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      頻綜的指標(biāo)分解和器件選型成功應(yīng)用

      2015-05-30 12:29:16但小莉
      中國新通信 2015年18期

      但小莉

      【摘要】 本文主要介紹了在LTE系統(tǒng)的RRU設(shè)備中射頻本振的設(shè)計(jì)的指標(biāo)分解和選型過程做了較為詳細(xì)的闡述,幫助設(shè)計(jì)者提供系統(tǒng)指標(biāo)分解和鎖相環(huán)器件選型的基本方法。

      【關(guān)鍵詞】 射頻本振 指標(biāo)分解 相位噪聲 EVM

      一、問題的提出

      無線通訊中,基站的核心功能是完成射頻和基帶信號(hào)之間的頻率變化,頻率變化需要提供本振信號(hào)完成上下變頻的功能。為滿足系統(tǒng)指標(biāo),如何確定本振的指標(biāo)參數(shù)是否滿足系統(tǒng)要求?怎樣選擇合適的器件,達(dá)到預(yù)定的指標(biāo)?本文較為詳細(xì)的闡述射頻本振鎖相環(huán)設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)過程。

      二、解決方案

      2.1發(fā)射鏈路對(duì)本振的要求

      本振的相位的噪聲影響系統(tǒng)的發(fā)射調(diào)制精度。LTE系統(tǒng)3GPP要求64QAM調(diào)制模式下發(fā)射的調(diào)制精度:EVM≤8%。

      影響EVM的因素主要有:數(shù)字中頻、發(fā)射通道非線性、本振相位噪聲等,具體指標(biāo)分配為:

      中頻輸出的EVM為:2.5%;發(fā)射通道的噪聲和非線性的EVM為:2.5%;本振的相位噪聲為:2%;其它因素的EVM:1%;系統(tǒng)分配本振對(duì)EVM的影響要求:EVM<2%。

      假設(shè)相位誤差很小,則EVM和相位誤差的關(guān)系可由下式表示:

      均方根相位誤差等于相位噪聲在整個(gè)頻率里的積分,根據(jù)圖 1相位噪聲頻譜圖,我們得到相位誤差RMSnoise和相位噪聲的關(guān)系如公式(2)。

      根號(hào)下的第二項(xiàng)很小,考慮實(shí)際的值往往比我們估算的值稍差一點(diǎn),忽略第二項(xiàng)。因此,我們?cè)诮朴?jì)算時(shí),取p=4,則(2)式可以近似為:

      其中fc為環(huán)路帶寬,k為相位噪聲。RMSnoise=1.15°,帶到(3)式中,當(dāng)環(huán)路帶寬選擇10KHz時(shí),得到:-79.37dBc/Hz@offset10kHz。當(dāng)環(huán)路帶寬如果取1KHz時(shí),得到:-69.37dBc/Hz@offset1kHz。取5dB的余量,則帶內(nèi)的相位指標(biāo)要求為 :-75dBc/Hz@offset1kHz,-85dBc/Hz@ offset10kHz。

      PLL帶外的相位噪聲主要由VCO的相位噪聲決定,對(duì)于VCO在轉(zhuǎn)角頻率外以20dB/Decade惡化,VCO的轉(zhuǎn)角頻率一般都在1k以內(nèi),根據(jù)帶內(nèi)的相位指標(biāo)可以得到遠(yuǎn)端的相位噪聲要求為:-105dBc/Hz@offset100kHz,-125dBc/Hz@ offset1MHz。

      2.2接收鏈路對(duì)本振的要求

      由于倒易混頻的影響,本振的相位噪聲對(duì)接收鏈路的ACS、阻塞和交調(diào)指標(biāo)都有影響,由于ACS指標(biāo)的干擾信號(hào)離有用信號(hào)最近,對(duì)本振的相位噪聲要求最嚴(yán)格,以ACS指標(biāo)作為接收指標(biāo)對(duì)相位噪聲指標(biāo)的依據(jù)。

      鄰道選擇性指標(biāo)要求:有用信號(hào)功率為-100dBm,干擾信號(hào)中心頻率偏離有用信號(hào)所在信道邊緣的距離為2.5025MHz時(shí),系統(tǒng)能夠在干擾信號(hào)平均功率≥-47dBm的情況下滿足吞吐量的指標(biāo)要求。

      設(shè)基帶對(duì)應(yīng)的信噪比要求為2dB,故系統(tǒng)允許的最高噪聲功率為-102dBm。

      噪聲功率分配:

      1、熱噪聲功率按60%計(jì)算;

      2、通道非線性互調(diào)產(chǎn)生的噪聲占總噪聲的5%;

      3、鏡頻產(chǎn)生的噪聲占總噪聲的5%;

      4、本振倒易混頻產(chǎn)生的噪聲為-107.5dBm,占總噪聲的30%;

      本文主要對(duì)本振倒易混產(chǎn)生的噪聲進(jìn)行分析。接收鏈路中倒易混頻的產(chǎn)生按照5M的ACS計(jì)算,信道兩側(cè)各存在0.25MHz的保護(hù)帶,偏移本振0.5025MHz-5.0025MHz范圍的相噪為-107.5-(-47)=-60.5dBc,考慮1.5dB余量,即積分相位噪聲不超過-62dBc。

      考慮到偏離本振頻率較近,相位噪聲不能近似為平坦直線,做折線近似,假設(shè)相位噪聲1MHz處比500kHz小5dB,5MHz比1MHz處小15dB。計(jì)算得要求的單邊噪聲功率譜密度為:-124dBc/Hz@1MHz。

      通過以上接收鏈路和發(fā)射對(duì)本振的要求,得到系統(tǒng)相位噪聲的要求為:-75dBc/Hz@1kHZ,-85dBc/Hz@10kHZ,-105dBc/Hz@100kHZ,-125dBc/Hz@1MHz。

      根據(jù)系統(tǒng)要求,如何根據(jù)鎖相環(huán)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè),估算是否能夠達(dá)到我們期望的指標(biāo)?

      對(duì)于帶內(nèi)的相位噪聲,鎖相環(huán)貢獻(xiàn)的噪聲主要由鎖相環(huán)的歸一化噪底(PN1Hz)、鑒相器噪聲和N分頻器的噪聲貢獻(xiàn)。

      用公式(4)進(jìn)行估算:

      系統(tǒng)噪底(Synthesizer Phase-Noise Floor)如圖 2所示是-172dBc/Hz,此值是帶內(nèi)噪聲減去20log(N)后的值,也就是PH1HZ+10log(Fcomp)=-172dBc/Hz的值,根據(jù)上面的測試條件,鑒相頻率為25kHz的情況下測試,則得到PH1HZ=-172dBc/Hz-10log(Fcomp)=-216dBc/Hz。根據(jù)此參數(shù)可以估算帶內(nèi)的相位噪聲理論值。

      根據(jù)公式(4),得到如果在參考頻率為10M,鑒相頻率2M,輸出頻率1878M情況下的帶內(nèi)噪聲為:-216dBc/ Hz+59.5+63=93.5dBc/Hz。

      環(huán)路濾波器的帶內(nèi)對(duì)參考的噪聲是沒有抑制的,還需再加上參考的噪聲歸一到輸出頻率上的噪聲,系統(tǒng)選用的10M參考在1kHZ和10kHZ上的噪聲分別為-130dBc/Hz,-140dBc/Hz,則根據(jù)公式(5),可以估算參考帶來的噪聲:

      1kHz的噪聲:-130dBc/Hz+20*log(187.8)=-85dBc/Hz

      10kHz的噪聲:-140dBc/Hz+20*log(187.8)=-95dBc/Hz

      帶內(nèi)的噪聲加上參考的噪聲后就是理論上應(yīng)該得到:

      1kHZ的噪聲:-93.5dBc/Hz-85dBc/Hz =-85dBc/Hz

      10kHZ的噪聲:-93.5dBc/Hz-95dBc/Hz =-91dBc/Hz

      對(duì)于帶外的相位噪聲主要由VCO決定。從圖 4給出的數(shù)據(jù)可以估算出帶外的相位噪聲分別為:

      100kHZ的噪聲:-110dBc/Hz

      1MHZ的噪聲:-133dBc/Hz

      通過以上器件選型估算,得到器件輸出評(píng)估值:-85dBc/ Hz@1kHZ,-92dBc/Hz@10kHZ,-110dBc/Hz@100kHZ,-133dBc/Hz@1MHz。

      對(duì)比系統(tǒng)對(duì)本振的要求,選用的鎖相環(huán)芯片在參考頻率為10M,鑒相頻率為2M的情況下,滿足系統(tǒng)使用的要求。通過實(shí)踐驗(yàn)證,本振實(shí)現(xiàn)指標(biāo)滿足估算值,經(jīng)過整機(jī)性能的測試,本振性能指標(biāo)也均滿足上下行性能指標(biāo)要求。

      三、總結(jié)

      本文為射頻本振的設(shè)計(jì)者提供設(shè)計(jì)參考,幫助設(shè)計(jì)者理解射頻本振在系統(tǒng)中的地位和本振指標(biāo)的由來。為設(shè)計(jì)者提供了鎖相環(huán)器件選型的基本方法。

      參 考 文 獻(xiàn)

      [1]《PLL Designer》, Dean Baneriee

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