方 洲,劉曉波,徐慶軍
(南昌航空大學(xué) 航空制造工程學(xué)院,江西 南昌 330063)
近五十年來(lái),鋁已成為世界上最為廣泛應(yīng)用的金屬之一。但是,鋁很容易受到溫度,壓力等因素的影響;同時(shí)在制造過(guò)程中,存在著不可避免的各種缺陷,如縮孔、砂眼、氣孔、夾渣、微觀裂紋、雜質(zhì)、孔洞、刻痕、切口等,這些缺陷容易降低鋁材的質(zhì)量,并在宏觀上影響成品力學(xué)性能,甚至導(dǎo)致材料斷裂失效[1-2]。斷裂失效造成的事故往往使生命和財(cái)產(chǎn)蒙受巨大的損失。我們常??吹降牧熊嚦鲕?、飛機(jī)失事、橋梁坍塌以及各種大小車禍等均是由材料缺陷演變的斷裂失效所致[3]。因此,掌握金屬內(nèi)部的裂紋、孔洞等缺陷的演變規(guī)律,對(duì)于預(yù)防類似事故的發(fā)生具有重要的指導(dǎo)作用。
隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,特別是計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,使需要大量計(jì)算的分子動(dòng)力學(xué)方法得以興起和廣泛應(yīng)用[4-8]。文獻(xiàn)[9]對(duì)鋁單晶中心貫穿微裂紋的愈合過(guò)程進(jìn)行了分子動(dòng)力學(xué)模擬。結(jié)果表明,當(dāng)加熱溫度超過(guò)臨界溫度,或外加壓應(yīng)力Kl超過(guò)臨界值時(shí)微裂紋將完全愈合。文獻(xiàn)[10]利用嵌入原子模型方法在型加載情況下,研究單晶Ni在有缺陷和沒(méi)有缺陷下的裂紋擴(kuò)展情況。獲得了裂紋尖端的臨界負(fù)載和應(yīng)變能的分布。分子動(dòng)力學(xué)模擬根據(jù)原子間勢(shì)函數(shù)不同的獲取方法,又可以分為經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)和現(xiàn)代分子動(dòng)力學(xué)。經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)是以牛頓力學(xué)為基礎(chǔ)來(lái)計(jì)算原子間的相互作用,而現(xiàn)代分子動(dòng)力學(xué)里的原子相互作用的計(jì)算是基于量子力學(xué)考慮了電子的影響。針對(duì)不同的研究對(duì)象和體系,兩種方法各有優(yōu)劣??偟膩?lái)說(shuō),面對(duì)簡(jiǎn)單體系及金屬材料時(shí)經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)模擬計(jì)算量更小同時(shí)與實(shí)驗(yàn)結(jié)果十分吻合,而面對(duì)復(fù)雜體系時(shí),由于勢(shì)函數(shù)獲取更為準(zhǔn)確故常采用現(xiàn)代分子動(dòng)力學(xué)方法。分子動(dòng)力學(xué)方法是對(duì)某一體系內(nèi)某一時(shí)刻下所有已知位置和速度的粒子通過(guò)運(yùn)動(dòng)方程求解出粒子下一時(shí)刻的位置和速度的一種“確定性方法”,并由此推斷出在當(dāng)前條件下溫度、壓力、動(dòng)能、勢(shì)能等熱力學(xué)性質(zhì)。借助分子動(dòng)力學(xué)模擬鋁制品內(nèi)部的裂紋、孔洞等的演變可以使我們深入的了解復(fù)雜的機(jī)制,對(duì)于預(yù)防類似事故的發(fā)生具有積極的指導(dǎo)作用。便是在原子尺度下使用經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)方法在分子動(dòng)力學(xué)模擬軟件LAMMPS(Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator)中,對(duì)含有預(yù)制微觀孔洞的鋁在受速度加載拉伸作用時(shí)的變形機(jī)理進(jìn)行了研究。
單晶鋁的結(jié)構(gòu)及物理特性,如表1所示。
表1 單晶Al結(jié)構(gòu)及物理特性Tab.1 The Structure and Physical Properties of Al
圖1 預(yù)制等間距孔洞分子動(dòng)力學(xué)初始模型Fig.1 Molecular Dynamics Initial Model with Prefabricate Equally Spaced Voids
在LAMMPS中根據(jù)表1數(shù)據(jù)建立模型,如圖1所示。x、y、z方向的尺寸分別為50a0×50a0×0.25a0,a0為晶格系數(shù),將原子模型分為三個(gè)區(qū)域:上層、中間層、下層,在XY平面上,上層和下層對(duì)應(yīng)的區(qū)域大小為50a0×2a0,中間層的中間水平位置上預(yù)制4個(gè)相同大小的孔洞,孔洞為邊長(zhǎng)為2a0的正方形;同時(shí)4個(gè)孔洞的孔中心間距相同為L(zhǎng)=10a0,對(duì)應(yīng)的孔洞的坐標(biāo),如表2所示。將系統(tǒng)初始溫度設(shè)為1K,低溫可以避免原子的熱激活效應(yīng)。本模型采用嵌入原子法進(jìn)行分子動(dòng)力學(xué)模擬,X和Y方向采用非周期性邊界條件,Z方向采用周期性邊界條件。以時(shí)間步長(zhǎng)為1fs對(duì)整個(gè)體系充分弛豫,達(dá)到平衡狀態(tài)。根據(jù)本模型的大小,將中間層原子和上層原子在Y方向上的初始速度設(shè)定為0.35A°/ps,X和Z方向的初始速度設(shè)置為0,下層原子設(shè)置為固定不動(dòng)。模擬的時(shí)間步長(zhǎng)設(shè)定為0.001ps,整個(gè)體系采用微正則系綜(NVE),整個(gè)程序運(yùn)行60000步,每間隔一千步記錄一次原子的坐標(biāo)位置、動(dòng)能、勢(shì)能和總能量。
表2 圖1模型中孔洞中心在x-y坐標(biāo)Tab.2 The X-Y Coordinates of Voids in the Fig.1
分子動(dòng)力學(xué)的對(duì)象是一個(gè)粒子系統(tǒng),系統(tǒng)中的原子間的相互作用用勢(shì)函數(shù)來(lái)描述,因此采用EMA[11]勢(shì)函數(shù)進(jìn)行模擬,計(jì)算鋁原子之間的相互作用,系統(tǒng)的總勢(shì)能表示為:
式中:Fi—嵌入能函數(shù);ρi—除了第i個(gè)原子以外所有原子在i處產(chǎn)生的電子云密度之和;φij—第i個(gè)原子與第j個(gè)原子之間的對(duì)勢(shì)作用函數(shù);rij—第i原子與第j個(gè)原子之間的距離。運(yùn)用分子動(dòng)力學(xué)方法計(jì)算有N個(gè)粒子系綜的運(yùn)動(dòng)方程時(shí),根據(jù)牛頓力學(xué)建立微分方程如下:
式中:mi—第i個(gè)原子的質(zhì)量;ri—第i個(gè)原子的原子坐標(biāo);Fi—作用在第i個(gè)原子上的力;ai—第i個(gè)原子的加速度。
原子的初始位置以及初始速度為已知條件,利用微分方式(2),即可以求出任意時(shí)刻的原子位置和速度。再利用統(tǒng)計(jì)力學(xué)便可求解模型體系的平均動(dòng)能和勢(shì)能,而總能量為兩者之和。
模擬使用Velocity-Verlet算法進(jìn)行計(jì)算。其基本算法形式為:
Velocity-Verlet是通過(guò)原子在t時(shí)刻的位置R(t),加速度a(t)及 t-Δt時(shí)刻的位置計(jì)算出t+Δt時(shí)刻的位置R(t+Δt)。
首先,對(duì)模型進(jìn)行運(yùn)算,運(yùn)算完后對(duì)模擬結(jié)果采用可視化操作,以獲得等間距孔洞的整個(gè)原子運(yùn)動(dòng)的軌跡圖。提取了幾個(gè)特殊時(shí)刻下體系等間距孔洞的原子圖,如圖2所示。
體系運(yùn)行3000步時(shí)的原子圖,如圖2(a)所示。此時(shí)可以看到體系中編號(hào)2、3孔洞之間已經(jīng)產(chǎn)生微裂紋缺陷,編號(hào)2、3孔洞內(nèi)邊緣已經(jīng)開(kāi)始產(chǎn)生微小的滑移以及微裂紋,但是孔洞的大小與初始模型相比沒(méi)有明顯的變化,其它區(qū)域的原子沒(méi)有非常明顯的變化。
圖2 特殊時(shí)刻下的裂紋擴(kuò)展原子圖Fig.2 Under the Special Moment of Crack Extension Atomic Figure
12000步時(shí)的原子圖,如圖2(b)所示。圖中可以很明顯的看出,編號(hào)2、3孔洞的內(nèi)邊緣產(chǎn)生的裂紋的尖端原子出現(xiàn)了大面積的混亂排列,原子晶格位置發(fā)生重組;此時(shí)編號(hào)2、3孔洞之間的裂紋不斷產(chǎn)生子裂紋,子裂紋繼續(xù)擴(kuò)展又產(chǎn)生新的子裂紋,由于編號(hào)2、3孔洞內(nèi)邊緣裂紋擴(kuò)展產(chǎn)生的子裂紋在不斷的接近,導(dǎo)致編號(hào)2、3孔洞之間區(qū)域被裂紋不斷擴(kuò)展,此時(shí)編號(hào)2、3孔洞已經(jīng)快被裂紋貫穿。另外,編號(hào)1、2孔洞的內(nèi)邊緣開(kāi)始發(fā)射位錯(cuò)、產(chǎn)生微小的滑移及微裂紋。
21000步時(shí)的原子圖,如圖2(c)所示。此時(shí)非常明顯的變化是編號(hào)2、3孔洞已經(jīng)被其內(nèi)邊緣裂紋擴(kuò)展完全貫穿。同時(shí)隨著編號(hào)2、3孔洞內(nèi)邊緣產(chǎn)生的裂紋進(jìn)一步擴(kuò)展,裂紋尖端變得更加鈍化。上層與中間層的邊緣產(chǎn)生了撕裂,編號(hào)1、2孔洞內(nèi)邊緣產(chǎn)生裂紋不斷相互擴(kuò)展使其間距越來(lái)越??;編號(hào)3、4孔洞也相同。其他區(qū)域沒(méi)有明顯的變化。
41000步時(shí)的原子圖,如圖2(d)所示。此時(shí)產(chǎn)生明顯的變化是編號(hào)1與2、3與4孔洞由于內(nèi)邊緣裂紋擴(kuò)展已經(jīng)完全貫穿,此時(shí)編號(hào)1、2、3、4孔洞之間完全貫穿。另外體系的左右中間邊緣已經(jīng)開(kāi)始產(chǎn)生滑移并進(jìn)一步向內(nèi)擴(kuò)展,同時(shí)編號(hào)1、4孔洞內(nèi)邊緣產(chǎn)生的裂紋也進(jìn)一步向外擴(kuò)展,體系經(jīng)過(guò)一系列的循環(huán)過(guò)程:母裂紋擴(kuò)展—裂紋尖端鈍化—母裂紋產(chǎn)生子裂紋—子裂紋尖端鈍化—產(chǎn)生次子裂紋,最終加載體系被完全貫穿。
5.1 孔洞大小對(duì)含多孔洞的鋁演變行為的影響
為了探求孔洞的大小對(duì)體系的影響,在初始模型的基礎(chǔ)上改變預(yù)制孔洞的大小,分別設(shè)置了孔洞邊長(zhǎng)均為0.5a0、1.5a0、2a0、2.5a0四種情況下體系運(yùn)行的情況,將體系運(yùn)行的結(jié)果繪制為時(shí)間步數(shù)—總能量曲線圖,不同孔洞大小的體系總能量演變圖,如圖3所示。
圖3 不同孔洞大小的體系總能量演變圖Fig.3 System Energy Evolution with Different Voids
間距相等、孔洞邊長(zhǎng)均為0.5a0的能量曲線,如圖3(a)所示。能量曲線經(jīng)歷快速上升至最高點(diǎn)然后下降至一個(gè)平穩(wěn)的位置保持了大致10000步的時(shí)間步長(zhǎng),然后能量又開(kāi)始下降。直到大概44000步后,能量曲線保持在一個(gè)穩(wěn)定水平至最后。
間距相等、孔洞邊長(zhǎng)均為1.5a0的能量曲線,如圖3(b)所示。能量曲線大致經(jīng)過(guò)12000步快速上升至最高點(diǎn)。然后能量曲線下降過(guò)程中又經(jīng)歷了兩次輕微下降并且后兩次的能量的下降都是先保持一定的時(shí)間步后才繼續(xù)下降。最后隨著體系繼續(xù)下降,在40000步左右時(shí)體系被完全拉開(kāi),能量曲線保持在一個(gè)穩(wěn)定水平至最后。
間距相等、孔洞邊長(zhǎng)均為2a0的能量曲線,如圖3(c)所示。能量曲線先快速上升至最高點(diǎn),此時(shí)時(shí)間步大致為12000步,然后隨著體系進(jìn)一步加載,能量曲線開(kāi)始下降。對(duì)孔洞邊長(zhǎng)為2a0的能量曲線進(jìn)行觀察,我們發(fā)現(xiàn)曲線在下降區(qū)域內(nèi)變化較為平緩,沒(méi)有出現(xiàn)如孔邊長(zhǎng)為0.5a0、1.5a0曲線那樣的平穩(wěn)一段時(shí)間后再下降的情況。在時(shí)間步為37000步左右時(shí)體系被完全拉開(kāi),能量曲線保持在一個(gè)穩(wěn)定水平至最后。
間距相等、孔洞邊長(zhǎng)均為2.5a0的能量曲線,如圖3(d)所示。能量曲線同樣是先快速上升至最高點(diǎn),此時(shí)時(shí)間步約為12000步。然后隨著體系進(jìn)一步加載能量曲線開(kāi)始下降,對(duì)比其他三個(gè)孔的曲線,發(fā)現(xiàn)孔邊長(zhǎng)為2.5a0的曲線的下降過(guò)程最為平緩。在體系加載到時(shí)間步為35000時(shí)體系被完全拉開(kāi),能能量曲線保持在一個(gè)穩(wěn)定水平至最后。
綜合分析圖3不同孔洞大小的體系總能量演變圖,不同的孔洞大小對(duì)應(yīng)的能量曲線都是在12000步左右時(shí)體系能量達(dá)到相應(yīng)的最高點(diǎn)。但是孔洞的邊長(zhǎng)越大,對(duì)應(yīng)的孔洞的整體能量水平越低,能量曲線在下降的過(guò)程表現(xiàn)為越來(lái)越平穩(wěn)沒(méi)有波動(dòng)??梢酝茢嚯S著模型中4個(gè)等間距、等大小的孔洞邊長(zhǎng)變大,孔洞邊緣發(fā)射的位錯(cuò)與相鄰孔洞以及模型左右兩側(cè)邊界發(fā)射的位錯(cuò)匯合的概率更大,所需的能量也越低,孔洞的演變路徑在Y方向也更加規(guī)則,因此從孔洞到達(dá)最高點(diǎn)開(kāi)始至體系完全被拉開(kāi)的區(qū)間內(nèi)能量曲線趨于平穩(wěn)下降。最后,隨著孔洞邊長(zhǎng)的增加,體系被拉開(kāi)所用的時(shí)間步更少。
5.2 孔間距對(duì)含多孔洞的鋁演變行為的影響
為了探究不同的孔間距對(duì)含預(yù)制孔洞的體系演變的影響,本節(jié)分別設(shè)置初始模型中的L為6a0、8a0、10a0對(duì)比在這三種孔洞等間距情況下體系的演變規(guī)律,其他條件與初始模型一致。得到能量曲線圖,如圖4所示。
圖4 不同孔間距下的能量演變圖Fig.4 Energy Evolution Under Different Void Spacing
對(duì)于圖4中曲線a:其先經(jīng)歷一個(gè)上升階段在12000步左右時(shí)達(dá)到能量最高點(diǎn),然后開(kāi)始下降,直到40000步左右時(shí)體系被完全拉開(kāi),此后能量曲線處于一個(gè)穩(wěn)定位置。對(duì)比b、c曲線,a曲線的最高點(diǎn)最高,下降的階段是十分平穩(wěn)沒(méi)有明顯的波動(dòng)。
對(duì)于圖4中曲線b:其先經(jīng)歷一個(gè)上升階段在12000步左右時(shí)達(dá)到能量最高點(diǎn),對(duì)比c曲線最高點(diǎn),b曲線的最高點(diǎn)大于c曲線的最高點(diǎn)。隨后曲線開(kāi)始下降,直到40000步左右時(shí)體系被完全拉開(kāi),此后能量開(kāi)始處于一個(gè)穩(wěn)定的位置。但在它的下降階段,曲線出現(xiàn)了一個(gè)波動(dòng)后又繼續(xù)平穩(wěn)下降。
對(duì)于圖4中曲線c:其先經(jīng)歷一個(gè)上升階段在12000步左右時(shí)達(dá)到能量最高點(diǎn),然后開(kāi)始下降,直到40000步左右時(shí)體系被完全拉開(kāi),此后能量曲線處于一個(gè)穩(wěn)定的位置。但在它的下降階段,曲線出現(xiàn)了多個(gè)較大的能量波動(dòng)并有短暫的穩(wěn)定階段。
綜合分析曲線a、b、c;第一,它們都是在12000步左右時(shí)被加載到能量最高值,此刻模型中4個(gè)孔洞剛開(kāi)始演變;但隨著孔洞間距L的減小,a、b、c曲線的最高值依次減小。這是因?yàn)殡S著4個(gè)孔洞之間的三處間隔區(qū)域直線距離L減小,使得孔洞之間的區(qū)域整體原子結(jié)合力減小從而導(dǎo)致體系內(nèi)孔洞(因?yàn)轶w系內(nèi)含4個(gè)孔洞,各個(gè)孔洞開(kāi)始演變的時(shí)間有間隔)開(kāi)始演變所需要吸收的能量減小,即間距越大越難被拉開(kāi)。第二,隨著孔洞間距的減小,能量曲線在下降階段的波動(dòng)數(shù)量越來(lái)越多,幅度越來(lái)越大,變化趨于復(fù)雜。這是因?yàn)榭锥磧?nèi)邊緣原子間結(jié)合力是非常弱的,所以導(dǎo)致孔洞的內(nèi)邊緣在孔洞剛開(kāi)始演變時(shí)會(huì)出現(xiàn)很多微小位錯(cuò)以及微小裂紋,孔洞之間的間隔越近就越容易出現(xiàn)彼此內(nèi)邊緣發(fā)射的位錯(cuò)及產(chǎn)生的微裂紋相互匯集從而導(dǎo)致體系能量出現(xiàn)多個(gè)波動(dòng)。
建立含多孔洞的鋁的分子動(dòng)力學(xué)模擬模型,通過(guò)觀察特殊時(shí)刻下的原子運(yùn)動(dòng)軌跡圖,詳細(xì)的說(shuō)明了特殊時(shí)刻體系的裂紋擴(kuò)展規(guī)律和孔洞的生成及匯集等情況,對(duì)于等間距的多孔洞鋁的研究表明,隨著孔洞直徑的增大,其越容易與相鄰的孔洞匯合,體系會(huì)更快、更容易被拉開(kāi)。在孔洞尺寸相同的情況下,孔洞間距越大即體系內(nèi)孔洞分布越均勻,孔洞開(kāi)始演變所需要吸收的能量也越多,也就是含有均勻分布的孔洞的模型更難被拉開(kāi)。這也表示集中分布的孔缺陷比均勻分布的孔缺陷危害更大。同時(shí),相鄰孔洞內(nèi)邊緣產(chǎn)生的微裂紋、發(fā)射的位錯(cuò)更容易因?yàn)殚g隔較大互相引導(dǎo)發(fā)展成為一條大的、規(guī)則裂紋,從而使體系被拉開(kāi)時(shí)的演變十分平穩(wěn)。
[1]盧功輝.金屬型鋁合金鑄件裂紋產(chǎn)生原因及對(duì)策[J].特種鑄造及有色合金,2006,26(5):308-310.(Lu Gong-hui.Metal type aluminum alloy casting crack causes and countermeasures[J].Special Casting and Nonferrous Alloys,2006,26(5):308-310.)
[2]陳明,李革,張文飛.納米尺度孔洞周圍應(yīng)力集中現(xiàn)象分析[J].材料導(dǎo)報(bào) B:研究篇,2011,25(3):131-134.(Chen Ming,Li Ge,Zhang Wen-fei.Discussion on the phenomenon of stress concentration around hole in nano-scale[J].Material Review B:Research,2011,25(3):131-134.)
[3]張俊善.材料強(qiáng)度學(xué)[M].哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社,2004:107-109.(Zhang Jun-shan.Strength of Engineering Materials[M].Harbin:Harbin Institute of Technology Press,2004:107-109.)
[4]M.M aki-Jaskari,K.Kaski,A.Kuronen.Simulations of crack initiation in silicon[J].Computational Materials Science,2000(17):336-342.
[5]W.P.Wu,Z.Z.Yao.Molecular dynamics simulation of stress distribution andmicrostructureevolutionaheadofagrowingcrackinsinglecrystalnickel[J].Theoretical and Applied Fracture Mechanics,2013(62):67-75.
[6]Aude Simar,Hyon-Jee Lee Voigt,Brian D.Wirth.Molecular dynamics simulations of dislocation interaction with voids in nickel[J].Computational Materials Science,2011(50):1811-1817.
[7]劉曉波,徐慶軍,劉劍.鋁裂紋擴(kuò)展行為的分子動(dòng)力學(xué)模擬[J].中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào),2014,24(6):1408-1413.(Liu Xiao-bo,Xu Qing-jun,Liu Jian.Molecular dynamics simulation of the aluminum crack propagation behavior[J].Transactions of Nonferrous Metals Society of China,2014,24(6):1408-1413.)
[8]余震,陳定方,朱宏輝.基于分子動(dòng)力學(xué)的微納米切削模擬研究進(jìn)展[J].機(jī)械設(shè)計(jì)與制造,2009(11):217-219.(Yu Zhen,Chen Ding-fang,Zhu Hong-hui.Development of research in micro-nanometric cutting simulation based on molecular dynamics[J].Machinery Design&Manufacture,2009(11):217-219.)
[9]周國(guó)輝,高克瑋,萬(wàn)發(fā)榮.微裂紋愈合過(guò)程的分子動(dòng)力學(xué)模擬[J].自然科學(xué)進(jìn)展,2001(3):300-305.(Zhou Guo-hui,Gao Ke-wei,Wan Fa-rong.Molecular dynamics simulation of micro crack healing process[J].Progress in Natural Science,2001(3):300-305)
[10]Majid Karimi,Tom Roarty,Theodore Kaplan.Molecular dynamics simulations of crack propagation in Ni with defects [J].Modelling Simul.Mater.Sci.Eng.,2006(14):1409-1420.
[11]Ackland G J,Vitek V Many-body potentials and atom-scale relaxations innoble-metalalloys[J].PhysicalReviewB,1990,41(15):10324-10333.