霍珍珍 倪笑宇 戴美魁 林 楠 任秀珊 高文秀
(1.河北建筑工程學院,河北 張家口075024;2.張家口機械工業(yè)學校,河北 張家口075024;3.北京交通職業(yè)技術(shù)學院,北京102200)
微弧氧化是在陽極氧化技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,是一種在閥金屬基體表面原位生長陶瓷層的技術(shù)[1].該技術(shù)生成的膜具有耐磨、耐蝕、硬度高以及與基體結(jié)合力好等優(yōu)異性能.目前,鋁合金的陽極氧化著色技術(shù)應(yīng)用較廣,但是生成的膜層耐磨性較差,著色層薄,容易脫落,在紫外線照射下容易變色或脫色等[2].微弧氧化著色技術(shù)使膜層在保留原有良好性能的基礎(chǔ)上賦予了膜層特殊的色彩,可預期在裝飾防護及功能性方面的進一步應(yīng)用[3].微弧氧化著色技術(shù)可以通過添加著色鹽的種類來實現(xiàn)樣品表面著色,同時也可以通過改變著色鹽的濃度或者著色時間的長短來調(diào)整著色氧化膜陶瓷層的表面顏色和外觀質(zhì)量[4].
本文選用6063鋁合金,在磷酸鹽體系中研究著色劑濃度其負向電壓對黑色膜層的影響[5,6].利用掃描電鏡觀察陶瓷層的表面形貌,利用能譜分析膜層的組成元素,利用X光電子能譜衍射分析元素價態(tài),綜合分析了黑色膜層的顯色機理.
試驗采用微弧氧化設(shè)備.材料為6063鋁合金,試樣尺寸30mm×18mm×3mm.用金相砂紙打磨表面,經(jīng)丙酮除油清洗后,用鋁絲吊掛浸入電解液中并連接到電源正極,不銹鋼槽體盛裝電解液并連接到電源負極.電解液濃度為NaOH 4g/L,Na2SiO39g/L,Na5P3O108g/L,NH4VO35g/L,試驗條件為正向電壓450V,頻率500Hz.
檢測分析設(shè)備:電渦流測厚儀,型號HCC-25、潘通測色儀,型號為PANTONE Color Cue 2.1Q、Rtec變焦輪廓儀/三維形貌儀、WS-2005涂層附著力自動劃痕儀、S-3400N掃描電子顯微鏡、X-射線光電子能譜儀、X射線衍射儀.
2.1.1 著色劑濃度對陶瓷層的影響
電解液中NH4VO3濃度分別為0g/L、1g/L、3g/L、5g/L、7g/L,陶瓷層的各指標隨濃度的變化如圖1.
圖1 NH4VO3加入量對陶瓷層指標的影響
NH4VO3對膜厚及結(jié)合力的影響很小,但NH4VO3對膜的黑色有關(guān)鍵性的作用,當其加入量為0g/L時試樣為白色,隨著NH4VO3的增加,色度值總和變小,黑度越來越大,膜層越來越黑,這表明是含V的物相使膜層顯黑色;且表面粗糙度也漸小,當加入量為5g/L時,黑度最小,粗糙度也達到最小,繼續(xù)加入黑度不會繼續(xù)變小,但是粗糙度會突然變大,所以NH4VO3的加入量在5g/L時陶瓷為最佳.
2.1.2 負向電壓對陶瓷層的影響
圖2 負向電壓對黑色陶瓷層的指標的影響
研究發(fā)現(xiàn),施加負向電壓后,膜層黑度急劇減小,表面粗糙度增大,雖然結(jié)合力有所增大,但是總體對黑色膜的形成是不利的,而含V的相是黑色膜層顯色的原因,故判斷負向電壓使得電子導電加強[7],阻礙了VO3-向試樣的遷移,所以在制備黑色陶瓷層時不宜施加負向電壓.負向電壓增大陶瓷層厚度增加,是因為電子電流導電加強,強烈引發(fā)電擊穿,增加陶瓷層孔洞的數(shù)量,擴大物質(zhì)輸送的通道,促進氧離子向內(nèi)遷移和形成的熔融物向外噴發(fā),從而使陶瓷層生長,但是電壓過大,會致使膜層燒蝕.
圖3 微弧氧化陶瓷層表面主要成分
2.2.1 陶瓷層的元素構(gòu)成
添加NH4VO3后微弧氧化陶瓷層的EDS分析表明,其主要成分為Al、Si、P、V、Na和O,Al元素來 自 于 基 體,Si、P、V分 別 由Na2SiO3,Na5P3O10,NH4VO3提供,Na元素來自于電解液中的NaOH和NaSiO3,O是氧化物陶瓷的必然元素.試驗得知,在不添加NH4VO3的條件下,膜層顏色為白色.因此,添加NH4VO3后獲得黑色微弧氧化膜的原因是含釩的化合物所致.
2.2.2 陶瓷層的相結(jié)構(gòu)分析
對XRD譜進行物相分析可以看出,電解液添加NH4VO3之后,陶瓷層中有新相生成,且有V2O3生成,結(jié)合NH4VO3的影響規(guī)律,可以判斷是V2O3使得陶瓷層顯黑色.
2.2.3 陶瓷層的XPS檢測分析
圖5為綠色陶瓷層的XPS全譜圖,圖6為V2p的XPS譜.
通過圖5和圖6分析可知,V2p峰包含一個自旋雙峰結(jié)構(gòu),兩峰結(jié)合能分別為515.9eV和517.1eV,與 V2O3和V2O5的結(jié)合能一致,所以V在陶瓷層中是以這兩種氧化物形式存在的,而V2O3本身是黑色的,故V2O3是陶瓷層顯黑色的原因.
圖4 微弧氧化陶瓷層X衍射分析
圖5 黑色陶瓷層的XPS全譜
圖6 V2p的XPS譜
2.2.4 黑色微弧氧化陶瓷層顯色原理分析
6063鋁合金在Na5P3O10,Na2SiO3,NaOH電解液中形成了白色的陶瓷層.因為電解液中偏釩酸鹽的加入,在鋁合金的表面形成了黑色的陶瓷層,表明在微弧氧化過程中VO3-參與了反應(yīng).
在微弧氧化的過程中,施加正向電壓應(yīng)用電場中的遷移效應(yīng)使得VO3-向樣品的陽極處移動,氧化鋁在微弧放電產(chǎn)生的高溫下形成.由于這種淬火效果,熔融的氧化鋁立即固化形成亞穩(wěn)態(tài)氧化相,即γ-Al2O3.這些亞穩(wěn)態(tài)氧化物的表面活性強,具有豐富的表面能量,在吸附中扮演著重要的角色[8].結(jié)果為了降低新形成的亞穩(wěn)相的表面能量,VO3-被吸附到表面,因而含有VO3-的陶瓷層形成了.進一步說,熱影響區(qū)產(chǎn)生于每一個放電通道處,這個區(qū)的能量促進VO3-向內(nèi)部的陶瓷層擴散,這有利于對VO3-的連續(xù)吸附.熱影響區(qū)高的瞬時溫度導致了VO3-向氧化釩的轉(zhuǎn)變,例如V2O3和V2O5.吸附的VO3-進行分解,VO3-、V2O3和 O2(298K)的焓變、熵值(298K)和熱容值如表1[9],各物質(zhì)恒壓熱容△Cp不隨溫度變化而為一常數(shù)(即△Cp=Cp298)
表1 標準生成焓和熵以及比熱容
圖7 吉布斯自由能與溫度的關(guān)系
根據(jù)吉布斯一赫姆霍茲公式,如果反應(yīng)(1)自發(fā)進行,則必須滿足△GRθ<0.據(jù)公式(2)和表1的數(shù)據(jù)計算可得不同溫度下的△GRθ,如圖7.
從圖7中可以看出,當溫度大于1350K左右時△GRθ<0,因為微弧氧化瞬間溫度可以達到幾千度,所以反應(yīng)(1)可以發(fā)生.即VO3-被吸附后轉(zhuǎn)換生成V2O3,與XRD、XPS分析結(jié)果相一致,因為V2O3本身是黑色的,故陶瓷層顯黑色,這就是偏釩酸鹽加入電解液中后陶瓷層顏色變黑的原因.
1)施加負向電壓阻礙了VO3-向試樣的遷移,膜層黑度急劇減小,對黑色陶瓷層的形成是不利的.
2)電解液中的NH4VO3是形成黑色陶瓷層的關(guān)鍵因素,陶瓷層顯黑色的原因是VO3-被吸附到表面后轉(zhuǎn)換生成黑色V2O3的緣故.
[1]劉榮明,郭鋒,李鵬飛.電壓對鋁合金微弧氧化陶瓷層形成的影響[J].材料熱處理學報.2008,29(1):137~140
[2]金光,李玉海,張罡,等.LY12鋁合金天藍色微弧氧化膜層的制備及其耐磨性能[J].金屬熱處理.2009,34(5):61~63
[3]梁坤,梁成浩,王華,等.鋁及其合金著色技術(shù)的研究進展[J].電鍍與涂飾.2005,24(5):28~31
[4]楊麗,胡榮,邵忠財.鎂合金表面著色技術(shù)[J].電鍍與精飾.2010,32(5):33~36
[5]V.Anita,N.Saito,O.Takai.Microarc plasma treatment of titanium and alumimun surfaces in electrolytes[J].Thin Solid Film.506~507(2006):364:368
[6]P.I.Butyagin,Ye.V.Khokhryakov,A.I.Mamaev.Microplasma systems for creating coatings on aluminum alloys[J].Materials Letters.57(2003):1748~1751
[7]薛文斌,鄧志威,來永春,等.ZM5鎂合金微弧氧化膜的生長規(guī)律[J].金屬熱處理學報.1998,19(3):42~45
[8]Junming Li,Hui Cai,Bailing Jiang.Growth mechanism of black ceramic layers formed by microarc oxidation[J].Surface &Coatings Technology.201(2007):8702~8708
[9]J.A.Dean.Lange's Handbook of Chemistry[M].Science Press,Beijing.2003