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      苯環(huán)間的扭轉(zhuǎn)角對(duì)分子器件整流特性的影響

      2017-06-30 16:23王璽皓王麗華
      科技與創(chuàng)新 2017年12期

      王璽皓+王麗華

      摘 要:采用基于密度泛函理論的非平衡格林函數(shù)方法,模擬了4-二硫代羧基-聯(lián)苯-4'-硫醇基(4-dithiocarboxylate-

      biphenyl-4'-thiolate,簡(jiǎn)稱“TBDT”)分子中2個(gè)苯環(huán)之間存在扭轉(zhuǎn)角時(shí)的電子輸運(yùn)性質(zhì)。計(jì)算結(jié)果表明,扭轉(zhuǎn)角的改變極大地影響了TBDT的分子整流特性。當(dāng)扭轉(zhuǎn)角較小時(shí),苯環(huán)間的相互作用較強(qiáng),TBDT分子的導(dǎo)電性隨扭轉(zhuǎn)角增大而減小,相同偏壓下的整流比隨扭轉(zhuǎn)角增大而增強(qiáng);當(dāng)扭轉(zhuǎn)角增大到90°時(shí),苯環(huán)間的相互作用最弱,TBDT分子的導(dǎo)電性最差,整流比曲線表現(xiàn)出不同于較小扭轉(zhuǎn)角時(shí)的變化趨勢(shì)。

      關(guān)鍵詞:密度泛函理論;非平衡格林函數(shù)方法;扭轉(zhuǎn)角;整流特性

      中圖分類號(hào):O469 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A DOI:10.15913/j.cnki.kjycx.2017.12.040

      自從1974年Aviram和Ratner首次提出“單分子整流”概念,分子整流受到了實(shí)驗(yàn)和理論工作者的廣泛關(guān)注。本文研究TBDT分子中的苯環(huán)之間存在扭轉(zhuǎn)角對(duì)其整流性能的影響。

      1 模型和計(jì)算方法

      圖1是TBDT分子連接在2個(gè)半無限大金原子電極(111)表面上的分子器件示意圖。M1~M4分別對(duì)應(yīng)于TBDT分子左側(cè)的苯環(huán)固定不動(dòng),其右側(cè)的苯環(huán)分別轉(zhuǎn)動(dòng)0°、30°、60°和90°的分子器件結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)M1~M4的電子輸運(yùn)特性采用ATK計(jì)算軟件包,它基于密度泛函理論與非平衡格林函數(shù)相結(jié)合的方法(DFT+NEGF)。

      2 計(jì)算結(jié)果與討論

      是M1~M4的電流-電壓(I-V)曲線。隨著TBDT分子中苯環(huán)間的二面角從0°增大到90°,苯環(huán)間的耦合強(qiáng)度減小。在相同的正負(fù)偏壓下,M1~M4的電流隨扭轉(zhuǎn)角增大而明顯減小。同時(shí),M1~M4在正負(fù)偏壓下的I-V曲線是非對(duì)稱的,即在正偏壓下通過M1~M4的電流總是大于通過相同負(fù)偏壓下的電流。根據(jù)Stokbro等人的研究,當(dāng)分子系統(tǒng)具有非對(duì)稱結(jié)構(gòu)時(shí),擴(kuò)展區(qū)中心的導(dǎo)電有機(jī)分子與電極界面上的電壓降不同,有限外偏壓的存在使左右兩側(cè)電極的電化學(xué)勢(shì)分開,形成偏壓窗(bias window)。當(dāng)偏壓增大時(shí),偏壓窗寬度向費(fèi)米能級(jí)左右兩側(cè)不等幅的擴(kuò)展,導(dǎo)致I-V曲線對(duì)正負(fù)偏壓不再呈現(xiàn)對(duì)稱分布情況。

      為了定量表示圖2中I-V曲線的非對(duì)稱性,引進(jìn)整流比R(V)=∣I(V)/I(-V)∣,定義為相同正負(fù)電壓下電流的振幅之比。圖3中M1~M4的整流比都大于1,意味著電流更容易從雙硫原子向單硫原子方向移動(dòng),即電流更傾向于從分子電極耦合比較強(qiáng)的一端流向分子電極耦合強(qiáng)度比較弱的另一端。當(dāng)苯環(huán)之的二面角小于60°時(shí),相同偏壓下的整流比隨扭轉(zhuǎn)角的增大而明顯增大。M4的整流比曲線具有完全不同的變化趨勢(shì),偏壓為1.4 V時(shí)的整流比幾乎接近5.0.

      3 結(jié)論

      利用基于第一性原理的非平衡格林函數(shù)電子輸運(yùn)理論,研究了TBDT分子的I-V曲線和整流比隨偏壓變化的曲線。通過調(diào)節(jié)苯環(huán)間的扭轉(zhuǎn)角,發(fā)現(xiàn)扭轉(zhuǎn)角對(duì)分子器件的整流特性產(chǎn)生了極大影響。

      參考文獻(xiàn)

      [1]Aviram A,Ratner M A.Molceular rectifers.Chemical Physics Letters,1974,29(2):277-283.

      [2]Peng J,Zhou Y H,Chen K Q.Influence of boundary types on rectifying behaviors in hexagonal boron-nitride/graphene nanoribbon heterjunctions.Organic Electronics,2015(27):137-142.

      [3]Brandbyge M,Mozos J L,Ordejon P, et al. Density-

      functional method for nonequilibrium electron transport. Physical Review B,2002,65(16):165401.

      [4]Stokbro K,Talor J,Brandb M. Theoretical study of the nonlinear conductance of Di-thiol benzene coupled to Au(111)surfaces via thiol and thiolate bond.Computational Materials Science,2003,27(1-2):151-160.

      〔編輯:劉曉芳〕

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