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      CMOS反相器電壓傳輸特性的數(shù)值計(jì)算

      2015-11-13 13:11:21梁旗
      電腦知識與技術(shù) 2015年23期

      梁旗

      摘要:設(shè)計(jì)了一種0.35um溝長的LDD PMOS器件,并用Medici軟件進(jìn)行數(shù)值仿真,找到一種簡單有效的描述器件伏安特性的數(shù)值算法,給出相應(yīng)的數(shù)學(xué)表達(dá)式,并利用這些表達(dá)式計(jì)算亞微米CMOS反相器的電壓傳輸特性,計(jì)算結(jié)果與理論分析符合較好。

      關(guān)鍵詞:MOSFET;輕摻雜漏(LDD);反相器

      中圖分類號:TN432 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1009-3044(2015)23-0145-02

      The Voltage Transmit Characteristics of a CMOS Inverter Based on Numerical Calculation

      LIANG Qi

      (State Grif Suixi power supply company, Suixi 235100,China)

      Abstract:We design a 0.35um P-Channel LDD device, and simulate it using the Medici program. We find a simple and effective numerical arithmetic to describe the I-V characteristics of the device and give the mathematic expressions. And then, we calculate the voltage transmit characteristics, and the result is fairly consistent with the theoretical analysis.

      Key words: MOSFET; lightly doped drain(LDD);inverter

      當(dāng)器件尺寸縮小到亞微米尺寸時(shí),器件存在嚴(yán)重的熱載流子效應(yīng),嚴(yán)重地妨礙了VLSI的實(shí)現(xiàn)。為此,S.Ogura等提出LDD NMOS結(jié)構(gòu)。LDD結(jié)構(gòu)可大大減小器件的熱載流子效應(yīng),因而被廣泛應(yīng)用于各種VLSI設(shè)計(jì)。PMOS熱載流子效應(yīng)比NMOS小,最初并未受到足夠的重視,當(dāng)溝道長度進(jìn)入亞微米區(qū)時(shí),PMOS的熱載流子效應(yīng)才受到足夠的重視。1984年,A.Schmitz首先提出了LDD PMOS,以抑制其熱載流子效應(yīng),LDD PMOS不但具有減少熱載流子效應(yīng)的作用,而且還能有效地克服PMOS的HEIP(Hot Electron Induced Punchthrough)效應(yīng),是亞微米VLSI工藝的必要組成部分[1]。

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