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      微電子器件的靜電防護(hù)分析

      2017-05-24 07:06:35華冰鑫李敏李鳳
      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2017年13期
      關(guān)鍵詞:微電子

      華冰鑫+李敏+李鳳

      摘 要:現(xiàn)在我國IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,各個領(lǐng)域設(shè)計的產(chǎn)品也比較多,而靜電對微電子器件危害是最大的。微電子是IT行業(yè)的一個重要器件,微電子的應(yīng)用較為廣泛。微電子器件的靜電防護(hù)是企業(yè)普遍關(guān)注的問題。只有做好微電子的防護(hù),才能使其性能得以最大化的發(fā)揮。

      關(guān)鍵詞:微電子;靜電防護(hù);ESD

      引言

      為了防護(hù)微電子器件,電路設(shè)計者對電子器件進(jìn)行靜電防護(hù)。電路保護(hù)的設(shè)計要考慮很多的因素,要不斷進(jìn)行試驗(yàn)。其中ESD是對微電子器件一個較大的威脅。ESD嚴(yán)重影響著微電子器件的質(zhì)量,威脅著器件的整體工作。ESD對微電子器件制造業(yè)是一個巨大的威脅。解決ESD問題,是當(dāng)前微電子生產(chǎn)的一個重要課題。ESD問題的解決,對整個行業(yè)的發(fā)展有重要的影響。

      1 ESD分析

      由于電荷的積累,物體表面帶上靜電,電荷發(fā)生移動,就是發(fā)生了ESD。ESD包括四個階段。第一階段,電荷的產(chǎn)生。電荷的產(chǎn)生是由于摩擦、感應(yīng)的現(xiàn)象。兩種不同的材料接觸或摩擦,電荷通過絕緣體傳播,而導(dǎo)體間電荷的轉(zhuǎn)移是由于兩個物體的電勢不同造成的。第二階段,電荷的轉(zhuǎn)移。電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移是由于兩個物體的電勢不同,當(dāng)兩個物體的電勢平衡,電荷的轉(zhuǎn)移也就停止了。第三階段,器件響應(yīng)。電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移時,器件的感應(yīng)?,F(xiàn)階段,要解決電荷重新分布的問題。第四階段,評估。對器件的效果進(jìn)行評估。判斷期間失效與否,如失效,確認(rèn)失效原因及失效屬性。

      2 微電子器件在生產(chǎn)中的靜電

      對微電子器件生產(chǎn)中靜電的研究中,最重要的現(xiàn)象是靜電破壞。對器件的靜電釋放,分析如下:

      第一種來源是工作人員。微電子器件的生產(chǎn)過程中,一定離不開工作人員的接觸。而器件與人接觸,就一定會產(chǎn)生靜電。一般摩擦產(chǎn)生的靜電,有幾萬伏的靜電勢,這樣微電子器件就很容易被損壞。而微電子器件生產(chǎn)中,大量的靜電無法釋放,微電子器件的安全無法保證,所以,微電子器件的生產(chǎn)過程中一定會有微電子器件被破壞,而工作人員產(chǎn)生的靜電又不太容易避免,一些靜電釋放設(shè)備等并不能完全保證靜電的全部釋放。而工作人員在生產(chǎn)過程中一定會有行為動作,這就無法避免的產(chǎn)生靜電,這就使微電子器件的生產(chǎn)有一定的阻礙,也影響IT行業(yè)的發(fā)展[1]。

      第二種來源是設(shè)備機(jī)械。在微電子器件的生產(chǎn)過程中,設(shè)備一定會存儲大量的靜電,而這些靜電的釋放,必定會造成大量微電子器件的損壞。且企業(yè)為了增加生產(chǎn)量,在許多的工藝上都采用自動化設(shè)備,這些設(shè)備的運(yùn)行更是會產(chǎn)生大量靜電。在微電子器件加工時,靜電就會在各個工藝流程中釋放,大量的微電子器件就會失效[2]。這對微電子器件的生產(chǎn)影響也是較大的,且無法避免。

      第三種是其他來源。一些工作服、座椅、包裝材料等是由高分子材料制作的,所以他們都會帶有一定的靜電,有很高的電勢,在微電子生產(chǎn)時它們的釋放,又會損壞一批微電子器件。

      3 靜電防護(hù)

      3.1 改善器件抗靜電能力

      第一,靜電防護(hù)電路要設(shè)置一個低阻通路和高阻通路,在ESD發(fā)生時能輸出電荷,也能進(jìn)行正常的工作。第二,在輸入端加入一個MOS可以檢測靜電。第三,pn二極管也是防護(hù)電路經(jīng)常用到的一個構(gòu)件,對靜電防護(hù)也有重要作用。第四,在靜電防護(hù)電路中,應(yīng)加粗金屬線[3]。第五,避免90°以上的彎曲,使電路允許通過的電流更大。第六,金屬環(huán)路盡量的長、遠(yuǎn),減小或避免尖端放電產(chǎn)生的損傷。第七,設(shè)計多層布線?,F(xiàn)在仿真模擬設(shè)計技術(shù)是成功率比較高的靜電防護(hù)設(shè)計。

      3.2 在生產(chǎn)、運(yùn)輸時采取保護(hù)措施

      防靜電地線是微電子器件制造廠需要安裝的。地線要與設(shè)備儀器都保持連接。防靜電地線要分離使用,不能與其他接地線一起使用。防靜電腕表是操作人員一定要佩戴的,腕表要與皮膚接觸。防靜電地線連接完成后,較高的靜電就難以形成。操作人員最好要穿戴防靜電的工作服。微電子器件生產(chǎn)的廠房內(nèi),我們應(yīng)采用不易產(chǎn)生靜電,且靜電較易釋放的材料。此外,環(huán)境的濕度和空氣的離子濃度對靜電的產(chǎn)生也有影響。所以,要減少廠房內(nèi)靜電的產(chǎn)生還要控制廠房內(nèi)的溫度和濕度。在對微電子的測量與使用時,要注意周圍環(huán)境,避免周圍環(huán)境對其的影響,也是避免微電子器件的損傷。在微電子器件的運(yùn)輸?shù)冗^程中,一定要避免使用泡沫等無法防止靜電產(chǎn)生的方式,為防止器件的損害,要使用正確的防靜電材料。

      4 ESD模型

      微電子器件生產(chǎn)中,靜電的放電方式有:第一種,微電子器件與帶電的人體接觸;第二種,帶電微電子器件與接地物體的接觸;第三種,微電子器件與帶電的機(jī)械設(shè)備接觸;第四種,微電子器件周圍靜電場產(chǎn)生的強(qiáng)大電壓[4]。

      根據(jù)這四種靜電放電方式,人們提出四種描述模型:第一種,人體模型即HBM,這也是比較廣泛的應(yīng)用模型。HBM模擬微電子器件與帶電的人體接觸時,靜電放電過程,從而從中尋求解決辦法。第二種,機(jī)器模型即MM模型。這種模型是模擬器件生產(chǎn)中,設(shè)備放電的情況。第三種,器件帶點(diǎn)模型即CDM模型。CDM與FIM模型的原理類似,其不同之處是電荷的來源。第四種,感應(yīng)電場模型即FIM.FIM模型中電場感應(yīng)產(chǎn)生電荷。ESD模型的建立,可以模擬微電子器件生產(chǎn)中靜電的產(chǎn)生、釋放過程、釋放原理,最重要的是尋求解決辦法,得到一個改善措施,從而促進(jìn)微電子器件生產(chǎn)的效率,使微電子器件在生產(chǎn)中,微電子器件的損害率下降,促進(jìn)微電子行業(yè)的發(fā)展。

      5 靜電防護(hù)體系

      微電子器件的生產(chǎn),運(yùn)輸?shù)冗^程較多,所以受到損害的概率也就比較大,每個環(huán)節(jié)的防護(hù)都要完善。任何一個環(huán)節(jié)都有可能導(dǎo)致微電子器件的損壞。除了對工作人員服飾上的防護(hù),生產(chǎn)設(shè)備上的防護(hù),生產(chǎn)環(huán)境的設(shè)置,還應(yīng)追求更高層次的防護(hù)措施。靜電防護(hù)不應(yīng)只停留在防靜電用品,而應(yīng)是系統(tǒng)化的管理,這樣的防護(hù)措施才是更有效的。靜電防護(hù)系統(tǒng)的科學(xué)化、標(biāo)準(zhǔn)化、整體化也是靜電防護(hù)發(fā)展的要求。

      6 結(jié)束語

      在微電子器件生產(chǎn)中,為了避免靜電損傷器件,不僅技術(shù)需要加強(qiáng),更應(yīng)對ESD體系進(jìn)行完善。建立健全ESD防護(hù)標(biāo)準(zhǔn),加強(qiáng)規(guī)章制度的貫徹力度,對人員的管理也要加強(qiáng)。ESD防護(hù)體系是對靜電防護(hù)的有效措施。

      參考文獻(xiàn)

      [1]劉進(jìn),陳永光.系統(tǒng)級測試下靜電防護(hù)器件的失效機(jī)理分析[J].半導(dǎo)體光電,2016,1(5):698-702+724.

      [2]羅靜.微電子器件的靜電防護(hù)探討[J].通訊世界,2016,6(8):250.

      [3]王淑燕.微電子器件靜電防護(hù)探討[J].廣東科技,2013,3(16):108-109.

      [4]劉軍霞,張新煥.微電子器件工業(yè)生產(chǎn)中的靜電防護(hù)研究[J].河北科技大學(xué)學(xué)報,2011,5(S1):91-93+108.

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