Arm宣布旗下Arm Artisan物理IP將應用于臺積電基于Arm架構(gòu)的SoC設(shè)計22 nm超低功耗和超低漏電平臺。臺積電22 nmULP/ULL技術(shù)針對主流移動和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進行了優(yōu)化,與上一代臺積電28 nm HPC+平臺相比,在提升基于Arm的SoC性能的同時,更顯著降低功耗和硅片面積。
針對臺積電22 nmULP/ULL工藝技術(shù)推出的Artisan物理IP包含了代工廠支持的內(nèi)存編譯器,針對下一代邊緣計算設(shè)備的低泄漏和低功耗要求進行了優(yōu)化。除此之外,這些編譯器還附有超高密度和高性能的物理IP標準單元庫,其中含有電源管理套件和厚柵氧化物元件庫,以協(xié)助優(yōu)化低泄漏功耗。另外,最新的物理IP還提供了通用I/O解決方案,以確保性能、功耗和面積的全面最優(yōu)化。
Arm物理IP是一套廣受信賴并已獲廣泛應用的解決方案,每年由Arm合作伙伴出貨的集成電路(IC)超過100億個。臺積電22 nmULP/ULL工藝技術(shù)針對Arm物理IP的整合目前正在積極推進之中,致力于在2018年下半年為雙方共同的芯片合作伙伴實現(xiàn)流片。