代麗等
摘要:采用提拉法生長了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實驗結果表明晶體有較好的光學均勻性,隨著Li/Nb比的增加,晶體抗光損傷能力增強,并分析了其抗光損傷能力增強的機理。結合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機制解釋了相關實驗結果。endprint
摘要:采用提拉法生長了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實驗結果表明晶體有較好的光學均勻性,隨著Li/Nb比的增加,晶體抗光損傷能力增強,并分析了其抗光損傷能力增強的機理。結合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機制解釋了相關實驗結果。endprint
摘要:采用提拉法生長了不同晶體的雙折射梯度和抗光損傷能力。實驗結果表明晶體有較好的光學均勻性,隨著Li/Nb比的增加,晶體抗光損傷能力增強,并分析了其抗光損傷能力增強的機理。結合LiNbO3晶體的鋰空位缺陷模型和占位機制解釋了相關實驗結果。endprint