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    人民防空地下室出入口照明回路設(shè)計探討

    2018-07-30 03:31:56賈玉龍
    智能建筑電氣技術(shù) 2018年3期
    關(guān)鍵詞:防護區(qū)熔斷器設(shè)計規(guī)范

    賈玉龍

    (河北九易莊宸科技股份有限公司,石家莊 050000)

    0 引言

    隨著建筑業(yè)市場的迅速發(fā)展,各種民用建筑內(nèi)配套建設(shè)了大量防空地下室。GB 50038-2005《人民防空地下室設(shè)計規(guī)范》(以下簡稱“《人防設(shè)計規(guī)范》”)、05SFD10《<人民防空地下室設(shè)計規(guī)范>圖示》、07FD01《防空地下室電氣設(shè)計示例》等,都對規(guī)范指導(dǎo)人防地下室的設(shè)計施工發(fā)揮了重要作用。筆者謹對防空地下室出入口照明回路設(shè)計存在的一些問題談些個人理解,不足之處希望同行批評指正。

    1 案例分析

    根據(jù)《人防設(shè)計規(guī)范》第7.5.16條,從防護區(qū)內(nèi)引到非防護區(qū)的照明電源回路,當防護區(qū)內(nèi)和非防護區(qū)燈具共用一路電源回路時,應(yīng)在防護密閉門內(nèi)側(cè)、臨戰(zhàn)封堵處內(nèi)側(cè)設(shè)置短路保護裝置,或?qū)Ψ欠雷o區(qū)的燈具設(shè)置單獨回路配電。當防護區(qū)內(nèi)和非防護區(qū)燈具共用一路電源回路時,根據(jù)05SFD10《<人民防空地下室設(shè)計規(guī)范>圖示》、07FD01《防空地下室電氣設(shè)計示例》,在人防密閉門內(nèi)側(cè)、臨戰(zhàn)封堵處內(nèi)側(cè)加裝熔斷器或斷路器;在工程實踐中,不少設(shè)計師采用在防護密閉門內(nèi)側(cè)設(shè)置熔絲盒的做法,如圖1所示。此做法看似滿足了規(guī)范的條文要求,實則并未貫徹落實規(guī)范的本義。

    1.1 接地故障電流計算

    假設(shè)人防外靠近人防內(nèi)K點(圖2)發(fā)生接地故障,K點接地故障電流計算公式見式(1)。

    (1)

    式中,U0為相對地標稱電壓,V;電源側(cè)阻抗系數(shù)取值0.8~1.0;S為相導(dǎo)體截面積,mm2;K1為電纜電抗校正系數(shù);K2為多根相導(dǎo)體并聯(lián)使用的校正系數(shù);ρ為20℃時的導(dǎo)體電阻率,Ω·mm2/m;L為電纜長度,m;m為材料相同的每相導(dǎo)體總截面積(Sn)與PE導(dǎo)體截面積(SPE)之比。

    圖1 防護密閉門內(nèi)側(cè)設(shè)置熔絲盒做法示意圖

    公式(1)可以等效公式(2)。

    Ik= (0.8~1.0)U/[1.5ρ(1+m1)L1/S1k11k21]+

    [1.5ρ(1+m2)L2/S2k12k22]+

    [1.5ρ(1+m3)L3/S3k13k23]

    (2)

    式中,S1、S2、S3分別為L1、L2、L3段導(dǎo)體的相導(dǎo)體截面積,此處取值分別為150mm2、16mm2、2.5mm2;m1、m2、m3分別為L1、L2、L3段導(dǎo)體相應(yīng)參數(shù),此處取值分別為150/70、1、1;k11、k21、k12、k22、k13、k23分別為L1、L2、L3段導(dǎo)體相應(yīng)參數(shù),k21、k22、k23取值均為1,k11、k12、k13取值分別為0.96(S=150 mm2時對應(yīng)取值)、1、1。

    因短路點遠離配電變壓器,故阻抗校正系數(shù)取0.95,U0=220V,ρ=1/54(Ω·mm2/m)。則:Ik=0.95×220/[(60.63+104.17+1 111.11)×10-3]A=164A。

    圖2 人防外靠近人防內(nèi)接地故障電流計算示意圖

    1.2 保護選擇性分析

    上級配電箱回路采用C10A/1P微型斷路器,保護動作靈敏系數(shù)Krel=164A/(10A×10)≈1.6,滿足規(guī)范要求。分別選取SH201-C10A型微型斷路器和OFAF_H gG 6A型熔斷器,其特性曲線見圖3~4。

    圖3 某公司微型斷路器C型脫扣曲線

    圖4 某OFAF_H gG型熔斷器時間-電流特性曲線

    由圖3~4可知,當Ik=164A時,斷路器和熔斷器的動作時間均<0.01s,上下級之間沒有選擇性。

    《人防設(shè)計規(guī)范》7.5.16條文解釋:當非防護區(qū)與防護區(qū)內(nèi)照明燈具合用同一回路時,非防護區(qū)的照明燈具、線路戰(zhàn)時一旦被破壞,發(fā)生短路會影響到防護區(qū)內(nèi)的照明回路。若上下級設(shè)置的短路保護裝置沒有選擇性,則失去了在防護密閉門內(nèi)側(cè)設(shè)置短路保護裝置的意義。

    若下級熔斷器改為斷路器,斷路器長延時整定電流為6A,不難看出,人防外靠近人防內(nèi)處發(fā)生單相接地故障時,上下級之間仍不具有選擇性。

    1.3 其他短路保護裝置組合方案探討

    1.3.1 上級熔斷器+下級斷路器

    此時要求熔斷器的時間-電流特性曲線上對應(yīng)于預(yù)期短路電流值的熔斷時間比斷路器瞬時脫扣器的動作時間快0.1s以上,才能滿足選擇性要求。由圖4可知,預(yù)期電流(Prospective current)為164A,對應(yīng)弧前時間(Pre-arcing time)≥0.1s時,熔斷器的Ir至少為25A,而此時,熔斷器下級2.5mm2導(dǎo)線的保護,顯然不滿足GB 50054-2011《低壓配電設(shè)計規(guī)范》式6.3.6-1:Ic≤IN≤IZ的要求。而加大導(dǎo)線截面至6mm2,顯然又不經(jīng)濟。此短路保護裝置組合方案不推薦用在小截面回路中。

    1.3.2 上級熔斷器+下級熔斷器的方式

    熔斷器之間的選擇性在GB 13539.1-2015《低壓熔斷器 第1部分:基本要求》中已有規(guī)定。標準規(guī)定了當弧前時間≥0.1s時,熔斷體的過電流選擇特性用“弧前時間-電流”特性校驗;當弧前時間<0.1s時,其過電流選擇性則以I2t特性校驗。當上級熔斷器的弧前I2tmin值>下級熔斷體的熔斷I2tmax值時,可認為在弧前時間>0.01s時,上下級熔斷體間的選擇性可得到保證。標準規(guī)定額定電流16A及以上的串聯(lián)熔斷體的過電流選擇比為1.6∶1,即在一定條件下,上級熔斷體電流不小于下級熔斷體電流的1.6倍,就能實現(xiàn)有選擇性熔斷。

    圖5 弧前和熔斷I2t特性曲線

    由圖4知,Ik=164A時,10A熔斷器弧前時間≥0.01s;圖5為某公司gG熔斷器弧前(Pre-arcing)I2t和熔斷(operating)I2t特性,可查得,I2tmin(In=25A)>I2tmax(In=10A),即需采用上級25A下級10A的配合方案才能滿足選擇性要求。上級采用25A熔斷器時,導(dǎo)線截面仍不免加大。

    1.3.3 上級帶選擇性的斷路器(SMCB)+下級非選擇性斷路器

    選擇性的斷路器(SMCB)符合GB 24350-2009《家用及類似場所用帶選擇性的過電流保護斷路器》的要求。相關(guān)原理可參見文獻[2]11.3.5節(jié)。圖6是某公司提供的S750 DR型SMCB的脫扣曲線。

    結(jié)合S750 DR型SMCB產(chǎn)品樣冊,上級采用S750 DR 16A的SMCB,下級配合S201 10A型微斷,即可滿足選擇性要求。根據(jù)另一家公司產(chǎn)品樣冊,上級選用FTB1-100/E20/1P,下級選一般C10A微型斷路器即可滿足短路保護選擇性要求,但FTB1-100/E20/1P保護的下級導(dǎo)線應(yīng)加大至4mm2。

    2 建議做法

    通過以上分析,筆者總結(jié),防護區(qū)外照明回路配電正確的做法是:對非防護區(qū)的燈具設(shè)置單獨回路供電,或防護區(qū)內(nèi)和非防護區(qū)燈具共用一個電源回路,兼顧經(jīng)濟性,采用1.3.3所述配置方案。

    圖6 S750 DR型帶選擇性過電流保護斷路器脫扣曲線(16-25A)

    3 結(jié)束語

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