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      四路并聯(lián)二極管輻射X射線場參數(shù)計算

      2015-12-15 15:55:28李進璽邱孟通程引會來定國郭景海西北核技術(shù)研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室陜西西安710024
      原子能科學(xué)技術(shù) 2015年8期

      李進璽,邱孟通,程引會,吳 偉,來定國,馬 良,趙 墨,郭景海(西北核技術(shù)研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室,陜西西安 710024)

      四路并聯(lián)二極管輻射X射線場參數(shù)計算

      李進璽,邱孟通,程引會,吳 偉,來定國,馬 良,趙 墨,郭景海
      (西北核技術(shù)研究所強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室,陜西西安 710024)

      摘要:利用二極管的電壓、電流計算了發(fā)射電子束能譜參數(shù),建立了四路并聯(lián)二極管陽極靶蒙特卡羅粒子輸運計算模型,給出了輻射X射線場參數(shù);將四路并聯(lián)二極管的每個二極管劃分為若干小單元,將其作為點源,采用數(shù)值積分的方法計算了輻射X射線劑量分布,并分析了空間不同位置處每路二極管對劑量的貢獻。結(jié)果表明:真空中,距離四路并聯(lián)二極管陽極靶5cm位置處,X射線注量為3.55mJ/cm2,光子平均能量為62.18keV,120keV以下的光子占輻射X射線譜總能量的81.84%,電子束轉(zhuǎn)換效率為0.30%;在2 700cm2范圍內(nèi),中軸線和對角線上的劑量均勻性分別為3.20和6.31;在2 000cm2范圍內(nèi),中軸線和對角線上的劑量均勻性均小于2。

      關(guān)鍵詞:并聯(lián)二極管;X射線場;蒙特卡羅方法;劑量均勻性

      脈沖X射線環(huán)境,特別是大面積、高能注量脈沖X射線,在電離輻照效應(yīng)測試方面有重要的應(yīng)用價值[1-4]。如何獲得滿足要求的X射線輻射場環(huán)境一直是脈沖功率技術(shù)領(lǐng)域研究的問題[5-8]。大面積多環(huán)二極管技術(shù)[6-7]是產(chǎn)生強脈沖硬X射線的技術(shù)途徑之一,其主要用于產(chǎn)生輸出窗面積大且輻射均勻的硬X射線。大面積多環(huán)二極管的陰極由多個直徑不等的圓環(huán)構(gòu)成,陽極為平面輻射靶。多路脈沖功率源各自驅(qū)動輻射二極管,各路二極管輻射場在空間疊加形成大面積的輻射X射線場,同時,通過降低脈沖功率源的電壓可降低輻射X射線的能量。

      本文利用二極管電子束能譜參數(shù),采用蒙特卡羅方法對四路并聯(lián)二極管輻射產(chǎn)生的X射線輻射場參數(shù)進行數(shù)值模擬,并采用點源數(shù)值積分的方法計算輻射X射線劑量分布,分析每路二極管對劑量的貢獻,給出劑量隨空間距離的變化曲線。

      1 計算模型

      四路并聯(lián)二極管計算模型結(jié)構(gòu)如圖1所示。每個陰極環(huán)外徑200mm,環(huán)內(nèi)、外徑相差10mm,相鄰兩個環(huán)外徑之間的距離為30mm。四路二極管電子束能譜參數(shù)相同,單路二極管脈沖功率源輸出電壓、電流如圖2所示。

      圖1  四路并聯(lián)二極管計算模型結(jié)構(gòu)Fig.1 Structure of calculation model for four parallel diodes

      利用二極管的電壓、電流在時間上的對應(yīng)關(guān)系可換算得到對應(yīng)的電子能譜[9],圖3示出了圖2中的二極管電壓、電流所對應(yīng)的電子能譜,四路并聯(lián)電子束總能量為3.2kJ。

      圖2  單路脈沖功率源輸出電壓、電流Fig.2 Current and voltage of single pulse power supply

      圖3  四路并聯(lián)二極管電子能譜Fig.3 Electron energy spectrum of four parallel diodes

      2 計算結(jié)果

      2.1 X射線能譜

      輻射靶結(jié)構(gòu)如圖4所示,陽極轉(zhuǎn)換靶由20μm的鉭和3mm的聚乙烯構(gòu)成。

      圖4  輻射靶結(jié)構(gòu)Fig.4 Structure of radiation targets

      鉭、聚乙烯以及真空中距陽極靶5cm處截面的輻射X射線能譜和前向電子能譜如圖5所示。表1列出了不同截面處的輻射X射線和前向電子參數(shù)的比較。

      圖5  不同截面處輻射X射線(a)和前向電子(b)能譜Fig.5 Energy spectra of X-ray(a)and forward electron(b)at different sections

      表1  不同截面處輻射X射線和前向電子參數(shù)的比較Table 1 Comparison of parameters of X-ray and forward electron at different sections

      由圖5及表1可看出:

      1)輻射X射線能譜由軔致輻射和特征X射線兩部分組成;

      2)只有鉭靶時,輻射場中的電子數(shù)和電子總能量的份額均比X射線的大得多;

      3)聚乙烯靶對鉭靶產(chǎn)生的輻射X射線的能譜分布的影響很小,只會衰減部分低能光子,但可明顯衰減鉭靶的前向電子;

      4)真空中距陽極靶5cm截面處,輻射X射線轉(zhuǎn)換效率為0.30%,平均光子能量為62.18keV,在邊長為52cm的正方形平面上,X射線注量為3.55mJ/cm2,光子與電子數(shù)之比為1.96×104,120keV以下光子占X射線譜總能量的81.84%。

      2.2 劑量分布

      設(shè)S0為點源強度,a為點源到測量點的距離,φ為測量點的強度,不考慮衰減時,有[10]:

      將圖1中的每個二極管劃分為若干小單元,將其作為點源,利用上式采用數(shù)值積分的方法計算了輻射X射線劑量分布,并分析了每路二極管對空間不同距離處劑量的貢獻。計算中,考慮了點源在不同距離平面上投影角度不同。

      4個二極管順序以及對角線和中軸線的定義如圖1所示,測量點在邊長為52cm的正方形平面上。對于中軸線上的劑量,環(huán)1和環(huán)2、環(huán)3和環(huán)4是對稱的,其貢獻也相同,因此,只給出環(huán)1和環(huán)3的貢獻;對于對角線上的劑量,環(huán)1和環(huán)4是對稱的,其貢獻也相同,因此,只給出環(huán)1、環(huán)2和環(huán)3的貢獻。假設(shè)源強度為1,圖6~8分別示出了距陽極靶1、7、30cm位置處的劑量分布。

      由圖6~8可看出:

      1)環(huán)1、環(huán)3對中軸線上劑量的貢獻沿中軸線對稱,4個環(huán)對中軸線上劑量的貢獻相同。

      圖6  距離陽極靶1cm處劑量分布Fig.6 Dose distribution from anode target 1cm

      圖7  距離陽極靶7cm處劑量分布Fig.7 Dose distribution from anode target 7cm

      2)環(huán)1對對角線上劑量的貢獻沿對角線方向?qū)ΨQ,環(huán)2、環(huán)3對對角線上劑量的貢獻沿對角線方向?qū)ΨQ;距環(huán)較近時,環(huán)2、環(huán)3對對角線上劑量的貢獻遠大于環(huán)1、環(huán)4的貢獻,隨著距離的增大,4個環(huán)對對角線上劑量的貢獻趨于一致。

      3)距環(huán)較近時,中軸線上劑量呈馬鞍形分布,而對角線上劑量呈多個馬鞍形分布,對角線上劑量大于中軸線上劑量,隨著距離的增大,兩個方向均逐漸過渡為余弦分布,劑量大小也趨于一致。

      圖9示出了不同位置中軸線以及對角線上歸一化劑量的比較,圖10示出了總的歸一化劑量與空間距離D的關(guān)系曲線。

      圖8  距離陽極靶30cm處劑量分布Fig.8 Dose distribution from anode target 30cm

      圖9  不同位置處歸一化劑量Fig.9 Normalized dose for different locations

      圖10  總的歸一化劑量與距離的關(guān)系曲線Fig.10 Total normalized dosefor different distances

      由圖9可看出:

      1)中軸線上劑量均勻性好于對角線。

      2)5cm位置處,在2 700cm2范圍內(nèi),中軸線和對角線上的劑量均勻性分別為3.20、6.31;在2 000cm2范圍內(nèi),中軸線和對角線上的劑量均勻性均小于2。

      3)20cm位置處,在2 700cm2范圍內(nèi),中軸線和對角線上的劑量均勻性分別為1.73、2.60;在2 000cm2范圍內(nèi),中軸線和對角線上的劑量均勻性分別為1.41、1.90。

      由圖10可看出,歸一化劑量隨著空間距離的增大呈指數(shù)衰減,可用以下擬合公式計算不同距離處的歸一化劑量:

      其中:A=0.85;t=12.79cm;y0=0.17;D為空間距離,cm。

      表2列出了強光一號[5]、閃光二號[11]以及四路并聯(lián)二極管產(chǎn)生的硬X射線參數(shù)的比較。表中,閃光二號和四路并聯(lián)二極管的光子能量為平均光子能量,強光一號的為光子能譜范圍;光子份額指120keV以下光子占X射線總能量的份額;強光一號和閃光二號的數(shù)據(jù)為測量結(jié)果,四路并聯(lián)二極管的數(shù)據(jù)為計算結(jié)果。

      表2  不同加速裝置X射線參數(shù)的比較Table 2 Comparison of X-ray parameters of different accelerators

      3 結(jié)論

      利用二極管的電壓、電流計算得到了電子的能譜分布;建立了四路并聯(lián)二極管蒙特卡羅粒子輸運計算模型,計算得到了X射線輻射場參數(shù);采用點源數(shù)值積分的方法計算了輻射X射線劑量分布特性。給出的二極管電壓電流和陽極靶厚度條件下,距離陽極靶5cm截面處,輻射X射線轉(zhuǎn)換效率為0.30%,平均光子能量為62.18keV,在邊長為52cm的正方形平面上,X射線注量為3.55mJ/cm2,光子與電子數(shù)之比為1.96×104,120keV以下光子占X射線譜總能量的81.84%,在2 000cm2范圍內(nèi),中軸線和對角線上的劑量均勻性均小于2。

      模擬結(jié)果表明:四路并聯(lián)二極管產(chǎn)生的脈沖硬X射線環(huán)境滿足電離輻照效應(yīng)實驗要求[1-4,11-12],能應(yīng)用于系統(tǒng)電磁脈沖等電離損傷效應(yīng)研究中。

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      Calculation of X-ray Field Parameters Generated by Four Parallel Diodes

      LI Jin-xi,QIU Meng-tong,CHENG Yin-h(huán)ui,WU Wei,LAI Ding-guo,MA Liang,ZHAO Mo,GUO Jing-h(huán)ai
      (National Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect,Northwest Institute of Nuclear Technology,Xi’an710024,China)

      Abstract:The electron energy distribution of diode was calculated using current and voltage.Moreover,the characteristics of X-ray spectrum in parallel diodes environment were calculated using Monte Carlo simulation model.The dose distribution of X-ray of four parallel diodes environment was calculated using numerical integral method.In the model,the small cells,which were divided by diodes,were used as radiation source.The results indicate that the X-ray fluence in the position from the target 5cm is 3.55mJ/cm2.The energy of photons with less than 120keV in the X-ray spectrum is less than 81.84%of the total energy.The average photon energy of the X-ray spectrum is 62.18keV,and the diode electron beams conversion efficiency is 0.30%.In the area of 2 700cm2,the dose uniformities of axial and diagonal orientation are 3.20and 6.31 separately,and in the area of 2 000cm2,the values are less than 2.

      Key words:parallel diode;X-ray field;Monte Carlo method;dose uniformity

      作者簡介:李進璽(1978—),男,甘肅白銀人,副研究員,碩士,從事輻射效應(yīng)研究

      收稿日期:2014-04-10;修回日期:2014-09-25

      doi:10.7538/yzk.2015.49.08.1460

      文章編號:1000-6931(2015)08-1460-07

      文獻標(biāo)志碼:A

      中圖分類號:TL501

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