留學為報國，不婚也值得

◎潘彩霞

留學為報國，不婚也值得

◎潘彩霞

1918年，被譽為“中國半導體材料之母”的林蘭英出生于福建莆田，她從小便顯露出頑強的性格。那時的女孩子幾乎沒有上學的機會，六歲的林蘭英卻靠絕食三天打動了重男輕女的母親，換來了上學的機會。1936年，她以優(yōu)異的成績考入某大學，后來更是作為交換生前往美國某著名學院數(shù)學系留學。因為成績優(yōu)秀，林蘭英很快受到數(shù)學系教授的器重，被稱為“東方才女”。

獲得數(shù)學學士學位后，鑒于人才難得，教授推薦她去芝加哥大學深造。林蘭英放棄了，她想到了當時落后的祖國，考慮到物理學更能促進國力的增強，決定去另一所大學念固體物理。1955年，林蘭英的博士論文發(fā)表于美國最具權(quán)威的《物理評論》雜志上，受到高度好評，她也因此成為該大學建校215年來的第一位女博士。

在導師的推薦下，林蘭英受聘于美國某物理公司任高級工程師，很快便因成功解決拉制硅單晶和鍺單晶時出現(xiàn)的難題而一鳴驚人。獎勵、加薪接踵而來，林蘭英卻一刻也沒有放下回國的念頭。奈何出色的成績令她在美國聯(lián)邦調(diào)查局“榜上有名”，歸國之路受到百般刁難。

隨著日內(nèi)瓦會議的召開，美國終于同意中國留學生可以自由回國。以“母親重病”為由，林蘭英提交了回國申請。她提出辭職的時候，公司主管非常意外，并提醒她：“你回到中國，只會過一種大大低于美國生活水準的生活。”一對美籍華人朋友也專程趕來勸說，林蘭英卻斬釘截鐵地拒絕了。

1957年春節(jié)，沖破了聯(lián)邦調(diào)查局的層層阻攔，林蘭英回到了闊別八年的祖國。之后的一件事令她的報國之志更加堅定：當她因急性腹膜炎被抬上手術(shù)臺時，周總理指示醫(yī)護人員“只能治好，不能出任何意外”，林蘭英聽到后熱淚盈眶。

病好后，林蘭英被安排到中國科學院應用物理所，研究當時剛剛起步的半導體材料。雖然困難重重，但一腔報國志的她為了填補我國半導體材料的空白，義無反顧地同意了。在她的介入下，中國科學院僅僅半年就拉制出了中國第一根鍺單晶，比蘇聯(lián)專家為我國制定的規(guī)劃整整提前了十年。1958年，中國擁有了半導體收音機。

為了拉制性能更先進和用途更廣泛的硅單晶，林蘭英煞費苦心。她考察了蘇聯(lián)封閉式硅單晶爐，試驗后發(fā)現(xiàn)其有難以彌補的缺陷，于是決心自己設(shè)計一臺中國式的硅單晶爐。沉浸在工作中，歷經(jīng)廢寢忘食的苦苦摸索，1961年，由她主持設(shè)計的第一臺開門式硅單晶大爐終于制造成功了！第一根無錯位的硅單晶拉制成功后，經(jīng)檢測，達到了國際先進水平。

林蘭英繼續(xù)緊盯半導體科學前沿，砷化鎵（半導體材料的一種）成了她的下一個目標。然而，當時我國決定和西方國家聯(lián)合開發(fā)，林蘭英飛赴歐洲與對方商談時，外國專家話語里的輕視和倨傲的態(tài)度深深刺傷了她的民族自尊心，也更加堅定了她要為中國研發(fā)砷化鎵的決心。功夫不負有心人，在林蘭英領(lǐng)導的聯(lián)合研究組的共同鉆研下，1987年8月，在我國自己發(fā)射的返回式衛(wèi)星上，成功生長出兩塊砷化鎵單晶。一年后，我國再次成功進行了摻硅砷化鎵單晶太空生長試驗，這是世界上第一次利用太空材料制作成半導體器件，林蘭英因此被譽為“中國半導體材料之母”“中國太空材料之母”。

她一生沒有結(jié)婚，全部的精力和智慧都貢獻給了科學，她的豐功偉績、赤子情懷值得每一個中國人為之驕傲。

編 輯/夏 涵