包括埋入式陽極氧化物結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法

申請公布號：CN105789109A

申請公布日：2016.07.20

申請人：英飛凌科技股份有限公司

地址：德國諾伊比貝爾格

發(fā)明人：H-J·舒爾策；I·莫德；I·穆里

Int. Cl.：H01L21/762（2006.01）I；H01L21/335（2006.01）I；H01L21/331（2006.01）I；H01L29/78（2006.01）I；

H01L29/739（2006.01）I

優(yōu)先權(quán)：14/594，838 2015.01.12 US

摘 要：該發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)半導(dǎo)體裝置的制造方法，從第一側(cè)將第一溝槽形成到半導(dǎo)體本體中。通過將半導(dǎo)體本體浸入電解液中并且在半導(dǎo)體本體與接觸電解液的電極之間施加陽極氧化電壓而在第一溝槽的底側(cè)形成陽極氧化物結(jié)構(gòu)。