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    橢偏儀對(duì)α—Co納米薄膜性能的研究

    2016-05-30 10:48:04李雯
    科技風(fēng) 2016年17期

    李雯

    摘 要:本文采用橢偏儀(SE)測(cè)量了不同厚度的Co 納米薄膜的橢偏參數(shù)(Ψ和Δ),結(jié)合薄膜的特性,建立最優(yōu)的模型,獲得了薄膜的厚度及光學(xué)性能。XRD結(jié)果表明:納米薄膜為六方密堆結(jié)構(gòu)α-Co。

    關(guān)鍵詞:橢偏儀;光學(xué)性能;α-Co薄膜

    橢偏儀具有高精度和高靈敏度的優(yōu)點(diǎn),并且測(cè)試過程非破壞性、非苛刻性等特點(diǎn)[ 1 ],因而在各種薄膜材料的光學(xué)、介電性能的研究和分析領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

    實(shí)際測(cè)量過程中,首先直接測(cè)量獲得薄膜橢偏參數(shù)(Ψ和Δ)隨波長變化譜圖(橫坐標(biāo)為波長,縱坐標(biāo)為Ψ或Δ),隨后建立模型進(jìn)行解譜,從而獲得薄膜的復(fù)折射率、膜厚、表面特性等信息。

    判斷模型好壞的標(biāo)準(zhǔn)為均方根誤差MSE:

    通常MSE<100,認(rèn)為結(jié)果比較可靠,MSE<20,則結(jié)果非常可靠。

    磁性金屬薄膜是當(dāng)前材料科學(xué)和凝聚態(tài)物理研究的前沿和熱點(diǎn)之一,在磁光記錄介質(zhì)、快速讀寫薄膜磁頭以及靈敏傳感器等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用[ 2 ]。鐵磁性Co金屬膜因其具有高的磁導(dǎo)率,有望成為微波磁性材料。當(dāng)前,研究僅僅集中在Co膜的基礎(chǔ)性能及靜態(tài)磁性上,而對(duì)其光學(xué)性能的研究還很少。據(jù)此,本文以Co納米薄膜為研究對(duì)象,研究其結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能。

    1 Co納米薄膜制備

    在洗凈的Si(100)圓晶基底上,以99.9%Co為濺射靶材制備Co膜。通過不斷優(yōu)化濺射條件,使濺射速率約為4 納米/分鐘。

    具體濺射條件為本底真空:8.0×10-5 帕;功率:50 瓦;濺射氣壓:0.2帕;濺射時(shí)間分別為10 分鐘(樣品名稱記作:“Co10”)、20分鐘(樣品名稱記作“Co20”)、30分鐘(樣品名稱記作“Co30”)、50分鐘(樣品名稱記作“Co50”)。

    2 XRD結(jié)構(gòu)分析

    XRD圖譜中:隨著膜厚的增加,Co膜的晶體衍射峰越來越明顯,對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)衍射圖譜(JCPDS No. 050727):在2θ=42.5°、45°、47.5°、63°、76.5°等五處明顯衍射峰,分別對(duì)應(yīng)于六方密堆結(jié)構(gòu)的α-Co的(100)、(002)、(101)、(102)、(110)晶面,可確認(rèn)薄膜為α-Co。且隨著膜厚的增加,結(jié)晶相的數(shù)量增加。

    3 橢偏儀的測(cè)定及模型建立

    本文采用可變?nèi)肷浣枪庾V橢偏儀VASE?誖(由美國J.A. WooIIam公司生產(chǎn)),對(duì)Co膜進(jìn)行測(cè)量,入射角65到80度(步長為5度);波長260到1700納米(步長為10 納米)。

    3.1 Co30、Co50樣品當(dāng)做塊狀材料處理

    金屬薄膜對(duì)可見光和紅外光有極強(qiáng)的吸收,當(dāng)光波透過金屬薄膜的厚度與光波在真空中的波長具有相同數(shù)量級(jí)時(shí),光波就會(huì)被完全吸收。當(dāng)金屬薄膜厚度超過100 nm時(shí),光波已無法透過而到達(dá)下表面,此時(shí)將其當(dāng)做塊狀樣品來處理(例如本文中的“Co30”, “Co50”樣品),建立以下模型:設(shè)定膜厚均為1mm(此時(shí)膜厚固定,不作為擬合參數(shù)),折射率n、消光系數(shù)k作為擬合參數(shù),進(jìn)行一般擬合,得到均方根誤差MSE值分別為6.991,2.841,均小于20,擬合結(jié)果(Ψ值)與測(cè)定結(jié)果符合很好,因而模型的選擇是合理的。

    3.2 Co10、Co20樣品采用振蕩模型

    振蕩模型的建立需要兩個(gè)步驟:首先逐點(diǎn)擬合獲得材料光學(xué)常數(shù),然后添加合適的振蕩方程、振蕩參數(shù)進(jìn)行擬合,從而獲得薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)。

    對(duì)于金屬薄膜,常用的有Drude振蕩方程、Lorentz振蕩方程或者Harmonic振蕩方程[ 3 ],本文采用Lorentz振蕩方程進(jìn)行擬合。

    在逐點(diǎn)擬合獲得Co膜的光學(xué)常數(shù)之后,添加Lorentz振蕩模型,設(shè)置Amp,Br,En三個(gè)振蕩參數(shù)作為擬合參數(shù)(用來描述ε2),并且添加el offset(用以描述ε1)、再添加膜厚作為擬合參數(shù)(初設(shè)值為“Co10”,“Co20”樣品的名義厚度),最后進(jìn)行一般擬合。

    擬合后發(fā)現(xiàn):“Co10”、“Co20”樣品的擬合值(Ψ值)與測(cè)量值均很好符合。獲得“Co10”的厚度為38.503、“Co20” 的厚度為77.836 nm, “Co10”的MSE值為19.64, “Co20”的MSE值為14.03,兩者M(jìn)SE值均小于20,結(jié)果非??尚?。

    3.3 Co膜的光學(xué)性能

    Co膜的折射率隨波長的增加而增加,屬于異常色散。如圖2所示:將本文獲得的Co膜的折射率(n)與文獻(xiàn)[ 4 ]進(jìn)行對(duì)比:折射率均在1-3之間,而本文則獲得了更大波長范圍(260到1700納米)的折射率結(jié)果。

    將消光系數(shù)(k)與文獻(xiàn)[ 4 ]中的結(jié)果進(jìn)行對(duì)比:消光系數(shù)均隨著波長的增加而增大?!癈o10”樣品的k隨波長增加增長較慢,而“Co20”、“Co30”、 “Co50”三個(gè)樣品則增長較快。

    文獻(xiàn)中消光系數(shù)在2.6-4.8之間,而本文中k的范圍則在1.5-4.0,相比更低,差別可能是由于濺射條件的不同所致。此外,本文獲得了更大波長范圍(260到1700納米)的消光系數(shù)。

    4 SEM結(jié)果

    從SEM照片中:薄膜的厚度有較大的差異,“Co50”樣品因其厚度過大,導(dǎo)致薄膜與基底的結(jié)合力不夠強(qiáng),出現(xiàn)了剝脫現(xiàn)象。

    使用Nano Measurer軟件,分別在圖3 Co10、Co20選取10個(gè)標(biāo)記,求得各自膜厚的平均值,并和擬合的膜厚結(jié)果進(jìn)行對(duì)比:Co10樣品SEM厚度值為41.91nm,擬合的厚度為38.503nm,兩者僅相差3.4nm;Co20樣品SEM厚度值為80.391nm,擬合的厚度為77.836 nm,兩者結(jié)果相差2.5 nm,因而可以驗(yàn)證模型的選擇是合適的。

    參考文獻(xiàn):

    [1] 曹春斌.橢圓偏振光譜技術(shù)及其對(duì)功能薄膜材料的性能表征[D]. 安徽:安徽大學(xué),2006.

    [2] 李國棟.2004-2005年金屬磁性功能材料研究新進(jìn)展[J].金屬功能材料,2006,13(4):32-35.

    [3] 王洪濤.橢圓偏振法測(cè)量薄膜參量的數(shù)據(jù)處理[J].物理實(shí)驗(yàn),2001,21(7):8-17.

    [4] Harland G.Tompkins,Theodore Zhu.Determining thickness of thin metal films with spectroscopic ellipsometry for applications in magnetic random-access memory[J].J.Vac.Sci.Technol.A.1998,16.

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