侯婷婷,鄭傳陽,江曉敏
(合肥學(xué)院生物與環(huán)境工程系,安徽合肥230601)
磷石膏是濕法硫酸工業(yè)產(chǎn)生的固體廢棄物,其主要成分為CaSO4·2H2O,還含有硫、氟、硅等雜質(zhì)。全世界每年產(chǎn)生約2.8億噸的磷石膏,我國每年排放磷石膏約5000萬噸,并且以每年15%的速率增長,但是我國磷石膏利用率只有20%左右[1-2]。近年來,隨著合肥市龍橋工業(yè)園的的擴建與發(fā)展,磷石膏的產(chǎn)排量也呈逐年增長的態(tài)勢,2013年產(chǎn)量25萬噸,2014年產(chǎn)量35萬噸,目前年產(chǎn)量已達50萬噸,累積70萬噸,占用土地80多畝,已成為制約該工業(yè)可持續(xù)發(fā)展的重要因素。磷石膏除了少量用來代替天然石膏做水泥緩凝劑、制硫酸聯(lián)產(chǎn)水泥、土壤改良劑等外,絕大部分磷石膏露天堆置,侵占了大片土地,且磷石膏中的雜質(zhì)會隨雨水浸出,產(chǎn)生酸性廢水,引起土壤、水系、大氣的嚴(yán)重污染,給生存環(huán)境造成危害[3-5]。由于磷石膏中含有的雜質(zhì)對其利用會產(chǎn)生顯著的影響,因此在利用之前需要進行經(jīng)濟、有效的預(yù)處理,或者改變磷石膏的晶粒性質(zhì),使其適宜于資源化,提高磷石膏的有效利用率。磷石膏的預(yù)處理方法主要有水洗、閃燒、煅燒等,水洗法是目前磷石膏資源化利用最普遍采用的預(yù)處理方法,處理效果好,能有效、大量地去除磷石膏中的雜質(zhì)和有機物,操作簡便、工藝簡單[6-11]。晶須作為有機物填料已應(yīng)用在復(fù)合材料中,其作為復(fù)合材料的增強組元應(yīng)用,成功地集有機與無機材料的優(yōu)勢于一體,很大程度上提高了復(fù)合材料的綜合性能。其中,硫酸鈣晶須(CSW)具備表面完整、內(nèi)部結(jié)構(gòu)完善、強度高、韌性好、耐高溫、性價比高等優(yōu)勢,可以用于塑料、陶瓷、造紙、催化劑等領(lǐng)域,市場前景良好[12-14]。合成CSW的原料主要取自于天然石膏,而天然石膏是不可再生的,且儲量有限,需要避免對其無節(jié)制地開采和消耗。利用工業(yè)固體廢棄物磷石膏為原料制備硫酸鈣晶須,不僅變廢為寶,實現(xiàn)資源的循環(huán)再利用,還保護了天然石膏資源,實現(xiàn)了環(huán)境、經(jīng)濟、社會的可持續(xù)發(fā)展。
合肥市龍橋工業(yè)園磷石膏,CaSO4含量85%;合肥學(xué)樂儀器公司工業(yè)品石灰粉,純度98%;合肥學(xué)院實驗室提供去離子水1000mL。
T42003N電子天平,HJ-5磁力攪拌器,DHG-9023A電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱,Teflon襯里不銹鋼反應(yīng)釜,F(xiàn)TIR-8400S紅外光譜儀,SU8010掃描電子顯微鏡,DT-3500 X射線衍射儀,KQ-400 KDE超聲波清洗器,TP310精密臺式pH計。
1.2.1 磷石膏預(yù)處理
稱取磷石膏樣品10g(精確至0.0001g)于燒杯中,配制濃度為0.3%和90%左右的石灰水。將計量后的pH=1~4的磷石膏樣品與去離子水按照重量比1∶6于燒杯中混勻,靜置10h后,用濾網(wǎng)濾出澄清液上層漂浮物,將剩余料漿在磁力攪拌器下緩慢攪拌3min,得均勻料漿,測其pH=4~6。將均勻漿料過濾分離,過濾廢液回收于500mL燒杯中,抽濾后的沉淀放入電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱中脫水、干燥,即可得到凈化后的磷石膏。抽入500mL燒杯中的廢液加入石灰水,調(diào)pH值為7,處理后的水可循環(huán)使用。
1.2.2 晶須的制備
用凈化后的磷石膏為原料,水熱合成磷石膏晶須:①將水洗凈后的磷石膏與去離子水按照一定的比例(磷石膏的質(zhì)量分?jǐn)?shù)控制在2%~3%)混勻;②將混勻后的漿料置于具有Teflon襯里的不銹鋼反應(yīng)釜,密封后在室溫下陳化10min后,在145℃下加熱3h,進行晶化反應(yīng);③晶化結(jié)束,陳化50min后趁熱過濾,將所得樣品離心進行固液分離,并依次用去離子水與工業(yè)乙醇各清洗兩次,直到產(chǎn)物的pH值在7左右;④45℃下干燥產(chǎn)物后,得晶須成品;⑤用樣品磷石膏重復(fù)上述步驟做樣品磷石膏晶須。
副產(chǎn)物磷石膏宏觀原貌如圖1(a)所示,呈灰白色;微觀SEM形貌見圖1(b),磷石膏呈淺灰色。磷石膏主要以規(guī)則的平行四邊形的板狀形態(tài)存在,大部分晶形較為規(guī)則,結(jié)晶度較好的板狀物表面都附著有細小而不規(guī)則的可溶性磷、氟、有機物等雜質(zhì)顆粒。
圖1 磷石膏的宏觀圖(a)和電鏡掃描圖(b)Fig.1 Phosphogypsum macrograph(a)and SEM figure(b)
經(jīng)水洗預(yù)處理除雜后的磷石膏,其形貌如圖2(b)所示,與圖2(a)比較可以看出,規(guī)則的平行四邊形板狀物表面較為光滑,晶體干凈清晰,輪廓分明,且無明顯附著物存在,說明水洗預(yù)處理在一定程度上去除了磷石膏中的有害雜質(zhì)。
圖2 磷石膏(a)和凈化后的(b)磷石膏的SEM圖Fig.2 SEM image ofphosphogypsum(a)and phosphogypsum purified(b)
由于雜質(zhì)在晶體的不同晶面上會發(fā)生選擇性吸附,導(dǎo)致晶體中某些晶面的生長受到阻礙,各晶面的相對生長速度因此發(fā)生了改變,晶體形貌出現(xiàn)不規(guī)則現(xiàn)象,從而影響晶體的性能。由圖3可以看出,預(yù)處理與否對硫酸鈣晶須的形貌有較大影響。以未經(jīng)預(yù)處理的磷石膏為原料合成的晶須,晶須表面有少量附著物,以水洗處理后的磷石膏為原料合成的晶須表面無附著物,且以磷石膏為原料,所得產(chǎn)物長徑比也較小。說明可溶性雜質(zhì)干擾了晶須形成過程,不利于硫酸鈣晶須的單向生長。
本實驗測得磷石膏的XRD圖譜見圖4(a),通過磷石膏的XRD圖與粉末衍射數(shù)據(jù)庫中的標(biāo)準(zhǔn)卡片進行對比,可以得知磷石膏的X衍射峰中主要含有CaSO4·2H2O(對照標(biāo)準(zhǔn)卡片PDF#06-0047)且含有少量的晶狀SiO2特征峰(對照標(biāo)準(zhǔn)卡片PDF#03-0420)。
圖3 凈化前(a)后(b)磷石膏水熱合成硫酸鈣晶須Fig.3 SEM images ofwhiskes prepared from phosphogypsum(a)and phosphogypsum purified(b)
圖4 磷石膏的XRD(a)和硫酸鈣晶須與原料磷石膏的XRD圖(b)Fig.4 XRD pattern of phosphogypsum(a)and XRD spectra of CSW and raw phosphogypsum(b)
晶須樣品所有檢測到的峰與標(biāo)準(zhǔn)的CaSO4·0.5H2O樣本(PDF#41-0224)匹配良好。由圖 4(b)所示,曲線 A為水洗凈化后磷石膏的水熱產(chǎn)物的晶面,與曲線B水洗凈化前的磷石膏水熱產(chǎn)物衍射峰相比較,(200)、(020)和(400)的強度保持平穩(wěn),三個特征衍射峰較為尖銳,說明晶須產(chǎn)物結(jié)晶性能好,并且譜圖中不存在其它特征衍射峰,說明所得晶須產(chǎn)品的純度較高。上述結(jié)果表明,水熱法成功合成了沿同一方向單向生長的CaSO4·0.5H2O晶須(單斜晶系),水洗凈化的磷石膏合成效果較好。
磷石膏的紅外圖譜如圖 5(a)所示,3547cm-1、3404 cm-1和1620cm-1處為硫酸鈣晶須中結(jié)晶水的O-H伸縮振動和彎曲振動吸收峰。1144cm-1、1117cm-1處為硫酸鈣晶須中S-O的非對稱伸縮振動吸收峰,669cm-1、602 cm-1為硫酸鈣晶須中S-O面內(nèi)彎曲振動吸收峰[15]。
圖5 磷石膏FTIR圖譜和硫酸鈣晶須(a)與原料磷石膏的FTIR圖譜(b)Fig.5 FT-IR spectra of phosphogypsum(a)and FT-IR spectra of CSW and raw phosphogypsum(b)
硫酸鈣晶須的紅外圖譜如圖5(b)所示,3618cm-1、3553cm-1和1618cm-1處為硫酸鈣晶須中結(jié)晶水的O-H伸縮振動和彎曲振動吸收峰。1151cm-1、1096 cm-1為硫酸鈣晶須中S-O的非對稱伸縮振動吸收峰,658cm-1、600 cm-1為硫酸鈣晶須中S-O面內(nèi)彎曲振動吸收峰。
(1)通過SEM表征磷石膏樣品呈規(guī)則的平行四邊形的板狀以及少量細碎狀。磷石膏主要含有CaSO4·2H2O,還含有少量的SiO2、磷、氟等雜質(zhì)。
(2)通過SEM表征,發(fā)現(xiàn)經(jīng)水洗預(yù)處理過的磷石膏表面較為光滑,無明顯附著物存在,說明水洗凈化過程在一定程度上去除了磷石膏中的有害雜質(zhì)。
(3)水洗除了去除磷石膏所含的部分鉀、鈣、鈉、鎂等離子外,還能將磷石膏的pH值從2提高到4以上,從而提高了磷石膏的利用率。
(4)以磷石膏為原料通過水熱法合成CSW,實驗發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)的存在對CSW的生長產(chǎn)生影響。以磷石膏樣品合成的CSW,其表面存在少量附著物,凈化后磷石膏制備的CSW表面較光滑,而且以磷石膏為原料,所得產(chǎn)物長徑比也較小,說明雜質(zhì)干擾了晶須形成過程,不利于硫酸鈣晶須的單向水熱生長。
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