol/L NaCl,F(xiàn)eCl2,F(xiàn)eCl3,KIO3,K2CO3,K2Cr2O3,K2SO4,KH2PO4,KMnO4,KNO3,KSCN和20 μmol/L K4Fe(CN)6,K3Fe(CN)6溶液中5 min,在0.1 mol/L的AA溶液中檢測,I為傳感電極在不同目標(biāo)分析物中浸泡后的最終光電流,I0為CdS QDs/TiO2/ITO傳感電極的光電流,ΔI=I-I0.結(jié)果表明,除[Fe(CN)6]3-有一定的干擾外,其他離子均無干擾.K4Fe(CN)6·3H2O因其具備抗結(jié)劑的作用,故常添加在食鹽中,而K3Fe(CN)6無此作用,所以食鹽中不存在[Fe(CN)6]3-,充分說明該傳感電極對[Fe(CN)6]4-具有良好的選擇性.
圖11 CdS QDs/TiO2/ITO電極的選擇性
綜上所述,本實(shí)驗(yàn)制備CdS QDs/TiO2/ITO傳感電極的方法更簡便,并成功將其應(yīng)用于PEC檢測食鹽中抗結(jié)劑K4[Fe(CN)6].在最優(yōu)條件下,PEC傳感電極對[Fe(CN)6]4-具有良好的選擇性,其檢測限為0.26 μmol/L.這是首次使用PEC方法檢測[Fe(CN)6]4-,相比于傳統(tǒng)方法,PEC檢測法具有簡便、耗時(shí)短、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn).