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      硫代硫酸鹽浸金體系中銅氨影響研究

      2017-12-27 09:25:58項朋志
      化學與生物工程 2017年12期
      關(guān)鍵詞:硫代硫酸鈉硫代腐蝕電流

      項朋志,劉 瓊,黃 遙

      (云南開放大學化學工程學院,云南 昆明 650222)

      硫代硫酸鹽浸金體系中銅氨影響研究

      項朋志,劉 瓊,黃 遙*

      (云南開放大學化學工程學院,云南 昆明 650222)

      硫代硫酸鈉;浸金體系;方波伏安法;Tafel曲線;還原峰電流

      采用電化學手段研究硫代硫酸鹽浸金體系累見報道[3-5],尤其是穩(wěn)態(tài)極化曲線、恒電流階躍曲線;而采用方波伏安法(SWV)和Tafel曲線來研究硫代硫酸鹽浸金體系鮮見報道。方波伏安法又稱現(xiàn)代方波伏安法,是一種多功能、快速、高靈敏度和高效能的電分析方法;Tafel曲線是一種測定腐蝕速率的方法,其重要參數(shù)是腐蝕電位Ecorr及腐蝕電流Icorr。作者采用這兩種方法探究硫代硫酸鹽浸金體系中銅和氨的影響,對進一步豐富該浸金體系理論有一定的意義。

      1 實驗

      1.1 試劑與儀器

      實驗用水為去離子水;所用化學試劑均為分析純。

      CHI630E型電化學分析儀,上海辰華儀器有限公司;PHS-25型pH/Eh 計,上海精密科學儀器有限公司。

      1.2 方法

      電化學分析采用三電極系統(tǒng):參比電極為飽和甘汞電極,對電極為鉑絲電極,工作電極為鉑電極。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 不同工作電極測定的方波伏安曲線

      圖1 在含的0.1 mol·L-1硫代硫酸鈉溶液中,不同工作電極測定的方波伏安曲線Fig.1 Square wave voltammetric curves tested by different working electrodes in 0.1 mol·L-1 sodium thiosulphate solution containing 0.25 mmol·L-1 Cu(NH3

      圖1中電勢-0.610 V處對應(yīng)于硫代硫酸鈉的還原峰,電勢-0.062 V處對應(yīng)于銅離子的還原峰。從圖1可以看出,選擇鉑電極作為工作電極來進行電化學分析較為適宜。

      2.2 硫代硫酸鈉的影響(圖2)

      圖2 硫代硫酸鈉濃度對銅離子還原峰電流的影響Fig.2 Effect of sodium thiosulphate concentration on reduction peak current of copper ion

      從圖2可以看出,隨著硫代硫酸鈉濃度的增加,銅離子還原峰電流先增大后減小,當硫代硫酸鈉濃度為0.10 mol·L-1時,銅離子還原峰電流最大。原因可能是,硫代硫酸鈉參與了銅離子的絡(luò)合,降低了銅離子的電極電勢,當硫代硫酸鈉濃度超過0.10 mol·L-1時,多余的硫代硫酸鈉直接與銅離子發(fā)生氧化還原反應(yīng)(式3),導致銅離子濃度下降,金浸出困難。

      (1)

      (3)

      2.3 氨的影響

      在硫代硫酸鹽浸金體系中,氨濃度至關(guān)重要[6],如果沒有氨的參與,硫單質(zhì)會在鉑電極表面聚集,阻礙金的浸出。采用鉑電極利用Tafel曲線來評價氨濃度對金浸出的影響,結(jié)果見圖3。

      從圖3可以看出,氨濃度在0.1~0.3 mol·L-1范圍內(nèi)時,隨著氨濃度的增加,金的腐蝕電位下降,腐蝕電流增大,表明在該范圍內(nèi),增加氨濃度對金的浸出有促進作用;氨濃度在0.4~0.5 mol·L-1范圍內(nèi)時,腐蝕電位升高,腐蝕電流減小,說明過多的氨不利于金的浸出。原因可能是,過多的氨造成溶液的pH值過高,使得銅離子以CuO/Cu(OH)2方式析出,降低了銅離子的濃度,從而增加了金的浸出難度。因此,氨濃度以0.3 mol·L-1為宜。

      2.4 銅離子的影響(圖4)

      銅離子可以加速金的浸出。從圖4可以看出,隨著銅離子濃度的增加,腐蝕電位負移,腐蝕電流增大,表明增加銅離子濃度對金的浸出有利,但絕不能無限制地增加銅離子濃度。從反應(yīng)式(3)可以看出,過多的銅離子會直接與硫代硫酸鈉反應(yīng),從而降低銅離子濃度,增加金浸出難度。

      cCuSO4=1.0 mmol·L-1;cNa2S2O3=0.1 mol·L-1; 1~5,cNH3(mol·L-1):0.1、0.2、0.3、0.4、0.5

      曲線cCu2+/(mmol·L-1)腐蝕電位/V腐蝕電流/A11.00.030-3.88621.50.005-4.45933.0-0.055-4.38243.5-0.155-4.68354.0-0.165-5.43664.5-0.220-5.311

      注:cNa2S2O3=0.1 mol·L-1

      圖4銅離子濃度對金浸出的影響
      Fig.4Effectofcopperionconcentrationongoldleaching

      圖濃度對銅離子還原峰電流的影響Fig.6 Effect of Cu(NH3 concentration on reduction peak current of copper ion

      3 結(jié)論

      [1] ABBRUZZESE C,FORNARI P,MASSIDDA R,et al.Thiosulphate leaching for gold hydrometallurgy[J].Hydrometallurgy,1995,39(1/2/3):265-276.

      [2] GONG Q,HU J X,CAO C L.Kinetics of gold leaching from sulfide gold concentrates with thiosulfate solution[J].Transactions of Nonferrous Metals Society of China,1993,3(4):30-36.

      [3] BREUER P L,JEFFREY M I.An electrochemical study of gold leaching in thiosulfate solutions containing copper and ammonia[J].Hydrometallurgy,2002,65(2/3):145-157.

      [4] CHOO W L,JEFFREY M I.An electrochemical study of copper cementation of gold(Ⅰ) thiosulfate[J].Hydrometallurgy,2004,71(3/4):351-362.

      [5] BARON J Y,MIRZA J,NICOL E A,et al.SERS and electrochemical studies of the gold-electrolyte interface under thiosulfate based leaching conditions[J].Electrochimica Acta,2013,111:390-399.

      [6] AYLMORE M G,MUIR D M.Thiosulfate leaching of gold:a review[J].Minerals Engineering,2001,14(2):135-174.

      [7] WU Y H,JI X B,HU S S.Studies on electrochemical oxidation of azithromycin and its interaction with bovine serum albumin[J].Bioelectrochemistry,2004,64(1):91-97.

      EffectofCopperandAmmoniainThiosulfateGoldLeachingSystem

      XIANG Peng-zhi,LIU Qiong,HUANG Yao*

      (SchoolofChemicalEngineering,YunnanOpenUniversity,Kunming650222,China)

      sodium thiosulfate;gold leaching system;square wave voltammetry;Tafel curve;reduction peak current

      云南省教育廳科學研究項目(2014Y007),云南開放大學基金項目(2014C088Y)

      2017-07-20

      項朋志(1978-),男,湖北黃岡人,副教授,從事工業(yè)分析教學和研究工作;通訊作者:黃遙,教授。

      10.3969/j.issn.1672-5425.2017.12.004

      項朋志,劉瓊,黃遙.硫代硫酸鹽浸金體系中銅氨影響研究[J].化學與生物工程,2017,34(12):14-16,42.

      TF831 TQ432.2

      A

      1672-5425(2017)12-0014-03

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