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      利用GEK代理模型的天線快速多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計

      2018-04-10 09:45:53王丹青
      關(guān)鍵詞:單極子調(diào)用代理

      王丹青, 李 萍

      (武警工程大學(xué) 信息工程系,陜西 西安 710086)

      多目標(biāo)優(yōu)化算法輔助的天線自動與半自動設(shè)計,能夠綜合考慮各項設(shè)計要求,獲得最優(yōu)天線結(jié)構(gòu).它降低了天線設(shè)計對工程經(jīng)驗的依賴,具有自動化、智能化的優(yōu)點(diǎn),是未來天線設(shè)計的必然發(fā)展趨勢[1].但由于優(yōu)化過程中需要頻繁調(diào)用電磁仿真軟件進(jìn)行仿真計算,算法的整體時間復(fù)雜度較大,難以適用于多參數(shù)復(fù)雜天線的設(shè)計.因此,提高優(yōu)化效率,縮短天線優(yōu)化時間成為研究熱點(diǎn).對此,部分學(xué)者在智能優(yōu)化算法迭代尋優(yōu)中調(diào)用計算成本低、仿真時間短的代理模型代替電磁仿真軟件.代理模型是根據(jù)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(Artificial Neural Network, ANN)[2-4]、克里金模型(Kriging Model, KM)[5-7]和多項式擬合模型(Polynomial Fitting Model,PFM)[8-10]等方法建立的天線結(jié)構(gòu)參數(shù)與電磁性能響應(yīng)間映射關(guān)系的近似模型.引入代理模型完成優(yōu)化的時間成本包括代理模型建立和算法迭代尋優(yōu)兩部分.目前研究多側(cè)重于通過減少建立代理模型所需樣本數(shù)量[6,11-12,14],縮短樣本仿真時間[7,13]或兩相結(jié)合的方法[8-10]來減小建立代理模型的時間成本.但由于仍采用傳統(tǒng)的全局優(yōu)化算法,迭代尋優(yōu)收斂慢,優(yōu)化效率不理想.

      因此,筆者首先將遺傳算子引入多梯度下降算法中,提出了混合遺傳算子多梯度下降算法(Multi-Gradient Descent Algorithm hybrid with Genetic Operator, MGDA-GO).該算法具有全局性好、尋優(yōu)收斂速度快的優(yōu)勢.然后建立梯度增強(qiáng)型克里金(Gradient-Enhanced Kriging, GEK)模型[11],作為MGDA-GO算法求解天線多目標(biāo)優(yōu)化設(shè)計問題中天線電磁仿真的代理模型.相較于一般克里金代理模型,GEK代理模型達(dá)到相同代理仿真準(zhǔn)確度所需樣本的規(guī)模較?。梦闹兴惴▽虞d各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)覆層的警用超短波寬帶單極子天線和某型直升機(jī)機(jī)載雙頻超高頻(Ultra High Frequency,UHF)專用通信天線的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)及以其為陣元的抗干擾陣列天線進(jìn)行優(yōu)化.與利用遺傳算法調(diào)用仿真軟件的優(yōu)化方法相比,文中算法所需電磁仿真次數(shù)更少,優(yōu)化時間更短,優(yōu)化效率更高.

      1 混合遺傳算子多梯度下降算法

      1.1 問題描述

      多目標(biāo)優(yōu)化問題可以記為

      (1)

      其中,x=[x1,x2,…,xm]T,為m維優(yōu)化變量;fi(x)(i=1,2,…,n)為n個優(yōu)化目標(biāo)函數(shù);gi(x)和hi(x)分別為優(yōu)化問題的不等式約束和等式約束條件.求解多目標(biāo)優(yōu)化問題所得解集稱為非支配解集或Pareto最優(yōu)解集,在目標(biāo)函數(shù)空間中構(gòu)成Pareto前沿(Pareto Front, PF)[12].

      1.2 算法描述

      筆者在傳統(tǒng)多梯度下降算法(Multi-Gradient Descent Algorithm, MGDA)[13]中引入遺傳算子,提出混合遺傳算子多梯度下降算法(MGDA-GO).該算法首先由多維均勻拉丁超立方采樣(Latin Hypercube Sampling with MultiDimensional Uniformity,LHS-MDU)[14]方法在設(shè)計空間中得到初代樣本集;然后對其執(zhí)行遺傳算子,利用產(chǎn)生的子代種群初始化多梯度下降算法,并通過在迭代尋優(yōu)中對產(chǎn)生的解執(zhí)行遺傳算子,避免算法過早陷入局部最優(yōu).MGDA-GO的具體步驟如下:

      步驟1利用LHS-MDU方法采樣得到初代樣本集Gs=LHS(D,Dn),其中,D為優(yōu)化變量的維數(shù),Dn為各維度上采樣點(diǎn)的個數(shù).初始化算法迭代次數(shù)t=0.

      步驟2對Gt(G0=Gs)中的個體進(jìn)行實(shí)數(shù)編碼,根據(jù)輪盤賭法選擇父代樣本P1,P2∈Gt.然后生成隨機(jī)數(shù)rc,比較其與交叉概率φ的大?。?dāng)rc<φ時,根據(jù)

      (2)

      (3)

      其中,d(xi(fj))的計算公式為

      (4)

      步驟4遍歷非支配解集Nt,根據(jù)

      (5)

      (6)

      的梯度下降方向-ω.然后根據(jù)

      maxH,H={h|?ρ∈[0,h],fi(x)≥fi(x-ρω),1≤i≤n},

      (7)

      2 MGDA-GO調(diào)用GEK代理模型求解天線多目標(biāo)優(yōu)化問題

      2.1 優(yōu)化流程

      2.2 實(shí)例驗證與分析

      2.2.1加載各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)覆層的警用超短波寬帶單極子天線的優(yōu)化設(shè)計

      圖1 新型單極子天線結(jié)構(gòu)示意圖

      利用文中算法對如圖1所示的新型超短波單極子天線進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化.該新型單極子天線是在傳統(tǒng)單極子結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,新增兩層內(nèi)、外壁上均覆有各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)的套筒,與傳統(tǒng)單極子同軸共置.Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)覆層的介質(zhì)選擇Rogers Ultralam 3850 (ε= 3.48,tanδ= 0.002 7) 材料,厚 0.51 mm.分析各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)單元的電磁特性,可知其介電常數(shù)在套筒與單極子的共同軸線方向上的分量較高.因此,通過優(yōu)化調(diào)整各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)單元和加載周期結(jié)構(gòu)覆層的套筒結(jié)構(gòu)參數(shù),能夠在不影響其中同軸共置的傳統(tǒng)單極子諧振的同時,產(chǎn)生另一諧振頻率,從而拓展天線帶寬.該天線優(yōu)化問題可表示為

      minU(R(x))=[U1(R(x)),U2(R(x))].

      (8)

      優(yōu)化變量包括新增各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)覆層的單元結(jié)構(gòu)參數(shù)和傳統(tǒng)單極子天線的長度h,記為x= [a,b,c,d1,h]T.優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)可表示為

      (9)

      其中,U1為計算在設(shè)計要求的頻段 (250~ 500 MHz) 內(nèi),采樣頻點(diǎn)fi(頻率采樣步長為 25 MHz,采樣點(diǎn)總數(shù)為I)處天線反射系數(shù)S11的平均值;U2為計算天線樣本體積(h1為各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)覆層的高度).同時設(shè)置優(yōu)化約束條件 max(S11(fi))≤ -10 dB,以去除優(yōu)化中阻抗匹配不能滿足實(shí)際使用要求的天線結(jié)構(gòu).

      針對優(yōu)化目標(biāo)U1建立梯度增強(qiáng)型克里金代理模型,MGDA-GO調(diào)用代理模型求解該天線多目標(biāo)優(yōu)化問題,得到如圖2所示的Pareto前沿.重復(fù)MGDA-GO求解該優(yōu)化問題共5次,從每次所得的非支配解集中選出1個天線樣本在HFSS軟件中進(jìn)行仿真驗證.選中天線的結(jié)構(gòu)參數(shù)見表1,仿真驗證所得的反射系數(shù)曲線如圖3所示.

      圖2 Pareto前沿圖3 反射系數(shù)仿真驗證結(jié)果

      表1 優(yōu)化天線結(jié)構(gòu)尺寸 mm

      利用文中優(yōu)化方法求解該天線優(yōu)化問題所需電磁仿真次數(shù)為139次(見表2).利用文獻(xiàn)[5]提出的由遺傳算法調(diào)用克里金代理模型的天線優(yōu)化方法求解該天線優(yōu)化問題,重復(fù)優(yōu)化實(shí)驗5次,平均一次優(yōu)化需要的電磁仿真次數(shù)為207次(見表2),是利用遺傳算法直接調(diào)用仿真軟件(HFSS)的15.33%.對比可見,對于求解該天線優(yōu)化問題,文中算法僅需文獻(xiàn)[5]方法所需電磁仿真次數(shù)的67.15%,是利用遺傳算法直接調(diào)用仿真軟件進(jìn)行優(yōu)化所需電磁仿真次數(shù)的10.30%.

      表2 優(yōu)化時間成本對比

      2.2.2機(jī)載UHF雙頻天線及其抗干擾陣列的優(yōu)化設(shè)計

      利用文中算法對某型直升機(jī)專用通信系統(tǒng)中的機(jī)載UHF雙頻天線進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計.天線基本結(jié)構(gòu)為平面單極子,通過在平面單極子旁引入窄條形寄生金屬輻射體(以下稱為金屬前沿),改變天線輻射體表面電流分布,使天線在低頻段新增諧振頻點(diǎn).然后,在天線主輻射面上加載水平縫隙,提高天線在設(shè)計要求工作頻段上的阻抗匹配性能,天線結(jié)構(gòu)如圖4(a)所示.該天線結(jié)構(gòu)的優(yōu)化問題可表示為

      minU(R(x))=[U1(R(x)),U2(R(x)),U3(R(x)),U4(R(x))].

      (10)

      (11)

      (12)

      一個工作頻段內(nèi)的頻率采樣點(diǎn)總數(shù)為I,頻率采樣步長為5 MHz.

      優(yōu)化算法的求解過程重復(fù)6次,結(jié)合實(shí)際從各次優(yōu)化所得非支配解集中選擇天線樣本(見表3)在HFSS仿真軟件中進(jìn)行驗證.驗證中參考機(jī)腹實(shí)際設(shè)置天線地板尺寸,得到反射系數(shù)曲線如圖5所示.將文中優(yōu)化算法的優(yōu)化時間成本與利用非支配排序遺傳算法(Non-dominated Sorting Genetic Algorithm-Ⅱ,NSGA-Ⅱ)調(diào)用電磁仿真的優(yōu)化算法以及NSGA-Ⅱ調(diào)用克里金代理模型的優(yōu)化方法進(jìn)行對比,由表4所示的對比結(jié)果可得,文中優(yōu)化算法所需的電磁仿真次數(shù)僅為其他兩種方法的18.96%和57.66%.

      表3 天線結(jié)構(gòu)參數(shù) cm

      表4 優(yōu)化時間成本對比

      圖4 天線結(jié)構(gòu)

      以優(yōu)化所得天線樣本1為單元,組成如圖4(b)所示的 1×7 均勻直線抗干擾相控陣.利用文中優(yōu)化算法MGDA-GO對陣元激勵的幅度和相位進(jìn)行優(yōu)化,優(yōu)化目標(biāo)為陣列法線上主波束方向上增益最大,同時最大副瓣電平最?。畧D6給出了在仿真軟件HFSS中按優(yōu)化所得的天線陣列饋電方式之一: 陣元幅度為 0.845 9 W,0.805 4 W,0.627 2 W,0.507 4 W,0.348 6 W,0.214 1 W,0.113 6 W; 陣元相位為193.11°,197.75°,190.97°,198.38°,187.56°,208.91°,190.17°進(jìn)行饋電時陣列的輻射方向圖.可見,優(yōu)化后陣列在 350 MHz 時全部副瓣均低于主波束增益 -15 dB 以上; 在 850 MHz 時主波束增益為 11.71 dB,副瓣電平均低于 -6.55 dB,陣列輻射良好,能夠完成抗干擾通信任務(wù),實(shí)現(xiàn)了既定的優(yōu)化目的.

      3 結(jié) 束 語

      利用優(yōu)化算法直接調(diào)用仿真軟件進(jìn)行天線優(yōu)化的傳統(tǒng)方法效率很低,針對這一問題,筆者首先通過在多梯度下降算法中引入遺傳算子,提出了一種高效的全局優(yōu)化算法——混合遺傳算子多梯度下降算法(MGDA-GO).并且建立梯度增強(qiáng)型克里金模型(GEK)代理天線的電磁仿真過程.MGDA-GO調(diào)用GEK代理模型計算優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)完成尋優(yōu) , 得到可供決策者靈活選擇的Pareto最優(yōu)解集 . 利用文中算法分別優(yōu)化了加載各向異性Ⅰ型周期結(jié)構(gòu)覆層的警用超短波寬帶單極子天線、某型直升機(jī)機(jī)載雙頻UHF專用通信天線及其抗干擾相控陣.上述實(shí)例中,文中優(yōu)化算法所需的電磁仿真次數(shù)明顯少于利用NSGA-Ⅱ調(diào)用電磁仿真軟件的優(yōu)化方法,提高了優(yōu)化效率.文中算法對于各類天線及其他微波器件的優(yōu)化設(shè)計均具有一定的借鑒意義.

      圖5 反射系數(shù)仿真驗證結(jié)果圖6 優(yōu)化后陣列方向圖

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