譚汝泉
(廣東羚光新材料股份有限公司,廣東肇慶 526020)
電壓和頻率對(duì)微弧氧化鈦膜層厚度的研究
譚汝泉
(廣東羚光新材料股份有限公司,廣東肇慶 526020)
微弧氧化技術(shù)以其操作簡(jiǎn)單,原位生長(zhǎng)的特點(diǎn),被用來對(duì)鈦材進(jìn)行表面處理,并對(duì)微弧氧化電參數(shù)中的電壓和頻率對(duì)膜層厚度的影響進(jìn)行研究。結(jié)果表明,在恒壓模式下,且處理時(shí)間和占空比不變的情況下,電壓越大,膜層厚度增大明顯;而頻率越大,厚度則稍有減小。綜合來說,電壓對(duì)厚度的影響比頻率大。
鈦 微弧氧化 電壓 頻率 膜厚
微弧氧化(Micro-arc oxidation,MAO)技術(shù)是在陽極氧化技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來、對(duì)輕質(zhì)合金表面改性的新型技術(shù),也稱作等離子體微弧氧化。這是一種直接在有色金屬表面原位生長(zhǎng)陶瓷層的新技術(shù)[1,2]。該技術(shù)具有操作簡(jiǎn)單、原位生長(zhǎng)、生長(zhǎng)均勻等特點(diǎn),正廣泛應(yīng)用于鈦材的表面處理,在其表面形成性能各異的氧化膜陶瓷層,可應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)用材料[3,4]。鑒于目前對(duì)微弧氧化電參數(shù)對(duì)鈦材膜層厚度的影響鮮有報(bào)道,本文將研究電參數(shù)中電壓和頻率的影響。
2.1 材料與設(shè)備
工業(yè)純鈦TA2,砂紙,乙酸鈣,β-甘油磷酸鈉;ED300型渦流測(cè)厚儀,PHILIPS XL-30E掃描電子顯微鏡,PN-Ⅲ微弧氧化電源。
2.2 試樣制備與表征
圖1(a) 電壓與膜厚關(guān)系圖
圖1(b) 350V處理試樣截面圖
圖2 膜厚與頻率的關(guān)系
將純鈦加工成15mm×10mm×2mm的片狀試樣,依次經(jīng)過400目,600目,800目,1000目,1200目砂紙打磨,無水乙醇、丙酮和去離子水超聲清洗。在0.2mol/L乙酸鈣、0.02mol/Lβ-甘油磷酸鈉配置成電解液中進(jìn)行恒壓模式下的微弧氧化。使用渦流測(cè)厚儀測(cè)量膜層厚度;電子顯微鏡觀察截面形貌。
3.1 電壓對(duì)膜層厚度的影響
占空比、脈沖頻率和處理時(shí)間固定在15%、1000Hz以及30s,試樣分別在250V、300V、350V、400V和450V電壓下進(jìn)行微弧氧化,膜厚及截面形貌如圖1所示。
從(a)可知,隨著電壓的升高,膜厚由250V的1.2μm逐漸增大到450V的11.8μm,增大趨勢(shì)明顯。電壓的增加,單脈沖的放電能量以及氧化膜層中電場(chǎng)強(qiáng)度增加,導(dǎo)致鈦離子和氧離子在放電通道中的轉(zhuǎn)移速度增加,使成膜速率增加,膜層增厚[5]。從(b)可知,處理后試樣TiO2膜層較為致密,靠近基體一側(cè)會(huì)存在一些孔洞,其直徑在1~5 μm之間,這就是膜層與基體間的過渡層,即多孔層,而這一特點(diǎn)將增大細(xì)胞的附著面積以及硬骨組織的孔內(nèi)生長(zhǎng)。
3.2 頻率對(duì)膜厚的影響
脈沖頻率就是單位時(shí)間內(nèi)脈沖震蕩的次數(shù)。占空比和處理時(shí)間與上述一致,電壓固定位350V,試樣分別在200Hz、600Hz、1000Hz、1400Hz、1800Hz下微弧氧化。圖2是膜厚與頻率的關(guān)系,可知隨著頻率的增加,膜厚從原來200Hz的5.3μm降低到1800Hz時(shí)的4.1μm,整體減小,但幅度不大。這是因?yàn)槟拥纳L(zhǎng)速率主要由脈沖的放電能量決定,占空比固定時(shí),增大頻率使單脈沖的放電時(shí)間縮短(即脈寬減小),導(dǎo)致能量減小,成膜速率降低。
恒壓模式下,固定占空比和處理時(shí)間,分別以電壓和頻率作為變量,膜厚隨著電壓的增大明顯增加,隨頻率的升高而稍有下降??傮w來說,電壓的影響效果比頻率大。
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