李丹鳳+方倪+畢騰尹+李夢(mèng)飛+汪家璇+胡安正
(湖北文理學(xué)院 物理與電子工程學(xué)院 湖北 襄陽 441053)
摘 要: 本系統(tǒng)主要以降壓控制器LM5117芯片和CSD18532KCS MOS場(chǎng)效應(yīng)管為核心器件,構(gòu)成同步整流電路,設(shè)計(jì)系統(tǒng)為降壓型直流開關(guān)穩(wěn)壓電源。測(cè)控模塊采用繼電器過流保護(hù),監(jiān)控輸出電流實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)。系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn):額定輸入電壓16V下,輸出電壓偏差|△UO|≤100mV,最大輸出電流可達(dá)到3A;輸出噪聲紋波電壓峰峰值UOPP≤50mV;IO從滿載變到IO max輕載0.2IO max時(shí),負(fù)載調(diào)整率為 0.04 %;UIN變化到17.6V和13.6V,電壓調(diào)整率 0.06 %;效率μ可達(dá)到92.18%;具有過流保護(hù)功能,電源具有負(fù)載識(shí)別功能。系統(tǒng)滿足了各要求。
關(guān)鍵詞: 降壓芯片LM5117;CSD18532KCS;同步整流;過流保護(hù);負(fù)載識(shí)別
1、系統(tǒng)方案論證與選擇
1.1抑制紋波電壓
采用電容及電感濾波電路,來降低紋波噪聲。通常情況下大電容用于濾除低頻紋波,而小電容則對(duì)中高頻濾波效果較好,在此系統(tǒng)中頻率為100KHz以上的開關(guān)電源使用小電容。此外,LM5117芯片的HO和LO在對(duì)兩個(gè)MOS管進(jìn)行導(dǎo)通時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)上升沿和下降沿沒有及時(shí)的拉高和拉低,易產(chǎn)生電路波動(dòng)。為解決這種可能現(xiàn)象,采用在LM5117芯片后加30Ω的電阻,且與電阻并聯(lián)有一個(gè)快速恢復(fù)二極管FR107。這樣可以讓PWM快速上拉和下降,MOS管的通斷就可以及時(shí)反應(yīng),電路的波動(dòng)也會(huì)大大減小,從而為更好地減小了電路中的紋波提供了保障。
1.2電流采樣的選擇
采用康銅絲采樣放大電路,將康銅絲串入輸出回路,輸出電流將在康銅絲上形成電壓降,然后做差分放大處理。且康銅絲電阻具有較低的電阻溫度系數(shù),較寬的使用溫度范圍(480℃以下),能夠提高采集電壓的穩(wěn)定性。
1.3過流保護(hù)方案
采用繼電器過流保護(hù)電路,接通電源后,繼電器內(nèi)會(huì)產(chǎn)生電磁效應(yīng),電磁力就會(huì)吸引銜鐵,讓它接觸到鐵芯,帶動(dòng)銜鐵的常閉觸電與常開觸點(diǎn)吸合,在電流切斷后,電磁的吸力也就沒有了,銜鐵就又返回到原來的位置,將電路切斷。即電流達(dá)到電流繼電器的動(dòng)作值時(shí),按線路選擇性的要求,將電路切斷。
1.4 系統(tǒng)總體框圖
系統(tǒng)采用降壓控制器LM5117芯片和CSD18532KCS MOS場(chǎng)效應(yīng)管為核心器件的降壓模塊、繼電器過流保護(hù)模塊、負(fù)載識(shí)別模塊組成,系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2、理論分析與硬件電路設(shè)計(jì)
2.1理論分析
2.1.1定時(shí)電阻RT
根據(jù)LM5117芯片的數(shù)據(jù),本系統(tǒng)選擇開關(guān)頻率為100kHz;
由 ;故RT我們選取51kΩ;
2.1.2輸出電感LO
可由公式 計(jì)算;對(duì)于我們的電路,計(jì)算可得,電感不超過32μH即可,所以我們采用30μH電感,經(jīng)由黃白磁環(huán),單股繞制而成。
2.1.3電流檢測(cè)電阻RS
在系統(tǒng)采用的電路中,選擇K = 1,以控制次諧波振蕩和實(shí)現(xiàn)單周期阻尼。根據(jù)公式 換算可得RS為10mΩ。
2.2 電路設(shè)計(jì)
2.2.1過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)
利用LM5117芯片10引腳CM,在電路中反饋出來的采樣值為0.4V。當(dāng)CM輸出電流小于3.2A時(shí),繼電器處于閉合狀態(tài),電路正常工作。若電流對(duì)應(yīng)的值大于3.2A對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)反饋值時(shí),MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)。繼電器此時(shí)處于斷開狀態(tài),按線路選擇性的要求,輸入電壓與電路斷開,如此可完全保護(hù)電路。
2.2.2降壓電路設(shè)計(jì)
采用降壓控制器LM5117芯片和 MOS場(chǎng)效應(yīng)管降壓芯片,同時(shí)利用芯片內(nèi)部產(chǎn)生的HO和LO兩路互補(bǔ)對(duì)稱的PWM形成同步整流電路。如圖2所示。
3、測(cè)試結(jié)果分析
經(jīng)測(cè)試,額定輸入電壓16V下,輸出電壓偏差|?|≤100mV,最大輸出電流可達(dá)到3A;輸出噪聲紋波電壓峰峰值≤50mV;從滿載變到輕載0.2時(shí),負(fù)載調(diào)整率為 0.2 %;變化到17.6V和13.6V,電壓調(diào)整率 0.04%;效率μ可達(dá)到 92.18 %;具有過流保護(hù)功能,電源具有負(fù)載識(shí)別功能。系統(tǒng)滿足了要求。
4、結(jié)束語
本系統(tǒng)主要以降壓控制器LM5117芯片和CSD18532KCS MOS場(chǎng)效應(yīng)管為核心器件,設(shè)計(jì)并制作一個(gè)降壓型直流開關(guān)穩(wěn)壓電源。采用硬件電路實(shí)現(xiàn)了過流保護(hù)和負(fù)載識(shí)別的功能,各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到了題目設(shè)計(jì)要求。在系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,盡量簡化硬件電路的設(shè)計(jì),極大發(fā)揮了降壓控制器LM5117芯片的功能,使系統(tǒng)的整體電路結(jié)構(gòu)簡單、性能穩(wěn)定、運(yùn)行可靠.
參考文獻(xiàn)
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