中微交付韓國領先存儲器制造商用于3D VNAND閃存工藝的先進刻蝕機

Primo SSCAD-RIETM將在客戶最先進的試生產線上投入運行

上海和舊金山2015年7月9日電/--中微半導體設備有限公司（簡稱“中微”）宣布 Primo SSC AD-RIE?（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）已交付韓國領先的存儲器制造商。Primo SSC ADRIE?是中微公司目前最先進的介質刻蝕設備，可用于1X納米關鍵刻蝕工藝芯片加工。在此之前，中微的Primo SSC AD-RIE?已在南韓的16納米最關鍵的刻蝕步驟上實現大批量生產。這臺交付的設備將在客戶最先進工藝的3D VNAND試生產線上投入運行。

移動電子產品的飛速發(fā)展、以及大數據、社交傳媒的廣泛應用，使得人們對存儲器的存儲容量和讀取速度提出了更高的要求。當前一代的2D NAND工藝很快將無法滿足不斷升級的需求。3D VNAND代表了下一代前沿工藝，中微的客戶正是技術進步的領跑者。像存儲故障、光刻圖案技術的局限性等問題使在2D NAND工藝層面很難繼續(xù)向下一代工藝節(jié)點過渡，3D VNAND則能解決這一難題。3D VNAND帶來的好處還包括提高存儲容量和讀取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生產成本。

“認識到3D VNAND閃存技術是存儲工藝的未來，我們在研發(fā)上投入了大量的人力和物力，與客戶緊密合作，開發(fā)用于這種高端制程工藝所必需的刻蝕技術?！敝形⒏笨偛眉娲鎯斑壿嫯a品關鍵客戶大區(qū)總經理KI Yoon說道，“能夠在這家領先客戶的3D VNAND試生產線上占有一席之地是對我們長期努力的肯定。另外，在這個只有少數一線刻蝕設備供應商高度競爭的領域，我們相信，我們的工藝質量和面對嚴峻技術挑戰(zhàn)的快速反應能力使我們贏得了訂單。我們很高興也很自豪，能夠為這一重要客戶開發(fā)這項工藝?！?/p>

Primo SSC AD-RIE是采用高抽速，低壓，高能脈沖等離子體的手段為高深寬比刻蝕而開發(fā)的產品。這是中微Primo刻蝕產品家族中的最新一代產品。像中微其他所有刻蝕設備一樣，Primo SSC AD-RIE具備先進的技術水平、超高的生產效率和較低的生產成本。