國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作廣東中心 李珊珊
熱輔助磁記錄技術借鑒了磁光記錄的熱磁寫入方式,在磁頭進行信息寫入時,通過激光局部、瞬間加熱,使記錄位在短時間內(nèi)達到較高的溫度。介質(zhì)材料的矯頑力低,容易記錄信息,但是信號不穩(wěn)定,相反,介質(zhì)的矯頑力較高時,記錄信號穩(wěn)定,介質(zhì)要求記錄磁頭具有強度更高的記錄磁場。對于高矯頑力的磁記錄介質(zhì),寫入信號時暫時提高介質(zhì)局部的溫度,使其矯頑力迅速下降到寫頭磁場可寫的范圍;在完成信息寫入后,介質(zhì)快速冷卻到室溫的高矯頑力狀態(tài),可以形成穩(wěn)定的磁疇,完好地保持寫入的信息,這樣,在熱輔助磁記錄的方式下,既可以克服高矯頑力介質(zhì)記錄的困難,又可以改善信息位的熱穩(wěn)定性,從而獲得非常高的面記錄密度。
1、專利申請量分析
在CNABS庫中使用“(therm+ or heat+ or 熱 or energy) 1w(assist+ or 輔助)”以及“磁 or magnetic” 與“記錄 or 存儲 or record+”進行檢索;在VEN庫中,使用“((therm+ or heat or 熱 or energy) 1w (assist+ or 輔助) 1w magnetic 1w(record+ or 記錄)) or TAMR or HAMR”,然后使用APD進行申請年份的統(tǒng)計,從而得出熱輔助磁記錄技術領域國內(nèi)外申請量的對比情況。
圖1 熱輔助磁記錄國內(nèi)外申請量走勢圖
從圖1中可以看出,從2000年出現(xiàn)熱輔助磁記錄技術以來,該技術在國內(nèi)外申請量呈現(xiàn)上升的趨勢,尤其是在2013年國內(nèi)的增長量是近幾年來是最高的。從申請量的變化走勢來看,國內(nèi)與國外的申請量變化是一致的;在申請量的數(shù)量上來看,該領域國外專利申請量遠遠大于國內(nèi)的申請量,由此可見,與國外相比較,該技術在國內(nèi)的發(fā)展相對遲緩。
2、專利申請分類號分布
圖2 熱輔助磁記錄技術分類號分布圖
在VEN庫中使用與申請量分析時相同的檢索式進行檢索所獲得如圖2所示的分類號分布圖。從圖2可以看出,熱輔助磁記錄技術細分的分類號分散性大,絕大部分屬于G11B5/+,還應注意G11B11/00以及G11B13/04的檢索使用。
3、主要專利申請人分析
在CNABS中使用((therm+ or heat+ or 熱 or energy) 1w (assist+ or輔助))and (磁 or magnetic) and (記錄 or 存儲 or record+)進行檢索,然后使用stat命令統(tǒng)計PA字段,可以統(tǒng)計出不同申請人的專利申請量分布情況,如圖3所示。
圖3 熱輔助磁記錄技術申請人國別分布
從圖3中可以看出,在熱輔助磁記錄領域中,美國的申請量遙遙領先,擁有60%的占有率,接著是日本,中國的申請量不足10%, 這與磁記錄以及磁盤技術發(fā)展的態(tài)勢和市場占有率是一致的。
在CNABS以及VEN中使用公司代碼以及申請人的中英文名稱關鍵詞統(tǒng)計了熱輔助磁記錄領域的重要申請人,其中,美國的希捷科技有限公司、日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司、昭和電工株式會社、TDK株式會社以及西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司在國內(nèi)外申請中占據(jù)絕對優(yōu)勢。從技術分支上來看,美國希捷科技有限公司主要改進熱輔助磁記錄設備或者磁記錄介質(zhì);美國西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司主要從用于熱輔助磁記錄的激光源的角度入手進行改進;日本日立主要對用于熱輔助的磁記錄頭的結(jié)構(gòu)和制造方法進行改進;日本TDK主要改進點在于熱輔助用光源改進磁記錄頭。由此可見,作為熱輔助磁記錄領域的巨頭企業(yè)的核心技術分支并不相同,其分別針對不同的技術分支進行細化改進以增強競爭力。
本專利技術綜述綜合考慮分析了熱輔助磁記錄技術的特點以及專利的分布,總結(jié)出以下結(jié)論:
1、熱輔助磁記錄技術屬于較前沿的全新記錄方式,熱輔助使用的光源以及光路,記錄所使用的磁記錄頭以及磁記錄設備還處于前期的試驗和研發(fā)階段;
2、熱輔助磁記錄技術的申請人絕大部分是美日巨頭企業(yè),分別具有不同的核心技術點;
3、熱輔助磁記錄技術主要是國外的大公司進行系列研究,具有延續(xù)性和遞進性。