改善SiC陶瓷纖維吸波性能途徑＊

康 永

（陜西金泰氯堿化工有限公司 陜西 榆林 718100）

前言

碳化硅是制備多波段吸波材料的主要組成部分，可以實(shí)現(xiàn)輕質(zhì)、薄層、寬頻帶和多頻段，是一種具有廣闊應(yīng)用前景的材料［1］。但是如果單純以碳化硅作為吸波材料，其性能會(huì)受到一定的限制。目前，對(duì)吸波材料的改進(jìn)主要有：采用金屬磁性超細(xì)粉，利用了其磁導(dǎo)率、介電常數(shù)大、電磁損耗大的特點(diǎn)［2］；利用材料的不同損耗機(jī)制制備復(fù)合材料，使其具有多種損耗以提高吸收性能。從材料結(jié)構(gòu)方面考慮，采用多層復(fù)合的結(jié)構(gòu)形式達(dá)到阻抗匹配和展寬吸收頻帶。

SiC纖維是繼碳纖維后開(kāi)發(fā)成功的一種高性能增強(qiáng)陶瓷纖維，它具有高強(qiáng)度、高模量、高溫抗氧化、強(qiáng)耐蝕等優(yōu)異性能。目前，SiC陶瓷纖維的制備方法主要有：CVD法、聚合物先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法、活性碳纖維轉(zhuǎn)化法和超微粉體擠壓法等。其中，先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法是主要的制備方法，而采用這種方法制備的SiC陶瓷纖維的電阻率一般在106Ω·cm左右，是一種典型的透波材料。若要使SiC陶瓷纖維具有微波吸收性能，通常認(rèn)為降低纖維的電阻率使其處于101～103Ω·cm。目前，國(guó)內(nèi)外主要通過(guò)對(duì)SiC陶瓷纖維進(jìn)行高溫處理、表面化學(xué)改性（如：化學(xué)鍍Ni，Co，F(xiàn)e以及化學(xué)復(fù)合鍍磁性合金等）［6～8］和摻雜改性（在先驅(qū)體中加入納米Fe，Co，Ni粉或有機(jī)金屬化合物）等方法來(lái)調(diào)節(jié)纖維的電阻率和電磁參數(shù)，使其具有吸波能力。此外，據(jù)報(bào)道，一些非圓形截面的SiC陶瓷纖維也具有吸波性能。

1 碳化硅吸波材料吸收機(jī)理

碳化硅屬于介電損耗性吸波材料，介電常數(shù)的虛部在一定程度上代表了物質(zhì)對(duì)電磁波損耗能力的大小。碳化硅吸波機(jī)理為電阻熱損耗。正交排布的SiC陶瓷纖維構(gòu)成一個(gè)平面導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，在入射電磁波的作用下，產(chǎn)生感應(yīng)電流，通過(guò)歐姆損耗（或渦流損耗）將電磁波能量轉(zhuǎn)化為熱能而損耗掉。纖維間距減小，歐姆損耗增加，對(duì)電磁波的衰減增強(qiáng)。此外，由正交排布的SiC陶瓷纖維構(gòu)成的吸波屏?xí)鸬椒瓷淦恋淖饔?，從吸波屏表面反射的電磁波和從反射層（鋁箔）反射的電磁波會(huì)產(chǎn)生相位對(duì)消的效應(yīng)，從而引起某個(gè)頻率下電磁波的衰減。在電阻熱損耗機(jī)制和相位對(duì)消機(jī)制的共同作用，吸波材料的反射衰減曲線呈現(xiàn)出多個(gè)吸收峰。圖1為碳化硅納米顆粒的介電常數(shù)譜圖。圖1中ε′表示介電常數(shù)實(shí)部，即靜電場(chǎng)下介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)。ε″表示介電常數(shù)的虛部，一定程度上代表了物質(zhì)對(duì)電磁波損耗能力的大小。從圖1可以看出，所制備的碳化硅納米顆粒，其ε′在7.1～8.9時(shí)呈降低趨勢(shì)。其原因是：材料在低頻下極化響應(yīng)快而高頻下極化響應(yīng)慢，從而使介電常數(shù)實(shí)部降低；ε″在1.2～1.6時(shí)，整體呈增大趨勢(shì)。其原因是頻率增大交變電場(chǎng)的變化更快，但是極化的速度始終不能與之同步形成馳豫，所以頻率越大造成的滯后越大、介電損耗也越大，故頻率增大ε″也隨之增大。圖2為碳化硅納米顆粒不同厚度時(shí)的微波吸收譜圖。從圖2可以看出，當(dāng)樣品厚度為0.5mm和1.0mm時(shí)，譜線沒(méi)有太大變化，表明SiC納米顆粒的微波吸收能力很弱；當(dāng)樣品厚度增加到1.5mm時(shí)，碳化硅納米顆粒的反射衰減在16～18GHz時(shí)可達(dá)到－5dB；當(dāng)樣品厚度增加至3.0mm時(shí)，碳化硅納米顆粒在8～13GHz時(shí)的反射衰減在－5dB以上，帶寬為5GHz，其反射衰減的最大值為－8.91dB。結(jié)果表明，材料厚度對(duì)材料的吸波性能有著明顯的影響，厚度增加，材料的吸收率提高，但是每種材料都有一個(gè)最佳匹配厚度，因此過(guò)度增加材料厚度也不會(huì)無(wú)限提高材料的吸波性能［3］。

圖1 SiC樣品的介電常數(shù)譜圖［3］Fig.1Dielectric constant spectra of silicon carbide samples［3］

圖2SiC樣品的微波吸收性能［3］ Fig.2Microwave absorption properties of SiC samples［3］

2 改善SiC陶瓷纖維吸波性能的途徑

20 世紀(jì)70年代，日本Yajima教授首次采用聚碳硅烷（PCS）先驅(qū)體轉(zhuǎn)化制備的SiC陶瓷纖維，具有強(qiáng)度高、可編織性強(qiáng)、密度低、高溫力學(xué)性能高、高溫抗氧化等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于陶瓷基復(fù)合材料的增強(qiáng)相。作為高溫吸收劑，SiC陶瓷纖維具有長(zhǎng)徑比高、化學(xué)成分容易控制等優(yōu)點(diǎn)?？蒲腥藛T對(duì)SiC陶瓷纖維吸收劑進(jìn)行了較多研究，提出了以下3種改善SiC陶瓷纖維吸波性能的途徑：

1）引入異質(zhì)金屬元素。在SiC陶瓷先驅(qū)體中引入異質(zhì)金屬元素不僅可以賦予SiC陶瓷多種功能特性，而且可以提高其耐高溫性能，因此受到廣泛關(guān)注。

2）控制自由碳含量及石墨化度。碳硅比對(duì)聚碳硅烷熱解SiC陶瓷纖維電性能有重要影響。碳硅比越高，自由碳含量越高，自由碳石墨化程度越高，纖維介電常數(shù)越高。

3）改變纖維截面形狀。三折葉形、“C”形、“十”形SiC纖維的介電及吸波性能明顯優(yōu)于圓截面SiC纖維，其原因是異型截面纖維的葉片頂端的曲率明顯大于圓截面纖維，葉片頂端可以富集電荷而產(chǎn)生偶極子，在電磁波作用下產(chǎn)生振蕩，我們對(duì)異型截面纖維吸波機(jī)理的認(rèn)識(shí)還不夠深入，還有待于進(jìn)一步研究。

2.1 碳化硅摻雜金屬鎳吸波材料

摻雜異元素法的原理是通過(guò)在SiC內(nèi)摻雜一些具有良好導(dǎo)電性的元素或物相，調(diào)節(jié)SiC的介電損耗和吸波能力［4］。

摻雜的方法主要有物理?yè)诫s法和化學(xué)摻雜法兩種。碳化硅屬于電損耗型吸波材料，材料的電導(dǎo)率對(duì)吸波性能的影響很大，單一的碳化硅材料吸波性能不高。金屬磁性超細(xì)鎳粉，其磁導(dǎo)率、介電常數(shù)大，電磁損耗大。它與碳化硅粉混合后，使得復(fù)合材料具有了多種吸波損耗機(jī)制，導(dǎo)致其吸波性能的變化［5］。

由于超細(xì)鎳粉具有較大的比表面積，顆粒表面原子相對(duì)增多，超細(xì)鎳粉分散到碳化硅粉中，能起到一定導(dǎo)電、導(dǎo)磁的連通網(wǎng)絡(luò)作用，可以有效地衰減電磁波［6］；又由于微粒具有磁性，與電磁波相互作用增強(qiáng)，可以更有效地衰減電磁波，因此復(fù)合材料比單一的碳化硅性能有了顯著提高。

葛凱勇等［7］利用化學(xué)鍍方法，對(duì)碳化硅表面進(jìn)行了改性，使Ni沉積在SiC表面，從而改變了單一SiC的性質(zhì)。圖3是進(jìn)過(guò)改性的Ni包覆SiC的掃描電鏡照片。從圖3可以看出，有一定量的Ni附著在SiC表面，經(jīng)能譜成分分析表明，Ni與SiC的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)分別為23.4%和74.7%。

圖3 Ni包覆SiC的掃描電鏡照片［7］Fig.3SEM photograph of SiC plated with nickel［7］

圖4 微觀層復(fù)合改性的SiC吸波特性［7］Fig.4Reflection curves of SiC plated with lei as microscopiclayer［7］

SiC表面鍍鎳后，使得顆粒本身的性質(zhì)發(fā)生了改變，經(jīng)過(guò)改性的SiC表面的電導(dǎo)率有所增加，隨著吸波涂層材料中改性SiC含量增加，導(dǎo)電性增加，使其表面反射率增大，但吸波性能反而下降。改性SiC在Ni含量為60%時(shí)性能最佳，與相同百分含量的單一碳化硅吸波材料相比有了大幅度的提高，可以進(jìn)一步適當(dāng)降低吸收劑的百分含量，測(cè)試其吸波性能。改性后的SiC顆粒可以看作是具有微觀層復(fù)合結(jié)構(gòu)的小單元體，每個(gè)小單元體由兩部分組成：內(nèi)層的SiC實(shí)體和外層的Ni。兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)使得單個(gè)粒子兼?zhèn)淞穗姄p耗和磁損耗，使得材料宏觀上表現(xiàn)出吸波性能的提高；但是從電鏡照片和能譜分析結(jié)果來(lái)看SiC表面附著的Ni相對(duì)含量較少，含量?jī)H有23.4%，導(dǎo)致吸波性能的提高受到一定限制。如果能夠提高表面Ni的附著量和均勻性，則會(huì)進(jìn)一步提高材料的吸波性能，同時(shí)可降低吸收劑的百分含量，從而降低材料的表面密度。

化學(xué)鍍鎳SiC陶瓷纖維的吸波機(jī)理主要為渦流損耗，根據(jù)電磁波理論，隨著入射電磁波頻率的增加，纖維鍍鎳層的趨膚深度減小，相應(yīng)的有效截面積大大減小，因而鍍鎳層的渦流損耗能力增強(qiáng)［8］。一方面SiC陶瓷纖維化學(xué)鍍鎳處理增大了纖維本身的電損耗能力（渦流損耗），另一方面化學(xué)鍍鎳層具有鐵磁性，適當(dāng)?shù)卦黾恿死w維對(duì)電磁波的磁損耗能力。而當(dāng)纖維間距較小時(shí)，未鍍鎳的SiC性能要好于鍍鎳的，這是因?yàn)殡S著鍍鎳SiC陶瓷纖維間距的減小，使正交電路屏的金屬反射性增強(qiáng)，因而吸波性能變差。此外，化學(xué)鍍鎳SiC陶瓷纖維正交電路屏復(fù)合材料具有與電路模擬吸波材料相似的性質(zhì)，即：材料對(duì)特定的頻帶具有較小的反射系數(shù)，而在帶外反射系數(shù)很大，因而一定間距的化學(xué)鍍鎳SiC陶瓷纖維正交電路屏對(duì)應(yīng)某個(gè)頻率有一較大的吸收峰；具有適當(dāng)增重率的SiC陶瓷纖維可綜合發(fā)揮鍍鎳層和纖維本身兩者的吸波能力，因而獲得較好的吸波效果，增重率過(guò)大，鍍鎳層掩蓋了纖維本身的性能，使纖維金屬反射性增強(qiáng)，因而吸波能力變差。

2.2 PDCs－SiC陶瓷纖維吸波材料

PDCs－SiC陶瓷是由SiC納米晶粒和自由碳組成。一方面，PDCs－SiC陶瓷的漏導(dǎo)電流比PDCs－SiCN陶瓷的高，從而使得PDCs－SiC具有更高的電導(dǎo)損耗；另一方面PDCs－SiC陶瓷能夠在更低的熱處理溫度下（1300℃以下）析出納米晶粒，且晶粒粒徑控制在10nm以內(nèi)，這樣可使PDCs－SiC陶瓷具有更高的極化損耗。因此，PDCs－SiC比PDCs－SiCN陶瓷具有更高的介電損耗，這有利于制備層合板結(jié)構(gòu)中的損耗層材料。由PDCs－SiC陶瓷的XRD譜圖（圖5（a））可以看出，試樣SiC－1100和SiC－1200在2θ＝35.6°的位置分別出現(xiàn)了一個(gè)強(qiáng)度較弱的衍射包，說(shuō)明PDCs－SiC開(kāi)始晶化的溫度在1100℃左右，與試樣SiC－1100和SiC－1200相比，試樣SiC－1300～試樣SiC－1600中SiC衍射峰強(qiáng)明顯增加，表明PDCs－SiC陶瓷的晶化程度在熱處理溫度高于1300℃時(shí)有明顯的提高。SiC的寬衍射峰表明PDCs－SiC中存在著SiC納米晶粒和非晶態(tài)的SiC。根據(jù)謝樂(lè)公式計(jì)算得到試樣SiC－1300、SiC－1400、SiC－1500和SiC－1600中SiC的晶粒尺寸分別為3.0nm、3.5nm、4.3nm和4.6nm。隨熱處理溫度的增加，試樣的C／Si摩爾比從1.39增加到1.58，表明試樣含有大量的自由碳，且自由碳含量隨熱處理溫度增加而增加。

圖5 PDCs－SiC陶瓷的相組成Fig.5The phase compositions of PDCs－SiC

表1 PDCs－SiC陶瓷Raman光譜的參數(shù)Tab.1Raman spectra parameter of PDCs－SiC ceramics

根據(jù)元素分析可知，PDCs－SiC陶瓷也是富碳型的陶瓷。采用Raman光譜可進(jìn)一步分析PDCs－SiC陶瓷中的自由碳，如圖5（b）所示。所有試樣都表現(xiàn)出自由碳典型的D峰和G峰。用高斯曲線擬合了PDCs－SiC陶瓷的Raman光譜，擬合數(shù)據(jù)見(jiàn)表1。試樣SiC－1100的D峰和G峰表現(xiàn)出寬化和重疊的特性，這表明試樣SiC－1100中的自由碳是高度無(wú)序的。隨著熱處理溫度增加，D峰和G峰的半高寬減小；同時(shí)，G峰的位置從1582／cm藍(lán)移到1594／cm。試樣SiC－1100～試樣SiC－1500的D峰和G峰強(qiáng)度比值基本相同；而試樣SiC－1600的D峰和G峰強(qiáng)度比值增加到1.96。Ferrari和Robertson根據(jù)ID／IG比值和G峰的位置建立了3階段模型（Three－stage model），用來(lái)解釋碳的微結(jié)構(gòu)變化。根據(jù)3階段模型，隨著熱處理溫度增加，試樣中的自由碳從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米石墨態(tài)。

通過(guò)以上微結(jié)構(gòu)分析可得到PDCs－SiC陶瓷微結(jié)構(gòu)的演變規(guī)律示意圖（如圖6所示）。當(dāng)熱處理溫度在1100℃左右時(shí)，PDCs－SiC開(kāi)始析晶，陶瓷以非晶態(tài)的SiC為主；當(dāng)熱處理溫度為1300℃時(shí)，SiC的平均晶粒尺寸為2.5nm，SiC晶粒被非晶態(tài)的SiC相互隔離；當(dāng)熱處理溫度為1400℃時(shí)，SiC晶粒的平均尺寸增加到3.5nm，且SiC納米晶粒含量增加，PDCs－SiC中有亂層石墨結(jié)構(gòu)的自由碳生成，陶瓷中SiC納米晶粒和自由碳含量達(dá)到逾滲閾值，形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；當(dāng)熱處理溫度達(dá)到1600℃，SiC納米晶粒尺寸和含量進(jìn)一步增加，SiC納米晶粒和自由碳相互穿插。

圖6 PDCs－SiC陶瓷微結(jié)構(gòu)變化示意圖Fig.6Schematic diagram of microstructure evolutions of PDCs－SiC

隨著溫度的提升，SiC內(nèi)部產(chǎn)生更多的載流子，并在界面聚集，使試樣的極化損耗增加。試樣SiC－1200和SiC－1300中SiC晶粒被非晶態(tài)SiC相互隔離，載流子只能通過(guò)聲子輔助在定域態(tài)之間跳躍來(lái)增加SiC陶瓷的電導(dǎo)率，導(dǎo)致試樣的電導(dǎo)損耗增加較小。試樣SiC－1400中形成了SiC和自由碳的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。隨著溫度的提升，從費(fèi)米能級(jí)上激發(fā)更多的載流子到導(dǎo)帶上，這些載流子可通過(guò)隧道效應(yīng)在SiC晶粒和自由碳中相互傳遞。因此SiC－1400的電導(dǎo)損耗隨溫度增加而增加。當(dāng)溫度低于200℃時(shí)，更多的載流子在界面形成偶極子，使得試樣的極化損耗增加；當(dāng)溫度高過(guò)200℃時(shí)，界面上組成偶極子的載流子獲得更高的能量跨越晶界參與到漏導(dǎo)電流的運(yùn)動(dòng)中，而偶極子被破壞，使得試樣的極化損耗降低。

圖7為試樣SiC－1200、SiC－1300和SiC－1400的高溫反射率。從圖7可以看出，試樣SiC－1200和SiC－1300高溫反射率隨溫度升高而降低，說(shuō)明試樣的吸波性能隨溫度升高而增加。當(dāng)溫度升高到600℃，試樣SiC－1300的反射率最低值為－22.9dB，且在X波段內(nèi)全部小于－10dB，表明材料具有非常好的電磁波吸收能力。試樣SiC－1300優(yōu)異的高溫吸波能力歸結(jié)于試樣在高溫時(shí)具有低的介電常數(shù)和高的介電損耗能力，能夠同時(shí)滿足阻抗匹配和損耗大的原則。雖然試樣SiC－1400的介電損耗隨溫度增加而增加，但是高的復(fù)介電常數(shù)導(dǎo)致試樣SiC－1400和空氣的阻抗失配，使得試樣SiC－1400的反射率隨溫度增加而增加。室溫下，試樣厚度為2.8mm的SiC－1400平均反射率和反射率小于－10dB的頻率寬度分別為－11.5dB和3.3GHz。當(dāng)溫度增加到600℃時(shí)，試樣SiC－1400的反射率增加到－5.5dB。

圖7 PDCs－SiC陶瓷的高溫反射率Fig.7The high temperature reflectivities of PDCs－SiC

2.3 異型截面碳化硅纖維吸波材料

與圓形截面碳化硅纖維相比，異型截面碳化硅纖維的力學(xué)性能、纖維與基體問(wèn)的復(fù)合性能等都有較大改善，更有意義的是，異型截面碳化硅纖維還表現(xiàn)出良好的吸收雷達(dá)波的性能，有望成為結(jié)構(gòu)吸波材料的理想的吸收劑和增強(qiáng)劑［10］。

三葉型碳化硅纖維的ε′、μ′、μ″值與圓形截面碳化硅纖維的基本相當(dāng)，但燒成溫度為1100℃和1250℃的三葉型碳化硅纖維的ε″值卻明顯增大，最大時(shí)約為圓形碳化硅纖維的60倍，其介電損耗角正切tanδ最大為1.9左右，對(duì)制備吸波材料無(wú)疑是有利的［11］。三葉型SiC纖維的μ′約為1；μ″約為0，且ε″≠0。說(shuō)明其為非磁性損耗材料，為介電損耗材料。

通過(guò)數(shù)學(xué)模擬研究了三葉型SiC纖維的吸波性能。圖8為厚度為3.0mm材料的反射率衰減隨電磁波頻率變化?？梢?jiàn)在2～18GHz時(shí)，三葉形SiC纖維的反射率衰減＞5dB的頻寬為9.6GHz，＞10dB的頻寬為7.28GHz，最大衰減為24.6dB，對(duì)應(yīng)頻率為14GHz；三折葉形SiC纖維反射率衰減＞5dB的頻寬為11.36GHz，＞10dB的頻寬為7.2GHz，最大衰減為14.7dB，對(duì)應(yīng)頻率為11.04GHz；T形SiC纖維反射率衰減＞5dB的頻寬為12GHz，＞10dB的頻寬為3GHz，最大衰減為11.1dB，對(duì)應(yīng)頻率為10GHz［12］。

圖8 三葉型SiC纖維反射率與微波頻率的關(guān)系Fig.8Relationships between microwave frequency and reflection attenuation of trifoliate SiC fibers

由以上數(shù)據(jù)可以看出，三葉型SiC陶瓷纖維截面形貌改變可以改變纖維的吸波性能，并且形貌改變?cè)酱?，其吸波性能改變?cè)酱?。另外，由?種纖維在不同頻率范圍，具有不同的吸波性能，因此可以通過(guò)以上3

種纖維匹配，制備出在較寬頻段內(nèi)具有優(yōu)異吸波性能的結(jié)構(gòu)吸波材料。

3 結(jié)語(yǔ)

作為結(jié)構(gòu)吸波材料的吸收劑和增強(qiáng)劑，輕質(zhì)、高強(qiáng)高模、耐高溫且同時(shí)具備良好吸波性能的吸波纖維是當(dāng)前吸波材料的重要研究方向之一。SiC纖維既具有與玻璃纖維相近的介電常數(shù)和電阻率，又具有與碳纖維相當(dāng)?shù)膹?qiáng)度與模量，且具有碳纖維、芳綸等無(wú)法比擬的耐高溫氧化性能，是高性能復(fù)合材料的理想增強(qiáng)劑，在航空航天、核工業(yè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。

采用高溫處理法和物理?yè)诫s法雖然可以制備吸波性能較好的SiC系列吸波纖維，但纖維在吸波性能提高的同時(shí)，力學(xué)性能下降較快，兩者很難兼容，所以，采用高溫處理法和物理?yè)诫s法制備吸波型SiC陶瓷纖維的研究已基本停止。采用表面處理法基本上可以實(shí)現(xiàn)纖維的力學(xué)性能與吸波性能的兼容，但由于SiC陶瓷纖維較脆，在進(jìn)行表面處理時(shí)纖維表面容易產(chǎn)生新的裂紋與毛絲等現(xiàn)象。在對(duì)一束纖維進(jìn)行表面處理時(shí)，如何使每根纖維具有相同的表面處理效果是今后纖維材料研究的主要方向?；瘜W(xué)摻雜異元素法可以連續(xù)調(diào)節(jié)SiC陶瓷纖維的電阻率，也可以使其具有一定的磁損耗。雖然纖維在提高吸波性能的同時(shí)力學(xué)性能有所下降，但矛盾并不突出，可以通過(guò)改變先驅(qū)體的合成方法或在合成時(shí)引入有利于提高纖維強(qiáng)度和耐高溫性能的異元素的辦法來(lái)解決。該方法是制備高性能吸波／增強(qiáng)一體化纖維的有效方法，應(yīng)該加強(qiáng)研究力度。

非圓形截面SiC纖維除具備圓形截面SiC陶瓷纖維的特點(diǎn)以外，其力學(xué)性能、纖維與基體間的復(fù)合性能等均比圓形截面SiC陶瓷纖維有較大改善。值得注意的是，非圓形截面SiC陶瓷纖維能同步增加其吸收雷達(dá)波的性能和力學(xué)性能，較好地解決了力學(xué)性能與吸波性能的兼容問(wèn)題，且纖維截面形狀可以多種多樣，為纖維電磁性能的調(diào)節(jié)提供了較大空間。除此以外，由于截面形狀的改變，纖維的模量也較高，可以用在一些有此特殊要求的場(chǎng)合。該法也是一種有效制備高性能吸波纖維的方法?，F(xiàn)在的主要問(wèn)題是纖維的當(dāng)量直徑還較大，強(qiáng)度還達(dá)不到圓形截面SiC陶瓷纖維的水平。纖維當(dāng)量直徑與異形度的兼容性問(wèn)題應(yīng)該是研究的重點(diǎn)之一；非圓形截面SiC陶瓷纖維的吸波機(jī)理目前也沒(méi)有公認(rèn)一致的解釋，應(yīng)加強(qiáng)這方面的研究。將化學(xué)摻雜異元素法、改變截面形狀法和表面處理法結(jié)合起來(lái)，如制備含F(xiàn)e、Ni的非圓形截面SiC陶瓷纖維，或者在非圓形截面SiC陶瓷纖維表面進(jìn)行磁改性等，有望綜合各方法的優(yōu)勢(shì)，制備出性能更加優(yōu)異的增強(qiáng)／吸波一體化纖維，這將是一個(gè)研究的方向。

1 王海.雷達(dá)吸波材料的研究現(xiàn)狀和發(fā)展方向［J］.上海航天，1999（1）：55～59

2 方亮，龔榮州.雷達(dá)吸波材料的現(xiàn)狀與展望［J］.武漢工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)，1999，21（6）：21～24

3 梁飛.碳化硅納米顆粒的吸波性能研究［J］.渭南師范學(xué)院學(xué)報(bào)，2013，28（9）：137～140

4 謝根生，姜勇剛，劉旭光，等.具備雷達(dá)吸波功能的碳化硅纖維的研究進(jìn)展［J］.有機(jī)硅材料，2006，20（3 ）：144～148

5 何雄輝，楊建瑜.金屬超細(xì)顆粒的微波吸收特性［J］.西安科技學(xué)院學(xué)報(bào)，2000，20（3 ）：257～259

6 傅曉玲.金屬磁性超細(xì)粉吸波性能研究［J］.西安礦業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào)，1999（1）：92～96

7 葛凱勇，王群，張曉寧，等.碳化硅吸波性能改進(jìn)的研究［J］.功能材料與器件學(xué)報(bào)，2002，8（3 ）：263～266

8 李家俊，鄭長(zhǎng)進(jìn)，趙乃勤，等.含碳化硅纖維正交電路屏的吸波復(fù)合材料的研究［J］.材料工程，2005，50（3 ）：6～9

9 李權(quán).PDCs－SiC（N）陶瓷及其復(fù)合材料的電磁吸波特性及優(yōu)化［D］：［博士學(xué)位論文］.西安：西北工業(yè)大學(xué)，2015

10 王應(yīng)德，馮春祥，王娟，等.異型碳化硅纖維電磁性能［C］.長(zhǎng)沙：中國(guó)復(fù)合材料學(xué)會(huì)教育與科普委員會(huì)2001年學(xué)術(shù)研討會(huì)，2001

11 劉旭光，王應(yīng)德，王磊，等.截面形貌對(duì)三葉型SiC纖維電磁性能的影響［J］.功能材料，2010，41（4）：697～699

12 劉旭光，王應(yīng)德，薛金根，等.三折葉形截面碳化硅纖維的制備及其電磁性能［J］.功能材料，2009，40（5）：739～741