李麗榮,孔維功,李立君
(邢臺(tái)職業(yè)技術(shù)學(xué)院電氣工程系,河北邢臺(tái) 054035)
隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,雷電過電壓對電力、電子系統(tǒng)的危害也日益嚴(yán)重[1]。電涌保護(hù)器(SPD)是抑制雷電過電壓的關(guān)鍵設(shè)備,其中又以氧化鋅壓敏電阻最為常用[2]。目前針對SPD的雷電防護(hù)研究較為成熟,涉及了具體保護(hù)機(jī)理[3]、兩級和多級配合保護(hù)方式[4-6]、有效保護(hù)距離[7-8]、負(fù)載性質(zhì)影響[9-10]等多方面,但是現(xiàn)有研究大多是針對8/20 μs、10/350μs沖擊電流源或1.2/50~8/20μs組合波波形。
實(shí)測線路雷電暫態(tài)過電壓觀測數(shù)據(jù)和人工引雷數(shù)據(jù)[11-12]都表明:雷電暫態(tài)過電壓通常呈衰減振蕩,并且首個(gè)脈沖波頭時(shí)間非常短。采用單脈沖電流源或組合波進(jìn)行SPD防護(hù)分析可能與真實(shí)雷電過電壓波作用存在一定差異。IEEE C62.41—1991[13]推薦采用0.5 μs-100 kHz標(biāo)準(zhǔn)振蕩波來模擬真實(shí)雷電暫態(tài)過電壓波形。因此有必要研究標(biāo)準(zhǔn)振蕩波作用下負(fù)載性質(zhì)對SPD防護(hù)特性的影響。
本文通過EMTP軟件[14]搭建標(biāo)準(zhǔn)振蕩波發(fā)生電路,采用P-G壓敏電阻等效電路模型,分析單級SPD和兩級SPD防護(hù)下負(fù)載性質(zhì)對被保護(hù)設(shè)備過電壓的影響。最后討論兩種防護(hù)方式下,不同負(fù)載對應(yīng)的有效保護(hù)距離,為標(biāo)準(zhǔn)衰減振蕩波下的SPD防護(hù)提供參考。
根據(jù)IEEE C62.41—1991定義的0.5 μs-100 kHz標(biāo)準(zhǔn)振蕩波波形,第1個(gè)波頭時(shí)間為0.5 μs,振蕩頻率為100 kHz,在0.5個(gè)周期內(nèi)幅值衰減至初始峰值的60%以下,圖1給出了標(biāo)準(zhǔn)振蕩波發(fā)生電路圖。圖2給出了典型標(biāo)準(zhǔn)振蕩波波形,幅值為6 kV。
圖1 標(biāo)準(zhǔn)振蕩波發(fā)生電路Fig.1 Circuit of the standard oscillating wave generator
標(biāo)準(zhǔn)振蕩波沖擊試驗(yàn)電路圖見圖3,主要考慮采用單級SPD防護(hù)和兩級SPD防護(hù)兩種情況。前后級SPD、SPD與負(fù)載之間均采用電纜連接,兩級SPD間電纜長度取5 m,連接電纜采用PVC絕緣電纜[9],標(biāo)稱截面2.5 mm2,相關(guān)電氣參數(shù):R=0.007 28 Ω/m,L=0.316 μH/m,C=0.13 nF/m。
圖2 標(biāo)準(zhǔn)振蕩波波形Fig.2 Waveform of the standard oscillating wave
圖3 沖擊試驗(yàn)電路模型Fig.3 Impulse test circuit model
SPD選用氧化鋅壓敏電阻,目前較為常見的壓敏電阻片模型有非線性電阻模型、非線性電感模型、IEEE模型[15]和P-G模型[16],IEEE模型和P-G適用的波頭時(shí)間范圍較寬,仿真結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果[17]較為吻合,但I(xiàn)EEE模型參數(shù)選取較為繁瑣,,因此本文采用P-G模型,圖4給出了P-G模型壓敏電阻等值電路圖。
圖4 P-G壓敏電阻閥片模型Fig.4 P-G model of Zno varistor
在P-G模型中,SPD的限壓特性主要通過非線性電阻A1和A2體現(xiàn),R0是用來抑制數(shù)值振蕩的電阻,L0表征壓敏電阻片的接線電感,L1是構(gòu)成內(nèi)外部磁場的電感,模型中各參數(shù)的取值與壓敏電阻結(jié)構(gòu)有關(guān),具體計(jì)算公式參見相關(guān)文獻(xiàn)[16]。
單級SPD防護(hù)中壓敏電阻參考電壓取750 V,10 kA雷電流沖擊下殘壓為1 240 V,兩級SPD防護(hù)中宜采取高低配合保護(hù)方式[18],壓敏電阻參考電壓分別取750 V和510 V,對應(yīng)10 kA電流沖擊下殘壓為1 240 V和845 V。
圖5給出了采用單級SPD防護(hù)方式下,不同負(fù)載幅值對被保護(hù)設(shè)備過電壓影響,SPD與負(fù)載間連接電纜長10 m。
圖5 單級防護(hù)下不同負(fù)載對設(shè)備過電壓影響Fig.5 Overvoltage across EUT with different types of loads in one-stage protection
通過圖5可看出,不同的負(fù)載性質(zhì)對被保護(hù)設(shè)備過電壓影響較大。阻性負(fù)載和感性負(fù)載情況下,過電壓隨著負(fù)載幅值的增大而增加,容性負(fù)載下,過電壓隨著負(fù)載幅值的增大而降低。阻性負(fù)載下,雷電波能量消耗很快,過電壓波形衰減較為明顯,感性和容性負(fù)載下,過電壓波形會(huì)出現(xiàn)振蕩,尤其是感性負(fù)載,波形振蕩十分明顯,出現(xiàn)這種振蕩主要是由于負(fù)載阻抗與電纜阻抗不匹配導(dǎo)致[19]。
根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn)[20]推薦的II類電壓保護(hù)等級對應(yīng)的電壓保護(hù)水平Up為1 500V,雖然單級SPD 10 kA雷電流沖擊下殘壓為1 240V,但感性和容性負(fù)載的過電壓仍然超過了1 500V,可能造成被保護(hù)設(shè)備的損壞。在安裝SPD前,需要首先考慮負(fù)載的性質(zhì),盡可能避免負(fù)載與線纜之間的振蕩引起的負(fù)載電壓升高。
圖6給出了采用兩級SPD防護(hù)方式下,不同負(fù)載幅值對被保護(hù)設(shè)備過電壓影響,SPD與負(fù)載間連接電纜長10 m。
圖6 兩級防護(hù)下不同負(fù)載對設(shè)備過電壓影響Fig.6 Overvoltage across EUT with different types of loads in two-stage protection
通過圖6可以看出,采用兩級SPD防護(hù)方式后,無論是阻性負(fù)載、感性負(fù)載還是容性負(fù)載,被保護(hù)設(shè)備過電壓都能夠得到進(jìn)一步降低,均未超過1 500 V,設(shè)備能夠得到有效保護(hù)。同時(shí),感性負(fù)載過電壓波形振蕩也得到了較為明顯的抑制。
除了負(fù)載性質(zhì)外,SPD和被保護(hù)設(shè)備之間的距離同樣會(huì)影響被保護(hù)設(shè)備過電壓,因此為了避免被保護(hù)設(shè)備的損壞,SPD與設(shè)備之間存在一個(gè)有效保護(hù)距離。圖7給出了單級和兩級SPD防護(hù)下被保護(hù)設(shè)備過電壓隨SPD與設(shè)備間線纜長度變化情況。
圖7 線纜長度對被保護(hù)設(shè)備過電壓影響Fig.7 Overvoltage across EUT vs length of cable
從圖7可以看出,單級SPD和兩級SPD防護(hù)下,阻性負(fù)載過電壓隨著線纜長度的增加而增大,容性負(fù)載和感性負(fù)載過電壓則呈現(xiàn)先增大后減小的變化趨勢。
單級SPD防護(hù)下,如果被保護(hù)設(shè)備電壓保護(hù)水平為II類1.5 kV,阻性負(fù)載有效保護(hù)距離沒有限制,感性負(fù)載有效保護(hù)距離<5 m或>50 m,容性負(fù)載有效保護(hù)距離<4 m或>60 m;如果被保護(hù)設(shè)備電壓保護(hù)水平為I類1.2 kV,阻性負(fù)載有效保護(hù)距離沒有限制,感性負(fù)載有效保護(hù)距離<2 m或>100 m,容性負(fù)載有效保護(hù)距離<2 m或>100 m。
兩級SPD防護(hù)下,如果被保護(hù)設(shè)備電壓保護(hù)水平為I類1.2 kV,阻性負(fù)載和感性負(fù)載的有效保護(hù)距離沒有限制,容性負(fù)載有效保護(hù)距離<3 m或>100 m。
考慮到連接電纜長度不可能過長,只有當(dāng)電纜長度小于一定數(shù)值時(shí),才能使感性負(fù)載和容性負(fù)載低于設(shè)備過電壓保護(hù)水平,因此需要重點(diǎn)考慮感性和容性負(fù)載的防護(hù),如選取參考電壓更低的SPD。
利用EMTP仿真產(chǎn)生0.5 μs-100 kHz標(biāo)準(zhǔn)振蕩波波形,研究了負(fù)載性質(zhì)對SPD防護(hù)的影響,得到結(jié)論如下:
1)負(fù)載幅值對被保護(hù)設(shè)備過電壓數(shù)值影響較大,阻性負(fù)載或感性負(fù)載情況下,過電壓隨著負(fù)載幅值的增大而增加,容性負(fù)載情況下,過電壓隨著負(fù)載幅值的增大而降低。感性負(fù)載過電壓波形振蕩十分明顯。
2)采用兩級SPD防護(hù)方式,能夠進(jìn)一步降低被保護(hù)設(shè)備過電壓,設(shè)備能夠得到較好的保護(hù),感性負(fù)載過電壓波形振蕩也得到較為明顯的抑制。
3)阻性負(fù)載情況下,被保護(hù)設(shè)備過電壓隨著線纜長度的增加而增大,容性負(fù)載和感性負(fù)載情況下,則呈現(xiàn)先增大后減小的變化趨勢。
參考文獻(xiàn):
[1]吳廣寧,曹曉斌,李瑞芳.過電壓防護(hù)的理論與技術(shù)[M].北京:中國電力出版社,2015.
[2]李祥超,等.電涌保護(hù)器(SPD)原理與應(yīng)用[M].北京:氣象出版社,2011.
[3]姜輝,劉全楨,劉寶全,等.低壓配電系統(tǒng)電涌保護(hù)器能量配合研究[J].電瓷避雷器,2013(3):137-142.JIANG Hui,LIU Quanzhen,LIU Baoquan,et al.Research on energy coordination of SPD in low-voltage distribution system[J].InsulatorsandSurgeArresters,2013(3):137-142.
[4]段振中,柴健,朱傳林.限壓型低壓電涌保護(hù)器級間能量配合方式的仿真研究[J].電瓷避雷器,2013(1):102-106.DUAN Zhenzhong,CHAI Jian,ZHU Chuanlin.Simulation research on energy cooperation mode between levels of Voltage-Limiting low voltage SPD[J].Insulators and Surge Arresters,2013(1):102-106.
[5]杜志航,楊仲江,姜山,等.基于限壓型電涌保護(hù)器能量配合的分析[J].電瓷避雷器,2009(5):46-49.DU Zhihang,YANG Zhongjiang,JIANG Shan,et al.Anal?yse on energy coordination between based on voltage limit?ing SPD[J].Insulators and Surge Arresters,2009(5):46-49.
[6]SHIN H K,KIM D S,CHUNG Y K,et al.Energy coordi?nation of ZnO varistor based SPDs in surge current due to direct lightning flashes[C].2014 International Conference on Lightning Protection(ICLP),2014:136-140.
[7]袁智勇,許菁,何金良,等.低壓浪涌保護(hù)器的有效保護(hù)距離[J].高電壓技術(shù),2003,29(8):29-31.YUAN Zhiyong,XU Jing,HE Jinliang,et al.Analysis of theeffectiveprotectiondistanceofLow-VoltageSPDtoequip?ment[J].High Voltage Engineering,2003,29(8):29-31.
[8]LI M,YUAN J,ZHAO Z.Low-voltage SPD coordination analysis[C].2011 Asia-Pacific International Conference on Lightning.Chengdu,2011:913-916.
[9]RADULOVIC V,MUJOVIC S,MILJANIC Z.Characteris?ticsofovervoltageprotectionwithcascadeapplicationofsurge protective devices in Low-Voltage AC power circuits[J].Advances in Electrical&Computer Engineering,2015,15(3):153-160.
[10]?kuletiS,RaduloviV.Analysis of surge protection per?formance in low-voltage AC systems with capacitive load[C].Universities Power Engineering Conference.IEEE,2010:1-6.
[11]SABIHA N A,LEHTONEN M.Lightning-Induced over?voltages transmitted over distribution transformer with MV Spark-Gap operation-part I:High-Frequency transform?er model[J].IEEE Transactions on Power Delivery,2010,25(4):2472-2480.
[12]張義軍,張陽,鄭棟,等.2008—2014年廣東人工觸發(fā)閃電電流特征[J].高電壓技術(shù),2016,40(11):3404-3414.ZHANG Yijun,ZHANG Yang,ZHENG Dong,et al.Cur?rent characteristics of triggered lightnings in Guangdong from 2008 to 2014[J].High Voltage Engineering,2016,40(11):3404-3414.
[13]Recommended practice on surge voltage in low-voltage AC power circuits:IEEE C62.41—1991[S].
[14]李云閣.ATP-EMTP及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用[M].北京:中國電力出版社,2016.
[15]IEEE working group 3.4.11.Modeling of metal oxide surge arresters[J].IEEE Transactions on Power Delivery,1995,10(2):393-397.
[16]PINCETI P,GIANNETTONI M.A simplified model for Zinc oxide surge arresters[J].IEEE Transactions on Power Delivery,1999,14(2):393-398.
[17]王榮珠,張?jiān)品?,陳則煌,等.基于ATP-EMTP仿真軟件的MOV仿真模型的分析[J].電瓷避雷器,2014(5):66-70.WANG Rongzhu,ZHANG Yunfeng,CHEN Zehuang,et al.Analysis of MOV simulation model based on ATP-EMTP[J].Insulators and Surge Arresters,2014(5):66-70.
[18]李清泉,范士鋒,袁鵬,等.振蕩波兩級低壓浪涌保護(hù)器配合情況的實(shí)驗(yàn)研究[J].高壓電器,2004,40(1):9-10.LI Qingquan,F(xiàn)AN Shifeng,YUAN Peng,et al.Experi?mental study of the cascaded SPD coordination under ring wave[J].High Voltage Apparatus,2004,40(1):9-10.
[19]何金良,曾嶸.配電線路雷電防護(hù)[M].北京:清華大學(xué)出版社,2013.
[20]Surge protective devices connected to low-voltage power distribution systems-selection and applications principles:IEEE 61643-12[S].2011.