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      晶體硅組件電致光(EL)檢測應(yīng)用及缺陷分析

      2016-01-01 00:00:00王盛強李婷婷
      科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2016年1期

      摘 要:面對日益嚴重的生態(tài)環(huán)境和傳統(tǒng)能源短缺等危機,光伏組件制造行業(yè)迅猛發(fā)展,光伏組件質(zhì)量控制環(huán)節(jié)中測試手段的不斷增強,原來的外觀和電性能測試已經(jīng)遠遠不能滿足行業(yè)的需求。目前一種可以測試晶體硅太陽電池及組件潛在缺陷的方法為行業(yè)內(nèi)廣泛采用,文章基于電致發(fā)光(Electroluminescence)的理論,介紹利用近紅外檢測方法,可以檢測出晶體硅太陽電池及組件中常見的隱性缺陷。主要包括:隱裂、黑心片、花片、斷柵、短路等組件缺陷,同時結(jié)合組件測試過程中發(fā)現(xiàn)的缺陷對造成的原因加以分析總結(jié)。

      關(guān)鍵詞:太陽能電池;組件;電致發(fā)光;缺陷分析;檢測

      1 概述

      隨著社會對綠色清潔能源的需求量急劇飆升,我國的組件生產(chǎn)量將進一步擴大,2010年中國太陽能電池產(chǎn)量達10673MW,占世界總額的44.7%,位居世界前列。缺陷檢測是太陽能電池組件生產(chǎn)制備過程中的核心步驟,因硅電池單元一般采用硅棒切割生產(chǎn),在生產(chǎn)過程中容易受到損傷,產(chǎn)生虛焊、隱裂、斷柵等問題,這些問題對電池的轉(zhuǎn)換效率和使用壽命有著嚴重的影響,嚴重時將危害組件甚至光伏發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定性[1]。為了提高組件的效率及合格率,并能夠針對各生產(chǎn)環(huán)節(jié)中產(chǎn)生的缺陷情況及時調(diào)整維護生產(chǎn)設(shè)備,需配備大量的在線缺陷檢測設(shè)備。電致發(fā)光(EL)檢測由于其質(zhì)量高、成本低、且能快速、準確識別出組件電池單元常見缺陷等特點,在組件封裝生產(chǎn)環(huán)節(jié)中得到了廣泛應(yīng)用,該檢測應(yīng)用對整個光伏產(chǎn)業(yè)具有深刻意義和重大價值[1]。

      2 電致發(fā)光(EL)測試原理

      在太陽能電池中,少子的擴散長度遠遠大于勢壘寬度,因此電子和空穴通過勢壘區(qū)時因復(fù)合而消失的幾率很小,繼續(xù)向擴散區(qū)擴散。在正向偏壓下,p-n結(jié)勢壘區(qū)和擴散區(qū)注入了少數(shù)載流子。這些非平衡少數(shù)載流子不斷與多數(shù)載流子復(fù)合而發(fā)光,這就是太陽電池電致發(fā)光的基本原理[2]。

      太陽能電池電致發(fā)光(Electroluminescence)測試,又稱場致發(fā)光測試,簡稱EL測試。其原理是,通過對晶體硅太陽能電池外加正向偏壓,模擬實際使用中太陽光照射在電池組件上產(chǎn)生的等效直流電流,給單片電池片通入1-40mA的正向電流,電源便向電池注入大量非平衡載流子,作用于擴散結(jié)兩邊,電能把處于基態(tài)的原子進行激發(fā),使其處于激發(fā)態(tài),由于處于激發(fā)態(tài)的原子不穩(wěn)定,進行自發(fā)輻射,這樣,電致發(fā)光依靠從擴散區(qū)注入的大量非平衡載流子不斷地復(fù)合發(fā)光,放出光子,通過濾波片的作用及底片的曝光程度來了解在自發(fā)輻射中本征躍遷的情況,利用CCD相機捕捉到這些光子,利用少子壽命、密度與光強間的關(guān)系,即太陽能電池的電致發(fā)光亮度正比于少子擴散長度,正比于電流密度,再通過計算機處理后顯示出來[3],如圖1所示[4]。這樣,從底片的曝光程度就可以判斷硅片中是否存在缺陷。

      由于本征硅的帶隙約為1.12eV,可以計算出晶體硅太陽能電池的帶間直接輻射符合的EL光伏的峰值應(yīng)該在1150mm附近,所以EL測試的光屬于近紅外光(NIR)。這些光線只有在不受外光(即太陽能、可見光、紅外線、紫外線等)干擾下才能被紅外光學(xué)相機捕捉到,這就要求整個組件發(fā)光只有在暗箱狀態(tài)下才能被相機捕捉,因而,整個EL測試過程是在一個不會被外光干擾的暗箱中進行的[5],只有這樣可以準確地判別電池片或組件是否存在缺陷,否則將會對產(chǎn)品的性能產(chǎn)生重大影響。

      3 晶體硅組件缺陷分類及常見缺陷分析

      在日常來料檢驗過程中,通過對電池組件的EL測試,能夠合理有效控制由于工藝參數(shù)設(shè)置不當和人為因素引起的組件不良缺陷。大多數(shù)組件缺陷都是由于電池片及組件的生產(chǎn)工藝不合理及人為等外在因素造成的。晶體硅組件缺陷主要包括:隱裂(裂紋)、破片、黑心片、黑團片、黑斑片、履帶片、斷線、穿孔、邊緣過刻、主柵線漏電、副柵線漏電、境界漏電、燒結(jié)缺陷、短路黑片、非短路黑片、網(wǎng)格片、過焊片、明暗片、局部斷路片、位錯、層錯、虛焊或過焊等多種,下面列舉晶體硅組件四種常見缺陷,分別從EL成像特點、原因形成等方面進行缺陷分析。

      3.1 隱裂(裂紋片、破片)

      (1)產(chǎn)生原因:電池片在生產(chǎn)制造過程中,由于在焊接或搬運過程中受到外力作用造成;電池片在低溫下沒有經(jīng)過預(yù)熱在短時間內(nèi)突然受到高溫后出現(xiàn)膨脹造成隱裂現(xiàn)象。(2)成像特點:由于單晶硅的解離面具有一定的規(guī)則,通過EL成像圖可以清晰地看到單晶硅電池片的隱裂紋呈現(xiàn)“x”狀圖形;多晶硅電池片由于晶界的影響有時很難區(qū)分是多晶硅的晶界還是電池片中的隱裂紋。裂紋片的成像特點是裂紋在EL測試下產(chǎn)生明顯的明暗差異的紋路(黑線)。如圖2、3所示。(3)組件影響:組件隱裂后,長時間運行會造成組件功率衰減;經(jīng)過一段時間積累后,組件會出現(xiàn)熱斑現(xiàn)象,直接造成組件損壞。

      3.2 黑心片(黑團片)

      (1)產(chǎn)生原因:在直拉硅棒生產(chǎn)過程中,晶體定向凝固時間縮短,熔體潛熱釋放與熱場溫度梯度失配,晶體生長速率加快,過大的熱應(yīng)力導(dǎo)致硅片內(nèi)部位錯缺陷。(2)成像特點:黑芯或黑團片在EL成像圖中可以清晰的看到從電池片中心到邊緣逐漸變亮的同心圓,從而導(dǎo)致缺陷的部分在EL測試過程中表現(xiàn)為發(fā)光強度較弱或不發(fā)光。從而形成復(fù)合密集區(qū),在通電情況下電池片中心一圈呈現(xiàn)黑色區(qū)域。如圖4、5所示。(3)組件影響:組件出現(xiàn)此缺陷后,長時間運行,會造成熱擊穿;在使用組件測試儀測試組件IV測試特性曲線時,測試曲線呈現(xiàn)臺階形狀;同時長時間運行會導(dǎo)致組件功率下降。

      3.3 短路黑片(非短路黑片)

      (1)產(chǎn)生原因:組件單串焊接過程中造成的短路;組件層壓前,混入了低效電池片造成;硅片使用上錯用N型片,無PN結(jié),故EL成像為全黑;(2)成像特點:組件某個位置出現(xiàn)1塊或多塊電池片呈現(xiàn)全黑現(xiàn)象;(3)組件影響:會造成組件IV測試曲線呈現(xiàn)臺階,組件功率和填充因子都會受到較大影響。使被短路的電池片不能對外提供功率,整塊組件輸出功率降低,IV測試曲線最大功率下降。如圖6、7所示。

      3.4 斷柵

      (1)產(chǎn)生原因:電池片本身柵線印刷不良或電池片不規(guī)范焊接;絲網(wǎng)印刷參數(shù)設(shè)置不當或絲網(wǎng)印刷質(zhì)量不過關(guān);硅片切割不均勻,可能出現(xiàn)斷層現(xiàn)象;(2)成像特點:EL成像圖中電池片的斷柵處發(fā)光強度較弱或不發(fā)光;(3)組件影響:組件短路電流、并聯(lián)電阻、填充因子及效率均下降,而串聯(lián)電阻增大,開路電壓影響較小。如圖8、9所示。

      4 結(jié)束語

      通過對以上組件EL成像缺陷分析,可以看出太陽能電池電致發(fā)光(Electroluminescence)測試在短時間內(nèi)就能確定太陽能電池及組件缺陷情況及其分布,通過EL成像可以快速準確測出太陽能電池及組件可能存在隱裂、破片、斷柵、黑芯片、黑團片、短路黑片等缺陷情況。通過對各自EL成像特點和影響分析,缺陷可以造成組件串聯(lián)電阻增大、并聯(lián)電阻減小、輸出功率降低及光電轉(zhuǎn)換率下降等不良問題。同時通過分析EL成像,也有助于完善和改進太陽能電池組件生產(chǎn)工藝,控制產(chǎn)品質(zhì)量、提高組件成品率、避免生產(chǎn)過程中的浪費,對太陽能電池組件生產(chǎn)和檢測有著重要的指導(dǎo)意義。

      參考文獻

      [1]竇爭寶.基于EL圖像的太陽能電池組件缺陷在線檢測研究[D].杭州:浙江理工大學(xué),2013.

      [2]劉恩科,朱秉生,羅晉生,等.半導(dǎo)體物理學(xué)[M].西安:西安交通大學(xué)出版社,1998:286.

      [3]肖嬌,徐林.太陽電池缺陷EL檢測及電性能分析[J].上海計量測試,2011(3):15-18.

      [4]Y. Takahashi, Y. Kaji, A. Ogane,Y. Uraoka and T. Fuyuki,“-Luminoscopy- Novel Tool for theDiagnosis of Crystalline Silicon solar cells and Modules UtilizingElectroluminescence”[J].IEEE,2006:924-927.

      [5]李娜,張志根,武耀忠,等.隱裂電池片在標準測試后的變化及分析[J].陽光能源,2011(3):69-71.

      作者簡介:王盛強(1978-),男,漢族,遼寧丹東人,本科,工程師,供用電技術(shù)專業(yè),主要從事光伏系統(tǒng)集成及光伏產(chǎn)品質(zhì)量管理工作。

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