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      基于ANSYS的800 kV直流母線避雷器不同運行狀況下電位分布的仿真計算

      2018-05-15 11:15:11張丕沛苗世洪鐘丹田
      電瓷避雷器 2018年2期
      關(guān)鍵詞:避雷器特高壓電場

      張丕沛,苗世洪,鐘丹田,高 強,張 迪

      (1.強電磁工程與新技術(shù)國家重點實驗室(華中科技大學(xué)),武漢430074;2.國網(wǎng)遼寧省電力有限公司電力科學(xué)研究院,沈陽110006)

      0 引言

      我國已經(jīng)有多條±800 kV直流特高壓工程投入運行,避雷器是特高壓直流輸電系統(tǒng)中過電壓保護(hù)的主要設(shè)備,擔(dān)負(fù)著限制雷電過電壓和瞬態(tài)過電壓的雙重保護(hù)作用,避雷器的運行狀況與特高壓直流輸電系統(tǒng)的穩(wěn)定運行密切相關(guān)。圖1給出了典型的直流換流站避雷器保護(hù)方案[1-4]。800 kV直流母線“DB”型避雷器(以下簡稱DB)裝于直流母線側(cè),用于直流開關(guān)場的雷電和操作波保護(hù)。由于耐受電壓高,動作時吸收能量大,DB必須采用電阻片多柱并聯(lián)技術(shù)才能滿足要求,從而使得DB的結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜[5-6]。若在長期運行中,出現(xiàn)局部損壞或受潮現(xiàn)象,將會導(dǎo)致DB整體的電位分布不合理,甚至引發(fā)DB爆炸等安全事故,因此對DB不同運行狀況下的電位分布進(jìn)行分析計算具有重要的理論和實際意義。

      圖1 換流站典型避雷器保護(hù)方案Fig.1 Protection scheme for typical arrester in converter station

      文獻(xiàn)[7-10]分別建立了220 kV、330 kV、500 kV和1 000 kV交流避雷器電位分布的計算模型,將交流持續(xù)運行電壓下的電位分布視為靜電場問題,即電壓按照各媒質(zhì)的介電常數(shù)呈反比分布,但是直流運行電壓下的電場并不滿足這種規(guī)律;文獻(xiàn)[11]認(rèn)為:在直流持續(xù)運行電壓下,避雷器的電場分布滿足恒定電場的條件,介質(zhì)的電阻率決定了電位分布,并根據(jù)DB結(jié)構(gòu)的對稱性建立了1/4三維模型,對正常運行時的電位分布進(jìn)行仿真計算,但是當(dāng)DB不同位置短路或受潮時,其電位分布將不再滿足對稱性,因此1/4模型具有一定的局限性。

      本文應(yīng)用ANSYS有限元分析軟件,按照800 kV DB實際尺寸建立了完整的三維電場分析模型,對DB正常、不同位置短路及受潮時的電位分布進(jìn)行了仿真計算,并對電位分布特征進(jìn)行了規(guī)律性的總結(jié)。

      1 ANSYS三維模型與計算方法

      800 kV DB由5節(jié)避雷器節(jié)串聯(lián)而成(從上至下編號為一、二、三、四、五),每節(jié)單元高度2 160 mm,每節(jié)內(nèi)部有兩柱電阻片并聯(lián),每柱由60片環(huán)狀電阻片(外徑?115 mm,內(nèi)徑?38 mm,厚度20 mm)串聯(lián)而成,每兩個電阻片為1組,共30組,每組之間用相同尺寸的鋁墊片隔開。加裝3個防暈環(huán),其結(jié)構(gòu)為環(huán)形,其中第1個和第2個防暈環(huán)與上節(jié)避雷器的上法蘭相連接,且頂部防暈環(huán)高出上法蘭800 mm,第3個防暈環(huán)與第一節(jié)避雷器的下法蘭相連接。避雷器總高約11.6 m,試驗時底部安裝4 m高的底座。

      按照DB的實際結(jié)構(gòu)尺寸,建立ANSYS三維仿真模型,整體結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。在對無限大空氣域的處理中,根據(jù)文獻(xiàn)[12-14]的結(jié)論,只要設(shè)置計算邊界為試品總高度的2倍以上,便可滿足工程計算的精度要求。因此,建立40 km×40 km×80 km的長方體外部空氣域,來模擬試驗現(xiàn)場外部空間的空氣區(qū)域,見圖3。

      圖2 DB三維整體模型Fig.2 3D model of DB

      圖3 外部空氣域Fig.3 Outside air field

      DB在直流持續(xù)運行電壓的作用下,內(nèi)部電流以傳導(dǎo)電流為主,此時DB可以看作是由等效電阻組成的網(wǎng)絡(luò),而電位在各媒質(zhì)間的分布與電阻率成正比,因此可以將DB的電位分布問題轉(zhuǎn)化為恒定電場問題進(jìn)行求解[15-16]。

      選擇ANSYS中的SOLID232為分析單元,對避雷器各組件的電阻率進(jìn)行賦值,并對避雷器本體以及空氣區(qū)域進(jìn)行四面體網(wǎng)格劃分,根據(jù)元件的尺寸、電場的疏密等因素對網(wǎng)格大小進(jìn)行合理的設(shè)置,電阻片、防暈環(huán)附近的空氣剖分較為精細(xì),而遠(yuǎn)處的空氣域則選擇尺寸較大的網(wǎng)格。由于在恒定電場中,金屬導(dǎo)體內(nèi)部電場為0,且金屬導(dǎo)體表面電位處處相等,故金屬導(dǎo)體不參與劃分網(wǎng)格,而將由金屬導(dǎo)體組成的法蘭、防暈環(huán)、鋁墊片等元件的表面節(jié)點電位進(jìn)行自由度耦合,強制使其等電位。DB各組件的電阻率見表1[17]。

      表1 各組件的電阻率大小Table 1 Resistivity of each component

      最后為三維模型施加邊界條件,對最上部的法蘭和防暈環(huán)賦予避雷器的持續(xù)運行電壓824 kV,對最下部的法蘭、底座以及空氣區(qū)域的外部表面賦予0 V,便可對800 kV“DB”進(jìn)行恒定電場的求解。

      2 DB正常運行時的電位分布

      按照第1節(jié)中劃分的網(wǎng)格以及施加的邊界條件,求解得到DB軸子午面上的電位分布等勢圖見圖4。

      圖4 軸對稱截面的電位分布等勢圖Fig.4 Potential distribution equipotential graph of axisymmetric section

      通常采用電阻片上的電壓承擔(dān)率衡量其承擔(dān)電壓的程度,其定義為

      式中:U0為避雷器的試驗電壓;n為每組電阻片數(shù)目;ni及Ui分別是第i個電阻片的電壓承擔(dān)率及實際的承受電壓。

      800 kV DB 5節(jié)共60×5=300片電阻片,從上至下編號為1—300(每節(jié)內(nèi)部電阻片自上至下編號為1—60),則根據(jù)式(1)計算得到的各電阻片電壓承擔(dān)率見圖5??梢钥闯?,由于氧化鋅電阻片的電阻率和其周圍介質(zhì)電阻率的數(shù)量級相差比較大,因此在直流持續(xù)運行電壓下,周圍介質(zhì)中幾乎不存在泄漏電流,電阻片電壓承擔(dān)率只和自身的電阻率有關(guān),即直流運行電壓下DB電阻片電壓承擔(dān)率均為1。

      圖5 DB正常運行時的電位分布Fig.5 Potential distribution of DB in normal condition

      3 單節(jié)不同位置電阻片短路時電位分布仿真計算結(jié)果

      當(dāng)電阻片短路時,其在恒定電場中的作用與導(dǎo)體相同,因此需要將短路的電阻片表面節(jié)點的電位及其相鄰的金屬導(dǎo)體(鋁墊片、法蘭等)表面節(jié)點的電位進(jìn)行自由度耦合,從而進(jìn)行800 kV DB不同位置短路時的電位仿真計算。

      分別將第一、二、三、四、五節(jié)內(nèi)部柱1第31—34號電阻片設(shè)置為短路,故障柱和非故障柱的電阻片承擔(dān)率見圖6。

      由仿真結(jié)果可看出,不論短路發(fā)生在哪一節(jié),都只對該節(jié)內(nèi)部電阻片的電壓承擔(dān)率產(chǎn)生較大的影響:故障柱上的正常電阻片電壓承擔(dān)率升高,

      非故障柱上電阻片電壓承擔(dān)率降低。而其余節(jié)內(nèi)部電阻片的電壓承擔(dān)率有微微上升,這是因為內(nèi)部短路的避雷器節(jié)整體等效電阻變小,從而分壓變小,導(dǎo)致非故障節(jié)內(nèi)部的電阻片分壓變大。

      選取第3節(jié)的電阻片作為研究對象,當(dāng)不同位置、不同個數(shù)的電阻片短路時的,故障柱的電壓承擔(dān)率見圖7(短路電阻片的電壓承擔(dān)率為0,在圖中沒有畫出)。

      由計算結(jié)果可看出,當(dāng)同一節(jié)內(nèi)不同位置、不同個數(shù)的電阻片短路時,正常電阻片的電位分布仍然保持均勻;短路電阻片個數(shù)越多,正常電阻片的電壓承擔(dān)率上升越嚴(yán)重,且與短路電阻片在本節(jié)內(nèi)的位置無關(guān)。

      圖6 不同節(jié)內(nèi)部短路時的電位分布Fig.6 Potential distribution in different sections of internal short circuit

      圖7 第三節(jié)不同短路情況下的電壓承擔(dān)率Fig.7 Voltage bearing rate in section 3 different short circuit

      4 不同節(jié)受潮時電位分布仿真計算結(jié)果

      考慮到電阻片表面的釉層和電鍍層具有一定憎水性,水分會以水珠形式凝結(jié)在其表面,當(dāng)受潮嚴(yán)重時,大量水珠會連結(jié)成水帶[18-19];同時為了簡便劃分網(wǎng)格與求解過程,分別將12條、24條與36條半徑為3 mm的半圓柱形水帶(電阻率為1 000 Ω·m)均勻附著在受潮的電阻片表面,作為對800 kV DB單節(jié)不同受潮程度的仿真模型,見圖8。

      圖8 電阻片不同程度受潮的水帶模型Fig.8 Water column models of different levels of damp

      分別將第一、二、三、四、五節(jié)設(shè)置為受潮狀態(tài),針對不同的受潮程度,應(yīng)用不同數(shù)量的水帶模型(12條、24條和36條,水帶越多代表受潮程度越深),電位分布的仿真結(jié)果見圖9。

      可以看出,受潮的電阻片電壓承擔(dān)率有所下降,且受潮程度越嚴(yán)重,其電壓承擔(dān)率越低。從恒定電場的角度分析,附著在電阻片周圍的水柱相當(dāng)于并聯(lián)電阻,使得受潮電阻片的整體等效電阻變小,由于恒定電場中,電壓按照電阻呈正比分配,從而使得受潮部位的電阻片電壓承擔(dān)率變小。而所有電阻片承擔(dān)的電壓不變(持續(xù)運行電壓824 kV),從而未受潮部分電阻片的電壓承擔(dān)率會有所增大。

      5 結(jié)論

      本文應(yīng)用ANSYS軟件,建立了800 kV直流母線DB型避雷器完整的三維仿真模型,采用恒定電場的分析方法,對各組件的電阻率進(jìn)行賦值并施加邊界條件,從而對DB在不同運行狀況下的電位分布進(jìn)行仿真計算,結(jié)果表明:

      1)DB在直流持續(xù)運行電壓下,各電阻片的電位呈均勻分布,電壓承擔(dān)率均為1。

      2)電阻片短路會使得故障柱上正常電阻片的分壓變大,且短路電阻片個數(shù)越多,正常電阻片的電壓承擔(dān)率上升越嚴(yán)重。

      3)受潮的電阻片分壓變小,且受潮程度越嚴(yán)重,電壓承擔(dān)率越低。

      以上結(jié)論均符合恒定電場電場內(nèi)電位分布的基本規(guī)律,驗證了模型和仿真計算結(jié)果的有效性與正確性。

      圖9 不同節(jié)受潮時的電位分布Fig.9 Potential distribution in different section damp

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