方海聞,蔣尋涯
(復(fù)旦大學(xué)電光源研究所,先進(jìn)照明技術(shù)教育部工程研究中心,上?!?00433)
?
寬頻高光提取效率LED芯片的研究
方海聞,蔣尋涯
(復(fù)旦大學(xué)電光源研究所,先進(jìn)照明技術(shù)教育部工程研究中心,上海200433)
提出一種利用單一光子晶體蛾眼結(jié)構(gòu)實現(xiàn)寬頻大幅提高LED光提取效率的設(shè)計,其核心思想是利用結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化,融合“光子晶體多波矢耦合”和“蛾眼結(jié)構(gòu)寬頻折射率漸變”兩種機制。通過基于時域有限差分算法的數(shù)值實驗,對光子晶體蛾眼結(jié)構(gòu)的物理參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,最后得到一種簡單且寬頻高光提取效率的結(jié)構(gòu),適用于RGB 全彩LED,在寬頻范圍內(nèi)可以比傳統(tǒng)無表面結(jié)構(gòu)LED的光提取效率平均提高了6倍以上,具有廣泛的工業(yè)使用前景。
光提取效率;RGB全彩LED;光子晶體;蛾眼結(jié)構(gòu)
LED作為一種新型固態(tài)光源以其獨特的優(yōu)越性已經(jīng)被廣泛用于各個領(lǐng)域,實現(xiàn)了人類照明歷史的又一次技術(shù)革命[1-3]。隨著人們對照明質(zhì)量需求的提高,RGB全彩LED得到快速發(fā)展,其內(nèi)部由三顆基色芯片構(gòu)成,通過控制電流大小可以調(diào)節(jié)三基色的配比實現(xiàn)可調(diào)色溫和高顯色指數(shù)的功能[4-9]。在LED眾多課題中,提高LED芯片的光提取效率一直是該領(lǐng)域的重要問題,這是由于大于臨界角入射到LED芯片表面的光會在表面發(fā)生全內(nèi)反射(total internal reflection,即 TIR),這部分光在 LED 內(nèi)部傳播,一部分從 LED 芯片的側(cè)面出射,而另一部分被有源層或者是缺陷能級吸收,造成出光效率低。更嚴(yán)重的是被缺陷吸收的光轉(zhuǎn)化為熱能,使 LED 工作在高溫狀態(tài),縮短使用壽命,而且高溫會降低LED的材料性能,造成更強的吸收,從而使系統(tǒng)性能進(jìn)入惡性循環(huán)。所以,提高出光效率是LED一個長期的問題。
最近幾年國內(nèi)外學(xué)者在提高LED芯片出光效率方面做了很多研究工作,也提出了很多有效方法,包括表面粗化、透明襯底、芯片異形、倒裝芯片等方法,讓光提取效率都有了很大提高,平均可以提高2~4倍[12-15],表面粗化法和倒裝技術(shù)已經(jīng)成熟地運用到了實際應(yīng)用中。但是,這種無順序的粗化法不能有效控制粗化后的表面形貌,從而不能對從LED芯片內(nèi)部提取的光的出射方向進(jìn)行控制,而且對不同波長出光效果帶有一定的隨機性。另一方面,光子晶體作為一種全新的光子學(xué)材料被引入來解決該問題[16-17],Shanhui Fan(MIT)在2001年首次提出利用特定光子晶體可以將LED出光效率做到100%[18]。但是其工作頻率范圍極其窄,無法實現(xiàn)寬頻范圍高光提取效率,未能滿足全彩LED的實用性。再后來,光子晶體蛾眼結(jié)構(gòu)來提高LED的光提取效率的思路被提出,其寬角度提高出光率的效果得到證實,Eun-Ju Hong等人通過實驗證實了有蛾眼結(jié)構(gòu)的LED樣品光致發(fā)光強度比沒有該結(jié)構(gòu)的樣品高5~7倍[19],但是相關(guān)研究并沒有考慮到全彩LED的寬頻需求[20-24]。
在此工作中,我們提出光子晶體蛾眼結(jié)構(gòu),通過優(yōu)化參數(shù),可以實現(xiàn)寬頻高光提取效率甚至覆蓋整個RGB全彩光譜,即同一種結(jié)構(gòu)在RGB波段在寬角度范圍都具有高的抽光率。通過基于FDTD算法的數(shù)值實驗,我們發(fā)現(xiàn)與傳統(tǒng)平板結(jié)構(gòu)相比能在RGB全彩頻率提高抽光率達(dá)到6倍以上。因為該設(shè)計結(jié)構(gòu)相對簡單,易于微納加工,具有廣泛的運用價值。
對于RGB全彩 LED,希望在610~620nm、530~540nm、460~470nm三個波段均具有很高的光提取效率成為迫切需求。
加蛾眼結(jié)構(gòu)的一般正裝GaN LED結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示:從上到下結(jié)構(gòu)依次為蛾眼結(jié)構(gòu)層、p型層、多量子阱層、n型層和金屬反射層。
圖1 真實LED結(jié)構(gòu)示意圖Fig.1 The schematic diagram of real LED structure
圖2 仿真結(jié)構(gòu)示意圖Fig.2 Schematic diagram of simulation structure
因為實際LED全反射主要是發(fā)生在最上層平板(p型層)與空氣之間,為了突出蛾眼結(jié)構(gòu)的效果,我們對此模型進(jìn)行了簡化,簡化結(jié)構(gòu)如圖2所示,我們略去多量子井層,并且,忽略p型層與n型層的差別,所以p型層與n型層就合為一層GaN層,其厚度約100nm,GaN介質(zhì)折射率為2.4,消光系數(shù)3.58×10-4[19],底層與真實LED一樣是理想金屬反射層。頂層蛾眼結(jié)構(gòu)也是由相同GaN材料構(gòu)成,在xy平面是正方晶格,其中最主要三個參數(shù):晶格常數(shù)a、錐高h(yuǎn)、錐底半徑d,它們的初始值設(shè)為a=700nm,h=500nm,d=600nm,后面我們將對它們進(jìn)行優(yōu)化,優(yōu)化過程的規(guī)則是“掃描某個參數(shù),保持另外兩個參數(shù)為初值”。
本文的數(shù)值實驗是用EastWave商業(yè)軟件[10]進(jìn)行模擬,該軟件是基于三維FDTD(時域有限差分)算法。在仿真過程中,不同偏振方向的偶極子光源放在GaN層中,發(fā)出特殊高斯脈沖,在LED蛾眼結(jié)構(gòu)的上方200nm位置設(shè)立“觀測面”,記錄各個頻率在觀測面z方向的出射能流(軟件中附帶此功能),從而計算出每個頻率的LED的光提取效率為
(1)
而光提取效率的增強倍數(shù)為
仿真計算體系的尺寸大小是一個需要綜合考慮的問題。因為我們關(guān)心的是全彩LED的抽光率提高,所以光源發(fā)出的高斯脈沖涵蓋了所有可見光頻譜范圍,即波長是幾百納米級別,而真實LED芯片的尺寸是毫米級別,約波長的千倍以上。進(jìn)行真實LED尺寸(千倍波長以上)的嚴(yán)格仿真是不可行的,因為我們必須考慮到有限計算資源限制和計算時間的限制。在考慮各種限制和計算結(jié)果準(zhǔn)確性的前提下,我們選擇計算10a×10a(7μm×7μm)大小的體系,因為,通過檢驗性計算,我們發(fā)現(xiàn)再增大計算體系尺寸,對計算結(jié)果影響很小,說明結(jié)果已經(jīng)收斂,即這個尺寸體系的計算結(jié)果已經(jīng)能夠代表更大體系的結(jié)果。所以,10a×10a的仿真計算尺寸已經(jīng)保證了計算結(jié)果的收斂性和可靠性。
蛾眼結(jié)構(gòu)是一種熟知的寬頻低反射的微納結(jié)構(gòu),其在空氣和蛾眼睛內(nèi)部之間形成漸變的有效折射率梯度,把自由空間的輻射光高效地耦合到眼睛內(nèi)部,大幅度降低反射,增加吸收效果。其頻率不敏感的低反射現(xiàn)象,物理原理是:當(dāng)光的波長大于微納結(jié)構(gòu)的尺寸時,光波無法分辨微納結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié),只能感受到平均折射率,即隨深度漸變的平均折射率。根據(jù)光路可逆性原理,好的吸波材料往往就是好的發(fā)光材料,所以蛾眼結(jié)構(gòu)也能夠用于LED等發(fā)光器件的設(shè)計。
自然界的蛾眼結(jié)構(gòu)普遍是準(zhǔn)無序的,而人工周期性的蛾眼結(jié)構(gòu)則可以把前述“光子晶體周期波矢耦合效應(yīng)”和“蛾眼結(jié)構(gòu)寬頻折射率漸變效應(yīng)”融合起來,通過這兩個效應(yīng)就能夠?qū)崿F(xiàn)寬頻、寬角度、高效率的內(nèi)外場耦合效果,而這恰恰是本文的創(chuàng)新點。我們在下一節(jié)將看到,通道適當(dāng)選擇結(jié)構(gòu)參數(shù),確實能夠?qū)崿F(xiàn)這個效果。
接下來,我們將根據(jù)所建的模型利用FDTD軟件進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化計算。作為光提取效率提高的基礎(chǔ),首先計算普通平板LED的光提取效率,在400nm~700nm波段,可以發(fā)現(xiàn)在此波段普通平板LED的光提取效率平均大約在6%左右然后設(shè)置蛾眼結(jié)構(gòu),假設(shè)蛾眼光子晶體結(jié)構(gòu)的晶格常數(shù)a,蛾眼高度h,蛾眼底部間距d,初始值分別為a=700nm,h=500nm,d=600nm,計算該結(jié)構(gòu)在300~1000nm的光提取增強系數(shù)如圖3所示。可以看出在400~700nm波段光提取效率在各個波段表現(xiàn)很不同,在500~600nm波段相對于普通平板LED有了很大的提高,有些波段提高接近6倍,但是,在400nm左右只與平板差不多,在比600nm更長的波段光提取效率也只提高3倍左右。顯然,該結(jié)構(gòu)還有很大的優(yōu)化空間。
為了實現(xiàn)寬頻段高光提取效率,我們將先后依次優(yōu)化蛾眼結(jié)構(gòu)參數(shù)a、h和d,發(fā)現(xiàn)它們影響光提取效率增強倍數(shù)(蛾眼/平板)的規(guī)律,并得到較優(yōu)化的設(shè)計。
首先,優(yōu)化晶格常數(shù)a。如前所述,在優(yōu)化a時,我們假定h和d保持固定(h=500nm,d=600nm),改變晶格常數(shù)a:700nm,800nm, 900nm,并計算光提取效率的變化。如圖4所示,可以看出在在700~800nm范圍,a增大會大幅提高光提取效率,但是隨著a從800nm進(jìn)一步增大到900nm,光提取效率明顯趨于飽和。有鑒于此,我們下面優(yōu)化其他參數(shù)時把a定為900nm。
圖3 平板LED光提取效率和光子晶體蛾眼結(jié)構(gòu)LED相對于平板LED光提取效率增強倍數(shù)Fig.3 The extract efficiency of flat LED and the enhancement factor of the PC moth-eye structure LED relative to the flat LED
圖4 當(dāng)h=500nm,d=600nm時,改變晶格常數(shù)a對光提取效率的影響Fig.4 The effect of extraction when change the lattice constant at h=500nm,d=600nm
圖5 當(dāng)a=900nm,d=600nm時,改變蛾眼結(jié)構(gòu)高度h對光提取效率的影響Fig.5 The effect of extraction when change the height of moth-structure at a=900nm,d=600nm
其次,優(yōu)化蛾眼結(jié)構(gòu)的高度h。假定固定a=900nm和d=600nm不變,改變蛾眼高度h,結(jié)構(gòu)如圖5所示。可以看出,在300~500nm范圍,h的變化對該結(jié)構(gòu)光提取效率的整體影響并不大,只是會改變一下頻段的細(xì)節(jié)。所以,我們保持h的初始值,即500nm。
最后,優(yōu)化蛾眼結(jié)構(gòu)的錐底邊距d。假設(shè)a=900nm和h=450nm固定,d分別選擇500nm,550nm,600nm,650nm, 如圖6所示,可以看出在一定范圍內(nèi),錐底直徑越大光提取效率會有所降低,考慮到納米加工的難度,我們選取d最優(yōu)值為500nm。
圖6 當(dāng)a=900nm,h=450nm時,改變蛾眼底部直徑d對光提取效率的影響Fig.6 The effect of extraction when change the diameter of moth-structure at a=900nm,h=450nm
通過系列參數(shù)優(yōu)化,我們得到相對優(yōu)化的結(jié)構(gòu)參數(shù)為a=900nm,h=450nm,d=500nm,數(shù)值實驗顯示它可以達(dá)到很好的提高光提取效率的結(jié)果。對于RGB全彩 LED,該設(shè)計在460~470nm,530~540nm,610~620nm三個核心波段均實現(xiàn)了6倍以上的光提取效率提高。
從以上的模擬結(jié)果看出,使用蛾眼結(jié)構(gòu)光子晶體的LED光提取效率在400nm~700nm波段比傳統(tǒng)平板型LED平均提高了7~8倍,該結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出了很強的優(yōu)勢,尤其在RGB在三個常用的核心波段都實現(xiàn)光提取效率6倍以上的提高,在530nm和620nm波段更分別達(dá)到了12倍和8倍,該結(jié)構(gòu)可用于高顯色指數(shù)的RGB LED,在保證顯示的情況下大大提高了流明值。但是,在465nm波段只提升了6倍左右,需要進(jìn)一步改進(jìn)。由于計算資源限制,導(dǎo)致優(yōu)化方案受限,所以,最終結(jié)構(gòu)可能不是最優(yōu)設(shè)計,然而這并不影響總體趨勢??偟膩碚f該結(jié)構(gòu)在RGB波段具有很好的增強光提取效果,加上該設(shè)計的結(jié)構(gòu)簡單、尺度適中,通過現(xiàn)代微納加工很容易制造,具有很高的實用性。
[1] 周太明,周詳,蔡偉新.光源原理與設(shè)計[M]. 上海:復(fù)旦大學(xué)出版社,2009.
[2] 劉木清.LED及其應(yīng)用技術(shù)[M].第一版.北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2013.
[3] 郭浩中,賴芳儀,郭守義. LED 原理與應(yīng)用[M]. 北京:化學(xué)工業(yè)出版社, 2013.
[4] 劉康,郭震寧,林介本,等.高亮度白光 LED 混色理論及其實驗研究[J].照明工程學(xué)報,2012,23(1):51-57.
[5] WEI T, KONG Q, WANG J X, et al. Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surfece using CsCl nano-islands[J].Optics Express, 2011,19:1065-1071.
[6] TANG Chengjun, JIANG Ming. Analysis and Optimization of P-LDPC Coded RGB-LED-Based VLC Systems[J]. IEEE PHOTONICS JOURNAL,2015,7:6.
[7] LUO Pengfei, ZHANG Min. Experimental Demonstration of RGB LED-Based Optical Camera Communications[J]. EEE PHOTONICS JOURNAL, 2015,7:5.
[8] 朱鈞, 張鶴, 金國藩. 一種基于RGB三基色LED的白光光源[J]. 光學(xué)技術(shù),2007.
[9] 喬燕飛. RGB全彩LED封裝工藝常見異常狀況的分析[J]. 中國新技術(shù)新產(chǎn)品,2013.
[10] 葛德彪,閆玉波. 電磁波時域有限差分方法[M]. 西安電子科技大學(xué)出版社,2005.
[11] HONG E.J, BYEON K.J., PARK H., et al, Fabrication of moth-eye structure on p-GaN layer of GaN-based LEDs for improvement of light extraction. Mater.Sci. Eng.B,2009,163.
[12] LEE T.X., GAO K.F., CHIEN W.T., et al. Light extraction analysis of GaN-based light-emitting diodes with surface texture and/or patterned substrate[J]. Optics Espress,2007,15: 6670-6676.
[13] 鄭清洪, 劉寶林, 張保平. 表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模擬[J]. 電子器件,2008.
[14] 李慧. 表面粗化提高GaN基LED光提取效率[D]. 西安電子科技大學(xué),2010.
[15] 劉志強, 王良臣. 正裝、倒裝結(jié)構(gòu)GaN基LED提取效率分析[J]. 電子器件,2007.
[16] NOTOMI M., SHINYA A., YAMADA K.,etal. Singe-mode transmission within the photonic band gap of width-varied single-line-defect photonic crystal waveguides on SOI substrates. Electron. Lett, 2001,37. 293- 295.
[17] BORODITSKY M, KRAUS T F, COCCIOLI R, et al. Light extraction from optically pumped light-emitting diode by thin-slab photonic crystals [J ]. Appl. Phys. Lett,1999, 75(8) :1036-1039.
[18] FAN S. H., VILLENEUVE P. R, JOANNOPOULOS J. D.Rate-equation analysis of output efficiency and modulation rate of photonic-crystal light-emitting diodes [J]. IEEE J Quantum Electron,2000, 36(10):1123-1130.
[19] BASS M, STRYLAND E.W.Van, WILLIAMS D.R. Handbook of Optics, vol 2:Devices,Measurements, and Properties. second ed. New York, 1994.
[20] KASUGAI H., MIYAKE Y., HONSHIO A., S, et al. High-efficiency nitride-based light-emitting diodes with moth-eye structure. Jpn. J. Appl. Phys,2005,44:7414-7417.
[21] IWAYA M., KASUGAI H., KAWASHIMA T., et al. Improvement in light extraction efficiency in group III nitride-based light-emitting diodes using moth-eye structure[J]. Thin Solid Films,2006,515:768-770.
[22] SAKURAI H, KONDO T. SUZUKI A.Fabrication of high efficiency LED using moth-eye structure[J].Gallium Nitride Materials and Devices vi, 2011,7939.
[23] RAO J.WINFIELD,R.KEENEY L.Moth-eye-structured light-emitting diodes. OPTICS.COMMUNICATIONS,2010,11:2446-2450.
[24] STAVROULAKIS, Petros I., BODEN, STUART A, JOHNSON, THOMAS. Suppression of backscattered diffraction from sub-wavelength ‘moth-eye’ arrays. OPTICS EXPRESS, 2013, 21: 1-11.
The Study on A Broadband and High Extract Efficiency LED Chip
FANG Haiwen, JIANG Xunya
(InstituteforElectricLightSources,EngineeringResearchCenterofAdvancedLightingTechnology,MinistryofEducation,FudanUniversity,Shanghai200433,China)
This paper proposes the use of a single photonic crystal (PC) moth-eye structure to improve LED light extract efficiency in a wide frequency range, the main idea is to optimize the structural parameters so that both mechanisms of PC multiple wave-vector coupling and moth-eye gradually-varied refractive index in wide frequency range could work together very well. Based on numerical experiments with finite-difference time-domain method, we optimize the structural parameters of PC moth-eye structure, and finally get a simple structure with higher extract efficiency for RGB full color LED. Its average extract efficiency could be six times higher than the traditional without-surface-structure LED in a very wide frequency range. With these values, the structure has great potential for industrial applications.
light extract efficiency; RGB full color LED; photonic crystal; moth-eye structure
TM923
A
10.3969j.issn.1004-440X.2016.02.016